检索结果-南通市图书馆

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

低功耗CMOS UWB LNA设计综述

中国集成电路 2011年第5期20卷 66-73页

作者：吴伟李卫民赵元富北京微电子技术研究所北京100076

本文介绍了适用于WB-LNA电路设计的五种结构,分析了每种结构的噪声系数及其他性能参数。结合当前最新设计,分析探讨了电流复用技术、等效跨导增大技术以及噪声消除技术。电流复用技术可以降低功耗,且不受限于各种结构;等效跨导增大技术... 详细信息

本文介绍了适用于WB-LNA电路设计的五种结构,分析了每种结构的噪声系数及其他性能参数。结合当前最新设计,分析探讨了电流复用技术、等效跨导增大技术以及噪声消除技术。电流复用技术可以降低功耗,且不受限于各种结构;等效跨导增大技术用于共栅结构WB-LNA电路,在不增加功耗的前提下,提高增益和噪声性能;噪声消除技术可以用于共栅结构或电阻反馈结构WB-LNA电路,主要用来改善噪声性能。

关键词：低噪声放大器(LNA) 超宽带(UWB) 输入阻抗匹配噪声系数(NF)

基于局部动态自重构的微系统芯片低功耗设计研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

微电子学与计算机 2015年第11期32卷 142-146页

作者：陆振林赵元富焦烨韩逸飞赵光忠北京微电子技术研究所北京100076 中国航天电子技术研究院北京100094

针对航天综合电子系统小型化对国产微系统芯片低功耗的设计要求,提出了一种基于局部动态自重构技术的片内动态时钟管理解决方案.分析微系统芯片功耗的构成,确定了以降低芯片动态功耗为切入点,采用集成数字时钟管理单元DCM替换晶振作为... 详细信息

针对航天综合电子系统小型化对国产微系统芯片低功耗的设计要求,提出了一种基于局部动态自重构技术的片内动态时钟管理解决方案.分析微系统芯片功耗的构成,确定了以降低芯片动态功耗为切入点,采用集成数字时钟管理单元DCM替换晶振作为加速处理单元DSP芯片的时钟源.根据任务执行需求,应用局部动态重构技术,适时动态调整DSP的工作时钟,以降低空负载下芯片的能量损耗.测试结果表明,所提出的方案在保证实时性的同时,有效地降低微系统芯片的整体功耗.

关键词：微系统芯片低功耗动态时钟局部动态重构

Experimental research on transient radiation effects in microprocessors based on SPARC-V8 architecture

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

Journal of Semiconductors 2015年第11期36卷 58-62页

作者：赵元富郑宏超范隆岳素格陈茂鑫杜守刚 Beijing Microelectronics Technology Institute Beijing University of Aeronautics & Astronautics

An experimental system is developed for the transient radiation effects testing of an anti-radiation hardened processor. Based on this system, the transient radiation effects in a microprocessor based on SPARC-V8 architecture was investigated. The dose-rate-soft-error index parameters of the processor were determined according to the test results, as were the influences on the function and timing parameters of the processor. The power supply balance is affected, which caused the system to reset and be the main source of soft errors. The results showed the circuit recovery time is primarily determined by the internal PLL, while the core power and the output-low-IO ports are more sensitive to the transient dose rate effect. The power-integrity-hardened design is proposed to mitigate the transient radiation effect.

关键词： microprocessor transient dose rate effect transient radiation effect

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

两种注F能量的栅介质电离辐射响应特性

Journal of Semiconductors 1994年第1期15卷 64-66页

作者：张国强严荣良余学锋任边远高文钰赵元富胡浴红王英民中国科学院新疆物理所骊山微电子研究所

对栅氧化后３０ｋｅＶ与４３ｋｅＶＦ离子注入的Ｐ沟ＭＯＳＦＥＴ进行了电离辐射响应特性的比较．结果发现，３０ｋｅＶ注Ｆ具有较强的抑制辐射感生氧化物电荷和界面态增长的能力．用３０ｋｅＶ注Ｆ具有较少注入缺陷的模型对实验结果进... 详细信息

对栅氧化后３０ｋｅＶ与４３ｋｅＶＦ离子注入的Ｐ沟ＭＯＳＦＥＴ进行了电离辐射响应特性的比较．结果发现，３０ｋｅＶ注Ｆ具有较强的抑制辐射感生氧化物电荷和界面态增长的能力．用３０ｋｅＶ注Ｆ具有较少注入缺陷的模型对实验结果进行了讨论．

关键词：场效应晶体管栅介质电离辐射

BF_2^+注入加固硅栅PMOSFET的研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

物理学报 1999年第12期48卷 2299-2303页

作者：张廷庆刘家璐李建军王剑屏张正选徐娜军赵元富胡浴红西安电子科技大学微电子研究所西安710071 西北核技术研究所西安710024 西安微电子技术研究所西安710054

系统地研究了ＢＦ＋２注入硅栅Ｐｃｈａｎｎｅｌｍｅｔａｌｏｘｉｄｅｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｆｉｅｌｄｅｆｆｅｃｔｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ（ＰＭＯＳＦＥＴ）阈值电压漂移与γ辐照总剂量之间的关系，深入地探讨了Ｂ... 详细信息

系统地研究了ＢＦ＋２注入硅栅Ｐｃｈａｎｎｅｌｍｅｔａｌｏｘｉｄｅｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｆｉｅｌｄｅｆｆｅｃｔｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ（ＰＭＯＳＦＥＴ）阈值电压漂移与γ辐照总剂量之间的关系，深入地探讨了ＢＦ＋２注入抗γ辐射加固的机理．结果表明，ＢＦ＋２注入对硅栅Ｐｃｈａｎｎｅｌｍｅｔａｌｏｘｉｄｅｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ（ＰＭＯＳ）在γ辐照下引起的阈值电压漂移具有很强的抑制作用，ＢＦ＋２注入加固硅栅ＰＭＯＳ的最佳注入剂量范围为５ ×１０１４ —２ ×１０１５ｃｍ－２，分布在ＳｉＯ２／Ｓｉ界面的Ｆ原子抑制了γ辐照下在ＳｉＯ２／Ｓｉ界面产生的氧化物陷阱电荷和界面陷阱电荷可能是ＢＦ＋２注入加固硅栅ＰＭＯＳＦＥＴ

关键词： PMOSFET MOS器件离子注入硅栅

BF_2^+注入多晶硅栅常规热退火氟迁移特性的二次离子质谱分析

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

物理学报 1997年第8期46卷 1580-1584页

作者：刘家璐张廷庆李建军赵元富西安电子科技大学微电子研究所骊山微电子研究所

借助二次离子质谱（ＳＩＭＳ）技术，深入地、系统地分析了８０ｋｅＶ，２×１０１５ｃｍ－２ＢＦ＋２注入多晶硅栅在常规热退火条件下，Ｆ在多晶硅栅中的分布及迁移特性．Ｆ在多晶硅栅中的迁移，不但存在着扩散机制，而且还存在着发射... 详细信息

借助二次离子质谱（ＳＩＭＳ）技术，深入地、系统地分析了８０ｋｅＶ，２×１０１５ｃｍ－２ＢＦ＋２注入多晶硅栅在常规热退火条件下，Ｆ在多晶硅栅中的分布及迁移特性．Ｆ在多晶硅栅中的迁移，不但存在着扩散机制，而且还存在着发射和吸收机制。

关键词：二氟化硼离子多晶硅栅离子注入 SIMS 迁移性

65nm反相器单粒子瞬态脉宽分布的多峰值现象

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

电子技术应用 2017年第1期43卷 20-23页

作者：刘家齐赵元富王亮郑宏超舒磊李同德北京微电子技术研究所北京100076 哈尔滨工业大学黑龙江哈尔滨150001

基于65 nm工艺下单粒子瞬态脉宽检测电路,在重离子辐照下,对目标单元单粒子瞬态脉宽进行了测试。针对实验结果中单粒子瞬态脉宽分布出现多峰的现象进行了分析。详细对比了反相器多峰现象与LET值、温度、阈值电压间的关系。通过TCAD仿真... 详细信息

基于65 nm工艺下单粒子瞬态脉宽检测电路,在重离子辐照下,对目标单元单粒子瞬态脉宽进行了测试。针对实验结果中单粒子瞬态脉宽分布出现多峰的现象进行了分析。详细对比了反相器多峰现象与LET值、温度、阈值电压间的关系。通过TCAD仿真分析了多峰现象的原因,即PMOS由于寄生双极效应,在高LET粒子攻击下产生的瞬态脉冲脉宽大于粒子攻击NMOS产生的瞬态脉冲脉宽。高温条件会使得寄生双极效应更加严重,因此在高温条件下脉宽分布的多峰现象更加明显。

关键词：单粒子瞬态多峰现象 65 nm反相器

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

高可靠微处理器结构与实现(英文)

微电子学与计算机 2006年第7期23卷 78-81,85页

作者：彭和平赵元富高德远于立新陈雷西北工业大学航空微电子设计中心陕西西安710072 北京微电子技术研究所北京100076

文章介绍了抗单粒子翻转容错处理器NBHARK的结构与实现,采用了改进的优化奇权重列编码方法纠检寄存器文件的瞬时错误。提出了多种有效方法提高整个处理器可靠性,如三模冗余内部临时寄存器,三模冗余时钟,片上EDAC,奇偶校验,强制cache缺... 详细信息

文章介绍了抗单粒子翻转容错处理器NBHARK的结构与实现,采用了改进的优化奇权重列编码方法纠检寄存器文件的瞬时错误。提出了多种有效方法提高整个处理器可靠性,如三模冗余内部临时寄存器,三模冗余时钟,片上EDAC,奇偶校验,强制cache缺失等。该芯片在smic0.18μmCMOS工艺投片。辐射试验表明,粒子注入(>50,000)引起的单粒子翻转错误均成功纠正。试验采用252Cf辐射源,3.5uCi,以及***2/mg平均LET进行。

关键词：容错三模冗余(TMR) 错误纠一检二(SEC-DED) 可靠性

两种注F层面的PMOSFET电离辐射响应特性

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

固体电子学研究与进展 1993年第2期13卷 165-169页

作者：张国强余学锋高剑侠任迪远严荣良赵元富胡浴红王英明中国科学院新疆物理研究所乌鲁木齐830011 骊山微电子学研究所陕西临潼710600

报道了栅氧化淀积多晶硅前后分别注入43keVF离子的Si栅P沟MOSFET电离辐射响应关系。结果发现,多晶硅面注F具有较强的抑制辐射感生阈电压漂移,控制氧化物电荷和界面态生长的能力。用多晶硅面注F带入栅介质较少注入缺陷和较多替代辐射敏... 详细信息

报道了栅氧化淀积多晶硅前后分别注入43keVF离子的Si栅P沟MOSFET电离辐射响应关系。结果发现,多晶硅面注F具有较强的抑制辐射感生阈电压漂移,控制氧化物电荷和界面态生长的能力。用多晶硅面注F带入栅介质较少注入缺陷和较多替代辐射敏感应力键的F离子模型对实验结果进行了讨论。

关键词：阈电压界面态电离辐射 MOS器件