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注氟加固PMOSFET的电离辐射响应与时间退火效应

The Ionization Radiation Response and Time Annealing of PMOSFET Hardened with F-implant

作     者:余学峰 严荣良 张国强 郭旗 陆妩 任迪远 宋钦歧 赵元富 

作者机构:中国科学院新疆物理研究所乌鲁木齐830011 骊山微电子学研究所陕西临潼710600 

出 版 物:《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期:1997年第17卷第2期

页      面:149-153页

核心收录:

学科分类:080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 080502[工学-材料学] 

主  题:PMOSFET 电离辐射 退火 注氟加固 MOS器件 

摘      要:研究了注F加固PMOSFET的总剂量辐照响应特性和辐照后由氧化物电荷、界面态变化引起的阈电压漂移与时间、温度、偏置等退火条件的关系,发现一定退火条件下注F加固PMOSFET由于界面态密度、特别是氧化物电荷密度继续增加,使得电路在电高辐照后继续损伤,探讨了加速MOS器件电离辐照感生界面态生长的方法。

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