注氟加固PMOSFET的电离辐射响应与时间退火效应
The Ionization Radiation Response and Time Annealing of PMOSFET Hardened with F-implant作者机构：中国科学院新疆物理研究所乌鲁木齐830011 骊山微电子学研究所陕西临潼710600
出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)
年 卷 期：1997年第17卷第2期
页 面：149-153页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
主 题：PMOSFET 电离辐射 退火 注氟加固 MOS器件
摘 要：研究了注F加固PMOSFET的总剂量辐照响应特性和辐照后由氧化物电荷、界面态变化引起的阈电压漂移与时间、温度、偏置等退火条件的关系，发现一定退火条件下注F加固PMOSFET由于界面态密度、特别是氧化物电荷密度继续增加，使得电路在电高辐照后继续损伤，探讨了加速MOS器件电离辐照感生界面态生长的方法。
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