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硅栅CMOS集成电路场区电离辐射性能研究

半导体技术 1997年第4期13卷 22-25页

作者：赵元富西安微电子技术研究所

详细研究了硅栅ＣＭＯＳ集成电路场区电离辐射性能，分析了不同辐射偏置下，Ｎ沟场氧器件阈值电压漂移随辐射剂量的变化及场区边缘辐射寄生漏电对非封闭栅栅氧ＮＭＯＳ器件辐射性能的影响。结果表明：电离辐射引起的电路场氧隔离失效主... 详细信息

详细研究了硅栅ＣＭＯＳ集成电路场区电离辐射性能，分析了不同辐射偏置下，Ｎ沟场氧器件阈值电压漂移随辐射剂量的变化及场区边缘辐射寄生漏电对非封闭栅栅氧ＮＭＯＳ器件辐射性能的影响。结果表明：电离辐射引起的电路场氧隔离失效主要来自于电离辐射引起的场区边缘寄生漏电，提出了分析场区边缘寄生漏电对器件辐射性能影响的等效电路。

关键词：场氧电离辐射硅栅器件 CMOS 集成电路

适合SoC应用的片上集成输出电容快速响应LDO(英文)

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北京大学学报（自然科学版） 2009年第1期45卷 35-41页

作者：沈良国张兴赵元富北京大学信息科学技术学院微电子学系北京100871 北京微电子技术研究所北京100076

提出了适合SoC应用的片上集成输出电容快速响应低压差线性稳压器(LDO)。通过使用一种新颖的双向非对称缓冲器,消除了由LDO传输元件寄生电容产生的右半平面零点。该零点的消除不仅提高了LDO的稳定性,而且可以有效拓展其单位增益带宽,从... 详细信息

提出了适合SoC应用的片上集成输出电容快速响应低压差线性稳压器(LDO)。通过使用一种新颖的双向非对称缓冲器,消除了由LDO传输元件寄生电容产生的右半平面零点。该零点的消除不仅提高了LDO的稳定性,而且可以有效拓展其单位增益带宽,从而改善瞬态响应性能。基于该缓冲器的LDO,其相位裕度大于55°,单位增益带宽可达1.7 MHz,在负载电流以50 mA/μs的速度阶跃变化时输出电压变化量小于100 mV。

关键词：低压差线性稳压器右半平面零点片上集成输出电容系统芯片

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V_T 辐照模式 pMOS 剂量计的标定

核技术 1997年第10期20卷 606-610页

作者：范隆严荣良靳涛何承发赵元富中国科学院新疆物理研究所西安微电子技术研究所

对辐照偏置为阈值ＶＴ的ｐＭＯＳ剂量计进行了６０Ｃｏγ射线和６ＭｅＶ电子束的辐照标定，结果表明，在不低于１０２Ｇｙ（Ｓｉ）的剂量范围内，这种变化的负栅偏电压下工作的ｐＭＯＳ剂量计呈现出线性响应，其适用于空间环境的响应灵... 详细信息

对辐照偏置为阈值ＶＴ的ｐＭＯＳ剂量计进行了６０Ｃｏγ射线和６ＭｅＶ电子束的辐照标定，结果表明，在不低于１０２Ｇｙ（Ｓｉ）的剂量范围内，这种变化的负栅偏电压下工作的ｐＭＯＳ剂量计呈现出线性响应，其适用于空间环境的响应灵敏度为２０ｍＶ／Ｇｙ（Ｓｉ）。同时发现，对６０Ｃｏγ射线的响应灵敏度为对６ＭｅＶ电子束的１．３倍左右。对实验结果进行了分析，认为ｐＭＯＳ剂量计的响应灵敏度与粒子辐射的种类具有一定的依赖性，提出了剂量计对混合辐射场的标定方法。

关键词： pMOS 剂量计电离辐照混合场标定 VT辐照模式

用XPS研究^(60)Co对抗辐射加固和非加固Si-SiO_2的影响

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固体电子学研究与进展 1993年第3期13卷 255-260页

作者：刘昶时赵元富中科院新疆物理研究所乌鲁木齐830011 骊山微电子学研究所西安临潼710600

对由抗辐射加固与非加固工艺生成的Si/SiO_2系统进行了^(60)Co辐照前后的界面结构分析。实验结果表明,这两类Si-SiO_2在硅的二氧化硅态和过渡态,氧的剩余氧态和负二价氧态的XPS谱上具有较大差异;其中非加固样品的XPS谱与辐照条件具有强... 详细信息

对由抗辐射加固与非加固工艺生成的Si/SiO_2系统进行了^(60)Co辐照前后的界面结构分析。实验结果表明,这两类Si-SiO_2在硅的二氧化硅态和过渡态,氧的剩余氧态和负二价氧态的XPS谱上具有较大差异;其中非加固样品的XPS谱与辐照条件具有强烈的依赖关系,而加固样品的XPS谱随辐照条件的变化产生较小的变动。两类Si-SiO_2的XPS谱均显示出辐照剂量对样品的损伤作用大于辐照偏置电场。文中根据辐射在SiO_2-Si中产生电子-空穴对的观点,就实验现象进行了机制分析。

关键词： XPS 辐射加固非加固 Si-SiO2 CO

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VLSI可测性设计研究

微电子学与计算机 2004年第10期21卷 189-192页

作者：杜俊赵元富航天时代电子公司研究院微电子技术研究部北京100076

从可测性设计与VLSI测试、VLSI设计之间的关系出发,将与可测性设计相关的VLSI测试方法学、设计方法学的内容有机地融合在一起。文中简要地介绍了VLSI可测性设计的理论基础和技术种类,简明地评述了可测性设计的现状和发展趋势,并且探讨... 详细信息

从可测性设计与VLSI测试、VLSI设计之间的关系出发,将与可测性设计相关的VLSI测试方法学、设计方法学的内容有机地融合在一起。文中简要地介绍了VLSI可测性设计的理论基础和技术种类,简明地评述了可测性设计的现状和发展趋势,并且探讨了可测性设计的实现方法。

关键词：可测性设计自动测试生成扫描设计边界扫描技术嵌入式自测试测试外壳模拟测试总线

面向设计加固的航天集成电路辐射效应评估方法研究与实践

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核技术 2023年第8期46卷 74-81页

作者：郑宏超王亮李哲郭刚赵元富北京微电子技术研究所北京100076 中国航天科技集团有限公司抗辐射集成电路技术实验室北京100076 中国原子能科学研究院核物理所北京102413

航天集成电路是空间电子系统的核心部件,抗辐射加固技术是保障航天集成电路在空间环境可靠工作的核心技术。随着电路特征尺寸缩小至纳米尺度,单粒子效应逐渐成为制约航天集成电路抗辐射能力的最主要因素。北京微电子技术研究所团队以设... 详细信息

航天集成电路是空间电子系统的核心部件,抗辐射加固技术是保障航天集成电路在空间环境可靠工作的核心技术。随着电路特征尺寸缩小至纳米尺度,单粒子效应逐渐成为制约航天集成电路抗辐射能力的最主要因素。北京微电子技术研究所团队以设计加固方式作为航天集成电路抗辐射研制技术路线,基于在重离子加速器上获取的大量单粒子试验数据,提出新工艺新器件的单粒子效应试验评估新方法,开展测试分析技术和辐射效应规律研究,为加固技术研究提供准确基础信息,检验设计加固技术有效性,揭示单粒子辐射损伤机制,为优化加固提供指导,最终形成高可靠、长寿命航天集成电路产品提供了关键支撑。

关键词：航天集成电路单粒子效应抗辐射设计加固辐射试验

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pMOS剂量计的温度效应及其补偿探讨

核技术 1997年第3期20卷 173-178页

作者：范隆任迪远高文钰郭旗严荣良赵元富中国科学院新疆物理研究所骊山微电子公司

利用恒流注入法和Ｉ－Ｖ测试方法研究了用于ｐＭＯＳ剂量计的国产ｐＭＯＳＲＡＤＦＥＴ的温度效应，结合ＭＯＳ晶体管阈值和电流－电压方程的理论公式推导分析了温度对阈电压、沟道载流子迁移率的影响，对“零温度系数点”从理论上进行... 详细信息

利用恒流注入法和Ｉ－Ｖ测试方法研究了用于ｐＭＯＳ剂量计的国产ｐＭＯＳＲＡＤＦＥＴ的温度效应，结合ＭＯＳ晶体管阈值和电流－电压方程的理论公式推导分析了温度对阈电压、沟道载流子迁移率的影响，对“零温度系数点”从理论上进行了讨论，探讨了辐照对“零温度系数点”的影响。实验结果表明，采用“零温度系数”电流作为注入的恒流来测量栅源电压能提高剂量计电压读出的精度，起到对温度补偿的作用。

关键词： pMOS 剂量计温度效应补偿

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无人机自主着陆地标实时检测方法

系统工程与电子技术 2019年第10期41卷 2157-2162页

作者：梅立春王彩云赵元富魏文怡李阳雨南京航空航天大学电子信息工程学院江苏南京210016 南京航空航天大学航天学院江苏南京210016 北京微电子技术研究所北京100076

在基于计算机视觉的无人机自主着陆过程中,地标的设计与检测是关键问题。提出了一种快速轮廓角点检测算法,并设计了一种新型嵌套三角形图案作为无人机自主着陆地标。首先,利用Suzuki-Abe算法提取的背景及目标的整体轮廓信息,进行目标嵌... 详细信息

在基于计算机视觉的无人机自主着陆过程中,地标的设计与检测是关键问题。提出了一种快速轮廓角点检测算法,并设计了一种新型嵌套三角形图案作为无人机自主着陆地标。首先,利用Suzuki-Abe算法提取的背景及目标的整体轮廓信息,进行目标嵌套轮廓提取;其次,通过改进Douglas-Peucker拟合算法来检测轮廓角点。由于优化了角点个数及最远距离两点的寻找方法,在很大程度上减少了计算时间且降低了复杂度。实验结果表明,在距离地标较远、地标部分信息缺失的情况下,该算法准确快速,适合于无人机自主着陆过程位置实时检测。

关键词：无人机自动着陆轮廓提取角点检测地标

面向空间应用的双核容错微处理器的研究与实现

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宇航学报 2007年第1期28卷 188-193页

作者：彭和平时晨赵元富于立新陈雷西北工业大学航空微电子中心 769西安710072 西安微电子技术研究所西安710054 北京微电子技术研究所北京100076

介绍了用双核微处理器实现的容错微处理器系统SPARC-V8FTS。该系统由两个同构微处理器与支持容错操作的容错管理模块组成。微处理器是基于SPRARC V8规范的32-bit微处理器。容错管理模块提供了错误检测、诊断、从“软故障”中故障恢复,... 详细信息

介绍了用双核微处理器实现的容错微处理器系统SPARC-V8FTS。该系统由两个同构微处理器与支持容错操作的容错管理模块组成。微处理器是基于SPRARC V8规范的32-bit微处理器。容错管理模块提供了错误检测、诊断、从“软故障”中故障恢复,以及当发生“硬故障”时,将系统配置成单一处理器继续执行的机制,以适应空间复杂环境应用。SPARC-V8FTS用较少的硬件实现了所有容错操作,以很低的性能损失达到了很高的系统可靠性。

关键词：容错动态可配置微处理器