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杜甫饮酒诗中的愁苦与伟大

中国民族博览 2020年第9期 112-113页

作者：贺致远成都杜甫草堂博物馆四川成都610072

研究饮酒诗不仅是了解诗酒文化及杜甫思想情感的重要手段,也是研究唐朝历史文化及传承中华文明的主要途径。它对后世人们历史文化素养的培养、人生价值观及饮酒观的创建产生了深远影响。本文通过简要分析杜甫饮酒诗的主旨思想,切身感受... 详细信息

研究饮酒诗不仅是了解诗酒文化及杜甫思想情感的重要手段,也是研究唐朝历史文化及传承中华文明的主要途径。它对后世人们历史文化素养的培养、人生价值观及饮酒观的创建产生了深远影响。本文通过简要分析杜甫饮酒诗的主旨思想,切身感受饮酒诗中的喜怒哀乐,从而为扩大杜甫在饮酒诗中体现出的忧国忧民情怀这一影响力奠定了基础。

关键词：杜甫饮酒诗愁苦伟大

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珠三角地区社会工作督导人才队伍培育研究

中文科技期刊数据库（全文版）社会科学 2022年第10期 151-154页

作者：贺致远广东工业大学法学院广东广州510000

社会工作督导人才队伍是社会工作者职业发展的推进者,是社会工作服务高质量发展的重要保障。近年来,我国社会工作者专业迅猛发展,社会工作人才队伍不断壮大,在大步前进的过程中不可不可避免的出现了一些问题,社会工作督导的发展速度跟... 详细信息

社会工作督导人才队伍是社会工作者职业发展的推进者,是社会工作服务高质量发展的重要保障。近年来,我国社会工作者专业迅猛发展,社会工作人才队伍不断壮大,在大步前进的过程中不可不可避免的出现了一些问题,社会工作督导的发展速度跟不上人才队伍壮大的速度,社会工作督导人才队伍的建设迫在眉睫。本文通过文献研究的方法,对珠三角地区具有代表性的“学院模式”和“师徒模式”进行分析,对比其优势与缺陷,并探索相应对策,为促进社工督导人才队伍发展提供一些建议。

关键词：社会工作督导人才队伍建设培育模式

Si衬底AlGaN／GaN功率开关场效应晶体管研制

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电力电子技术 2012年第12期46卷 87-89页

作者：姚尧贺致远李佳林刘扬中山大学物理科学与工程技术学院广东广州510275

研究了Si衬底AlGaN/GaN异质结构场效应晶体管(HFETs)器件尺寸参数,包括源(漏)极长度、栅宽及欧姆接触电极厚度等对器件性能的影响。基于此,在国内率先实现2英寸Si衬底上栅宽为40 mm的原型AlGaN/GaN HFETs,其输出电流约为20 A,导通电阻为... 详细信息

研究了Si衬底AlGaN/GaN异质结构场效应晶体管(HFETs)器件尺寸参数,包括源(漏)极长度、栅宽及欧姆接触电极厚度等对器件性能的影响。基于此,在国内率先实现2英寸Si衬底上栅宽为40 mm的原型AlGaN/GaN HFETs,其输出电流约为20 A,导通电阻为0.4Ω(比导通电阻8.29 mΩ·cm^2)。

关键词：场效应晶体管功率开关栅宽欧姆接触电极厚度

Electrical properties of MOCVD-grown GaN on Si (111) substrates with low-temperature AlN interlayers

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Chinese Physics B 2013年第8期22卷 690-693页

作者：倪毅强贺致远钟健姚尧杨帆向鹏张佰君刘扬 School of Physics and Engineering State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies Sun Yat-Sen University

The electrical properties of the structure of GaN grown on an Si （111） substrate with low-temperature （LT） A1N interlayers by metal-organic chemical-vapour deposition are investigated. An abnormal P-type conduction is observed in our GaN-on-Si structure by Hall effect measurement, which is mainly due to the A1 atom diffusing into the Si substrate and acting as an acceptor dopant. Meanwhile, a constant n-type conduction channel is observed in LT-A1N, which causes a conduction-type conversion at low temperature （50 K） and may further influence the electrical behavior of this structure.

关键词： metal-organic chemical-vapour deposition GaN-on-Si electrical behavior low-temperature A1Ninterlayers

Si and Mg pair-doped interlayers for improving performance of AlGaN/GaN heterostructure field effect transistors grown on Si substrate

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Chinese Physics B 2015年第5期24卷 529-534页

作者：倪毅强贺致远姚尧杨帆周德秋周桂林沈震钟健郑越张佰君刘扬 School of Physics and Engineering State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and TechnologiesSun Yat-Sen University

We report a novel structure of A1GaN/GaN heterostructure field effect transistors （HFETs） with a Si and Mg pair- doped interlayer grown on Si substrate. By optimizing the doping concentrations of the pair-doped interlayers, the mobility of 2DEG increases by twice for the conventional structure under 5 K due to the improved crystalline quality of the conduction channel. The proposed HFET shows a four orders lower off-state leakage current, resulting in a much higher on/off ratio （ - 10^9）. Further temperature-dependent performance of Schottky diodes revealed that the inhibition of shallow surface traps in proposed HFETs should be the main reason for the suppression of leakage current.

关键词： heterostructure field effect transistor (HFET) GaN on Si interlayers high on/off ratio

表面态对AlGaN／GaN异质结构2DEG影响的模拟分析

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中国科技论文 2014年第10期9卷 1206-1208页

作者：杨帆林哲雄张炜张金城王硕贺致远倪毅强刘扬中山大学物理科学与工程技术学院光电材料与技术国家重点实验室广州510275

利用模拟软件研究施主表面态特性与AlGaN/GaN异质结构中二维电子气(2dimensional electron gas,2DEG)形成之间的关系,分析施主表面态电离过程以及表面态能级位置、表面态密度的影响。结果表明:施主表面态为2DEG的电子来源;AlGaN能带分布... 详细信息

利用模拟软件研究施主表面态特性与AlGaN/GaN异质结构中二维电子气(2dimensional electron gas,2DEG)形成之间的关系,分析施主表面态电离过程以及表面态能级位置、表面态密度的影响。结果表明:施主表面态为2DEG的电子来源;AlGaN能带分布及2DEG密度随AlGaN厚度、施主表面态能级位置、施主表面态密度的改变而改变。

关键词：半导体物理学施主表面态 AlGaN厚度表面态电离模拟

Influence of dry-etching damage on the electrical properties of an AlGaN/GaN Schottky barrier diode with recessed anode

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Chinese Physics B 2015年第9期24卷 479-483页

作者：钟健姚尧郑越杨帆倪毅强贺致远沈震周桂林周德秋吴志盛张伯君刘扬 School of Physics and Engineering Institute of Power Electronics and Control TechnologySun Yat-Sen University State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies Sun Yat-Sen University

The influences of dry-etching damage on the electrical properties of an AlGaN/GaN Schottky barrier diode with ICPrecessed anode was investigated for the first time. It was found that the turn-on voltage is decreased with the increase of dry-etching power. Furthermore, the leakage currents in the reverse bias region above pinch-off voltage rise as radio frequency（RF） power increases, while below pinch-off voltage, leakage currents tend to be independent of RF *** on detailed current–voltage–temperature（I–V –T） measurements, the barrier height of thermionic-field emission（TFE） from GaN is lowered as RF power increases, which results in early conduction. The increase of leakage current can be explained by Frenkel–Poole（FP） emission that higher dry-etching damage in the sidewall leads to the higher tunneling current, while below pinch-off voltage, the leakage is only related to the AlGaN surface, which is independent of RF power.

关键词： AlGaN/GaN Schottky barrier diodes recessed anode etching damage tunneling

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LED控制装置可靠性的温度影响因子研究

照明工程学报 2016年第5期27卷 122-126页

作者：王深贺致远徐华伟刘群兴赵浩之工业和信息化部电子第五研究所广东广州510610

本文介绍了LED控制装置的元器件类型和失效率预计模型,根据LED控制装置在实际应用中的故障模式和关键元器件,结合可靠性试验和失效率预计思路,研究温度因子对元器件失效率的影响。

关键词： LED控制装置可靠性模型故障模式可靠性预计温度因子潜在缺陷

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缺陷表面氮化镓二次外延的分子动力学研究

湖北大学学报（自然科学版） 2018年第5期40卷 534-538页

作者：文于华贺致远田芃金佳鸿张梅汤莉莉湖南理工学院先进光学研究所湖南岳阳414006 湖南理工学院物理与电子学院湖南岳阳414006 工业和信息化部电子第五研究所广东广州510610 湖北大学知行学院湖北武汉430011

采用分子动力学方法研究含有表面缺陷的氮化镓材料的二次外延生长过程,探讨生长温度,表面缺陷数量和缺陷结构等对二次生长材料质量的影响.发现当在生长表面随机引入3.125%占比的空位缺陷且生长温度在1 373 K以上时,对材料质量的影响不明... 详细信息

采用分子动力学方法研究含有表面缺陷的氮化镓材料的二次外延生长过程,探讨生长温度,表面缺陷数量和缺陷结构等对二次生长材料质量的影响.发现当在生长表面随机引入3.125%占比的空位缺陷且生长温度在1 373 K以上时,对材料质量的影响不明显;当随机引入12.5%占比的空位缺陷时,可以改善二次生长材料的质量;当在生长表面上引入12.5%占比的2个六边形结构空位缺陷时,缺陷区域出现大量原子的岛状生长,同时原子排列变得无序,二次生长的材料生长质量明显劣化.

关键词：氮化镓分子动力学二次外延缺陷