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ZnTe(110)表面电子态及其弛豫对表面电子态的影响

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物理学报 1998年第6期47卷 970-977页

作者：马丙现贾瑜范希庆郑州大学物理工程学院

给出了ⅡⅥ族半导体化合物ＺｎＴｅ（１１０）表面电子特性的理论研究．考虑最近邻的ｓｐ３ｓ模型描述体态电子结构，使用散射理论方法，给出了理想和弛豫ＺｎＴｅ（１１０）表面的波矢分辨的电子态密度和表面投影带结构．结果表明... 详细信息

给出了ⅡⅥ族半导体化合物ＺｎＴｅ（１１０）表面电子特性的理论研究．考虑最近邻的ｓｐ３ｓ模型描述体态电子结构，使用散射理论方法，给出了理想和弛豫ＺｎＴｅ（１１０）表面的波矢分辨的电子态密度和表面投影带结构．结果表明：弛豫的ＺｎＴｅ（１１０）表面在带隙中没有表面态存在．在价带中的表面态及表面共振态和其他弛豫的ⅢⅤ族及ⅡⅥ族半导体的（１１０）表面具有相似的特征．与实验结果及第一性原理的自洽赝势计算结果相比。

关键词：碲化锌表面电子结构电子态弛豫

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Ni,Pd和Pt的表面应力

物理学报 1997年第10期46卷 1978-1983页

作者：范希庆万钧申三国郑州大学物理工程学院

半经验的修正嵌入原子方法用于Ｎｉ，Ｐｄ和Ｐｔ的低指数面的表面应力计算，得到了与第一原理计算相符合的结果．给出了（１１０）表面［１１０］方向的应力是［００１］方向应力的两倍左右；阐明了应力各向异性是所有ｆｃ金属（１１０... 详细信息

半经验的修正嵌入原子方法用于Ｎｉ，Ｐｄ和Ｐｔ的低指数面的表面应力计算，得到了与第一原理计算相符合的结果．给出了（１１０）表面［１１０］方向的应力是［００１］方向应力的两倍左右；阐明了应力各向异性是所有ｆｃ金属（１１０）面的一般特性．预言了Ｐｄ和Ｐｔ（１００）的表面应力的大小．

关键词：修正嵌入原子法表面应力镍铅铂

Cu表面弛豫和自扩散机制的修正嵌入原子法模拟

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物理学报 1997年第6期46卷 1161-1167页

作者：万钧申三国范希庆郑州大学物理工程学院河南省基础及应用科学研究所

利用角度修正的嵌入原子方法研究了Ｃｕ（１００），（１１０），（１１１）和（３１１）等８个面的弛豫，得到了与实验符合较好的结果．然后研究了Ｃｕ（１００）面上的自扩散机制，得到了与实验和局域密度近似计算相符合的结论．

关键词：铜表面驰豫扩散势垒自扩散机制嵌入原子法

散射理论方法应用于重构的β－SiC（100）表面

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物理学报 1996年第11期45卷 1875-1883页

作者：郭巧能范希庆张德萱马丙现郑州大学物理工程学院

用Ｐｏｌｍａｎｎ散射理论方法分别计算了理想的和（２×１）重构的βＳｉＣ（１００）表面带结构以及层和原子轨道态密度．结果表明，重构的主要影响发生在禁区内，重构的Ｓｉ和Ｃ截断表面都具有半导体性，并且得到的表面带与实验相符．

关键词：碳化硅单晶散射表面带结构态密度

石英中Al^（3＋）－空穴取向变化弛豫过程中的红外发散响应

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物理学报 1994年第2期43卷 332-339页

作者：刘砚章范希庆河南省基础和应用研究所郑州大学物理系

基于ａ石英的晶体结构，将红外发散响应模型和双势阱模型应用到含Ａｌ杂质的ａ石英中Ａｌ￣（３＋）－空穴的取向变化弛豫过程，研究其低温介电损耗特性，结果表明Ｔ＜６．５Ｋ时，介电损耗的主要贡献来自于单声子助隧道弛豫过程；Ｔ＞... 详细信息

基于ａ石英的晶体结构，将红外发散响应模型和双势阱模型应用到含Ａｌ杂质的ａ石英中Ａｌ￣（３＋）－空穴的取向变化弛豫过程，研究其低温介电损耗特性，结果表明Ｔ＜６．５Ｋ时，介电损耗的主要贡献来自于单声子助隧道弛豫过程；Ｔ＞１０Ｋ时，主要贡献来自于热跃迁弛豫过程；而在中间温区，介电损耗是两种过程的迭加，同一弛豫体不同的弛豫过程对应于不同的红外发散响应，还讨论了同一弛豫体引起的超声弛豫损耗。

关键词：石英铝弛豫红外发散响应

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KCl:OH中结构弛豫的红外发散响应

物理学报 1990年第3期39卷 424-428页

作者：刘砚章范希庆郑州大学物理系郑州450052

本文将红外发散响应理论应用到晶态KCl:OH中OH^-的取向变化弛豫过程,研究KCl:OH的低温超声吸收特性。结果表明T>4.5K时,超声吸收的主要贡献来自于热激活弛豫过程;T<4.5K时,超声吸收是热激活弛豫过程和隧道弛豫过程贡献的迭加。

关键词： KCl:OH 发散弛豫结构晶体红外

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Si中B-空位复合缺陷的电子结构

物理学报 1991年第4期40卷 616-624页

作者：申三国范希庆郑州大学物理系郑州450052

本文对Si中B-空位(BV)缺陷的电子结构,提出一个“五个空杂化轨道”的简化理论模型。用紧束缚的Koster-Slater格林函数方法,算得的空位最近邻原子的超精细相互作用常数,以及电子波函数在远离空位的几率分布都同电子-核子双共振实验结果... 详细信息

本文对Si中B-空位(BV)缺陷的电子结构,提出一个“五个空杂化轨道”的简化理论模型。用紧束缚的Koster-Slater格林函数方法,算得的空位最近邻原子的超精细相互作用常数,以及电子波函数在远离空位的几率分布都同电子-核子双共振实验结果相符合。理论确定的深能级位置同深能级瞬态谱的实验值相比拟。协调了现有BV°缺陷的实验资料,支持了B原子位于空位的次近邻,BV°缺陷处于B^-V^+电荷态的结论。

关键词： Si BV缺陷电子结构能级

硅中Jahn-Teller畸变的磷-空位复合缺陷的电子结构

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物理学报 1990年第10期39卷 1653-1660页

作者：申三国范希庆郑州大学物理系郑州450052

本文采用扩展的缺陷势,利用一个紧束缚的Koster-Slater格林函数方法,确定了磷-空位缺陷的波函数为深能级E的函数,以深能级的实验值为输入参数,得到的波函数定量地描述了EPR和ENDOR实验资料,特别是,理论给出空位的四个近邻原子上的超精... 详细信息

本文采用扩展的缺陷势,利用一个紧束缚的Koster-Slater格林函数方法,确定了磷-空位缺陷的波函数为深能级E的函数,以深能级的实验值为输入参数,得到的波函数定量地描述了EPR和ENDOR实验资料,特别是,理论给出空位的四个近邻原子上的超精细相互作用常数α和b,同实验符合得很好。

关键词：硅磷空位缺陷电子结构

硅中Jahn-Teller畸变的双空位超精细相互作用的理论计算

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物理学报 1989年第6期38卷 914-922页

作者：范希庆申三国张德萱郑州大学物理系

采用扩展的Koster-Slate模型,分别对硅中双空位的两种重要的Jahn-Teller畸变模,计算了缺陷电荷态V_2^+,v_2^-中未配对电子的超精细相互作用常数a和b,给出与实验符合得很好的结果.由此还定出与实验相符合的能级和对称态:v_2^+的未配对电... 详细信息

采用扩展的Koster-Slate模型,分别对硅中双空位的两种重要的Jahn-Teller畸变模,计算了缺陷电荷态V_2^+,v_2^-中未配对电子的超精细相互作用常数a和b,给出与实验符合得很好的结果.由此还定出与实验相符合的能级和对称态:v_2^+的未配对电子处于能级约为0.3eV的Ag对称态;而V_2^-的电子处于能级约为0.63eV的Bu态;EG1模可能是v_2^+和v_2^-的最优选的畸变.

关键词：固体理论硅中双空位 Jahn-Teller