CdTe(110)弛豫表面电子态的计算
CALCULATION OF ELECTRONIC STATES OF THE CdTe(110) RELAXED SURFACE作者机构：郑州大学物理工程学院
出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)
年 卷 期：1997年第46卷第10期
页 面：1999-2006页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0702[理学-物理学]
摘 要：利用形式散射理论，采用次近邻的紧束缚模型计算了ＣｄＴｅ（１１０）弛豫表面的电子结构，给出了总体、局域及分波态密度，并给出了表面能带．所得到的结果与实验和第一原理计算结果符合得很好．通过分析表面态的变化，指出表面发生弛豫的原因主要是阴阳离子的ｐ态电子的相互作用加强所致．
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