硅中Jahn-Teller畸变的双空位超精细相互作用的理论计算
THEORETICAL CALCULATIONS FOR HYPERFINE INTERACTIONS OF THE JAHN-TELLER DISTORTED DIVACANCY IN SILICON作者机构：郑州大学物理系
出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)
年 卷 期：1989年第38卷第6期
页 面：914-922页
核心收录：
学科分类：0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0702[理学-物理学]
主 题：固体理论 硅中双空位 Jahn-Teller
摘 要：采用扩展的Koster-Slate模型,分别对硅中双空位的两种重要的Jahn-Teller畸变模,计算了缺陷电荷态V_2^+,v_2^-中未配对电子的超精细相互作用常数a和b,给出与实验符合得很好的结果.由此还定出与实验相符合的能级和对称态:v_2^+的未配对电子处于能级约为0.3eV的Ag对称态;而V_2^-的电子处于能级约为0.63eV的Bu态;EG1模可能是v_2^+和v_2^-的最优选的畸变.
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