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硅中Jahn-Teller畸变的双空位超精细相互作用的理论计算

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物理学报 1989年第6期38卷 914-922页

作者：范希庆申三国张德萱郑州大学物理系

采用扩展的Koster-Slate模型,分别对硅中双空位的两种重要的Jahn-Teller畸变模,计算了缺陷电荷态V_2^+,v_2^-中未配对电子的超精细相互作用常数a和b,给出与实验符合得很好的结果.由此还定出与实验相符合的能级和对称态:v_2^+的未配对电... 详细信息

采用扩展的Koster-Slate模型,分别对硅中双空位的两种重要的Jahn-Teller畸变模,计算了缺陷电荷态V_2^+,v_2^-中未配对电子的超精细相互作用常数a和b,给出与实验符合得很好的结果.由此还定出与实验相符合的能级和对称态:v_2^+的未配对电子处于能级约为0.3eV的Ag对称态;而V_2^-的电子处于能级约为0.63eV的Bu态;EG1模可能是v_2^+和v_2^-的最优选的畸变.

关键词：固体理论硅中双空位 Jahn-Teller

ZnS(110)表面原子几何与电子特性的计算

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物理学报 1998年第11期47卷 1879-1884页

作者：申三国贾瑜马丙现范希庆郑州大学物理工程学院

用总能量最小方法，确定了ＺｎＳ（１１０）表面的原子几何结构，得到与弹性低能电子衍射实验相符的结果．利用格林函数的散射理论方法，计算了ＺｎＳ（１１０）表面的电子结构，与第一性原理的计算结果进行了比较．讨论了晶格弛豫对表... 详细信息

用总能量最小方法，确定了ＺｎＳ（１１０）表面的原子几何结构，得到与弹性低能电子衍射实验相符的结果．利用格林函数的散射理论方法，计算了ＺｎＳ（１１０）表面的电子结构，与第一性原理的计算结果进行了比较．讨论了晶格弛豫对表面电子特性的影响．

关键词：半导体硫化锌 (110)表面原子几何结构

Al表面的多层弛豫——修正嵌入原子势的应用

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物理学报 1997年第11期46卷 2198-2205页

作者：申三国万钧范希庆郑州大学物理工程学院

利用修正的嵌入原子方法计算了Ａｌ低指数面（１００），（１１０），（１１１）和高指数面（２１０），（２１１），（３１０），（３１１），（３３１）的多层弛豫，所得到的结果都与实验及第一原理计算结果符合得很好．尤其是这种半... 详细信息

利用修正的嵌入原子方法计算了Ａｌ低指数面（１００），（１１０），（１１１）和高指数面（２１０），（２１１），（３１０），（３１１），（３３１）的多层弛豫，所得到的结果都与实验及第一原理计算结果符合得很好．尤其是这种半经验方法给出了与实验结果相符的Ａｌ（１００）和（１１１）表面最外层向外膨胀的理论结果，并提出这种膨胀主要是由于最外层与第二层的键中ｓ态电子增加而ｐ态电子减少引起的．

关键词：金属处理 EAM 铝表面多层弛豫

ZnSe/GaAs(100)界面电子结构的计算

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物理学报 1998年第10期47卷 1704-1712页

作者：杨仕娥马丙现贾瑜申三国范希庆郑州大学材料物理重点实验室

利用形式散射理论的格林函数方法，采用紧束缚最近邻近似下的ｓｐ３ｓ模型，计算了ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ（１００）两类界面（Ｓｅ／Ｇａ和Ａｓ／Ｚｎ界面）的电子结构．分别给出了两类界面的界面带结构和波矢分辨的层态密度及其分波态... 详细信息

利用形式散射理论的格林函数方法，采用紧束缚最近邻近似下的ｓｐ３ｓ模型，计算了ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ（１００）两类界面（Ｓｅ／Ｇａ和Ａｓ／Ｚｎ界面）的电子结构．分别给出了两类界面的界面带结构和波矢分辨的层态密度及其分波态密度．计算结构表明，在ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ（１００）两类界面的禁带隙中均无界面态，而在其价带区均存在三条束缚的界面带和四条半共振带；通过比较，分析了两类界面的界面态特征及其来源．

关键词：散射理论密度砷化镓硒化镓界面电子结构

硅中三空位V_3^-的超精细相互作用的理论计算

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物理学报 1989年第6期38卷 907-913页

作者：范希庆申三国张德萱任尚元郑州大学物理系中国科学技术大学物理系

利用Koster-Slater的格林函数方法,计算了硅中三空位v_3^- 的电子态能级和波函数.结果表明,v_X^-在禁带中有五条能级:E_A_2=0.417eV,E_B_1=0.492eV,E凡一0·512ev,民一O.532eV,EB_2~2=0.608eV.根据算得的超精细相互作用常数同实验值的比较,定出v_3^-处于B_1态.V_3^-的B_1态点据第1壳层的几率为60.2％,但主要集中在三空位所确定的平面内的二个原子上.

关键词：硅中三空位V3^- 原子位置理论计算

硅中四空位扩展的Koster-Slater模型

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物理学报 1990年第6期39卷 970-976页

作者：申三国范希庆张德萱任尚元郑州大学物理系郑州450052 中国科学技术大学物理系合肥230026

本文用扩展的Koster-Slater模型计算了硅中V_4^-未配对电子的对称化波函数,用算得的波函数计算了缺陷电子局域在最近邻每个原子上的η~2及其s特征α~2,和超精细相互作用常数,确定V_4^-处于深能级为0.78eV的A_1对称态,给出与现有实验值... 详细信息

本文用扩展的Koster-Slater模型计算了硅中V_4^-未配对电子的对称化波函数,用算得的波函数计算了缺陷电子局域在最近邻每个原子上的η~2及其s特征α~2,和超精细相互作用常数,确定V_4^-处于深能级为0.78eV的A_1对称态,给出与现有实验值相符合的结果。并指出,V_4^-的单个悬挂键上的η~2比其它具有单个悬挂键的缺陷小,是由于V_4^-的势分布向一侧有较大偏重所致。

关键词：硅空位扩展缺陷势空位模型