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DFB半导体激光器中增益耦合型光栅结构的优化

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光通信研究 2018年第3期 28-31页

作者：李嘉恒余建国陈远祥李依桐王任凡罗飚北京邮电大学电子工程学院北京100876 武汉电信器件有限公司武汉430074

分布反馈（DFB）半导体激光器具有结构简单、频谱稳定等优点,在光通信领域具有十分广泛的应用。DFB激光器在大电流条件下容易产生空间烧孔效应,会导致单模特性不稳定。为了抑制空间烧孔效应,文章采用三相移以及节距调节（CPM）与分布耦... 详细信息

分布反馈（DFB）半导体激光器具有结构简单、频谱稳定等优点,在光通信领域具有十分广泛的应用。DFB激光器在大电流条件下容易产生空间烧孔效应,会导致单模特性不稳定。为了抑制空间烧孔效应,文章采用三相移以及节距调节（CPM）与分布耦合系数（DCC）相结合的CPM-DCC光栅结构对增益耦合系数进行优化。一方面从理论上进行分析,推导出了增益耦合系数的最优值;另一方面从仿真和实验上验证了理论的正确性。结果表明,DFB激光器的阈值电流约为11 mA,边模抑制比达到41dB,显著抑制了空间烧孔效应,极大地提高了激光器阵列的线性指标。

关键词：烧孔效应增益耦合 CPM-DCC光栅结构

10Gbit/s 1310nm AlGaInAs/InP应变多量子阱DFB激光器

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10Gbit/s 1310nm AlGaInAs/InP应变多量子阱DFB激光器

用LP-MOCVD对InGaAs(P)/InP材料的工艺研究

全国第十一次光纤通信暨第十二届集成光学学术会议（OFCIO’2003）

作者：王任凡沈坤阳红涛岳爱文郑林陈晓莉武汉电信器件公司

本文报道了采用AlGaInAs/InP材料体系制作10Gbit/s直接调制应变多量子阱DFB激光器。采用的是沟道聚酰亚胺填充倒台脊形波导结构,该激光器在室温下(25℃)阈值电流为8mA,斜率效率达到40%以上,边模抑制比大于35 dB,截止带宽(3dB)大于10GHz... 详细信息

本文报道了采用AlGaInAs/InP材料体系制作10Gbit/s直接调制应变多量子阱DFB激光器。采用的是沟道聚酰亚胺填充倒台脊形波导结构,该激光器在室温下(25℃)阈值电流为8mA,斜率效率达到40%以上,边模抑制比大于35 dB,截止带宽(3dB)大于10GHz,并可在-10℃-85℃工作。

关键词： 10Gbit/s AlGaInAs/InP DFB激光器聚酰亚胺填充倒台脊形波导

来源： cnki会议评论

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光通信研究 1995年第4期 57-60页

作者：刘涛李同宁金锦炎李云樵刘自力王任凡沈坤武汉电信器件公司

我们用AIXTRON生产的LP-MOCVD系统进行了InGaAs(P)/InP材料的生长研究,用X-ray双晶衍射仪、PL光荧光光谱仪、α-台阶仪及C-V仪等分析手段,研究生长工艺对材料特性的影响,取得了很好的结果。目前,我们已掌握一套MOCVD生长材料的标准参数... 详细信息

我们用AIXTRON生产的LP-MOCVD系统进行了InGaAs(P)/InP材料的生长研究,用X-ray双晶衍射仪、PL光荧光光谱仪、α-台阶仪及C-V仪等分析手段,研究生长工艺对材料特性的影响,取得了很好的结果。目前,我们已掌握一套MOCVD生长材料的标准参数,利用这些参数生长了1.31μm体材料激光器和量子阱激光器结构,阈值电流密度J_(th)分别为1、1 kA/cm^2和1.0 kA/cm^2。

关键词： LP-MOCVD 量子阱超晶格生长磷化铟 INgAs

ICP刻蚀优化及在多波长分布反馈式激光器阵列中的应用

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激光与光电子学进展 2017年第3期54卷 194-199页

作者：饶岚忻向军李灯熬王任凡胡海北京邮电大学电子工程学院北京100876 太原理工大学信息工程学院山西太原030024 武汉电信器件有限公司湖北武汉430074 深圳清华大学研究院广东深圳518000

研究了CH_4/H_2/Cl_2感应耦合等离子体刻蚀技术中的关键工艺参数对刻蚀性能的影响。通过对CH_4/H_2/Cl_2气体流量及流量比的优化,在自行设计的InP/InGaAlAs多量子阱结构的外延片上,实现了一种高速低损耗、形貌良好的Bragg光栅制作方法... 详细信息

研究了CH_4/H_2/Cl_2感应耦合等离子体刻蚀技术中的关键工艺参数对刻蚀性能的影响。通过对CH_4/H_2/Cl_2气体流量及流量比的优化,在自行设计的InP/InGaAlAs多量子阱结构的外延片上,实现了一种高速低损耗、形貌良好的Bragg光栅制作方法。基于优化后的工艺参数制作了多周期结构的λ/4相移光栅,实现了单片集成的四波长1.3μm分布反馈式激光器阵列。该激光器阵列中激光器的阈值电流典型值为11mA,外微分效率可达0.40 W/A,且实现了边摸抑制比大于46dB的稳定的单纵模激光输出。研究结果表明优化后的ICP光栅刻蚀工艺具有良好的刻蚀精度和可靠性。

关键词：激光器分布反馈式激光器阵列感应耦合等离子体刻蚀 InP/InGaAlAs 片上集成

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1.3μm高速直调半导体激光器

光学学报 2022年第16期42卷 153-159页

作者：夏施君许博蕊徐鹏飞包帅王任凡朱尧李伟祝宁华中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室北京100083 中国科学院大学材料科学与光电技术学院北京100049 中国科学院大学电子电气与通信工程学院北京100049 江苏华兴激光科技股份有限公司江苏徐州221300 武汉敏芯半导体股份有限公司湖北武汉430223

设计一种基于AlGaInAs材料的1.3μm高速直调半导体激光器,该激光器采用脊波导、长度较短的腔和11个5 nm厚度的多量子阱结合30 nm厚度的缓变折射率分别限制异质结结构(GRIN-SCH),实现了低阈值、宽带宽和较大功率的光输出。采用均匀光栅... 详细信息

设计一种基于AlGaInAs材料的1.3μm高速直调半导体激光器,该激光器采用脊波导、长度较短的腔和11个5 nm厚度的多量子阱结合30 nm厚度的缓变折射率分别限制异质结结构(GRIN-SCH),实现了低阈值、宽带宽和较大功率的光输出。采用均匀光栅和不对称腔面镀膜的方式实现了稳定的单纵模输出。最终制得的1.3μm高速直调半导体激光器,在室温下,阈值电流为7.5 mA,3 dB小信号调制带宽可达25 GHz,大信号背靠背传输速率可达40 Gb/s,斜率效率为0.35 mW/mA,最大输出功率约为39 mW,边模抑制比可达40 dB。

关键词：激光器 1.3μm直调激光器宽带宽大功率低阈值

High Slope Efficiency and High Power 850nm Oxide-Confined Vertical Cavity Surface Emitting Lasers

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Journal of Semiconductors 2003年第7期24卷 693-696页

作者：岳爱文张伟詹敦平王任凡沈坤石兢武汉电信器件公司武汉430074 武汉大学物理系武汉430072

High slope efficiency and high power selected oxide-confined 850nm VCSELs grown by MOCVD are *** slope efficiency and the threshold current respectively are 0 82mW/mA and 2 59mA with a 9μm diameter oxidation aperture at 25℃.The maximum power of 16mW is obtained at 23mA current *** minimum threshold current can be as low as 570μA with a 5μm diameter oxidation aperture at 25℃.The maximum saturated power is 5 5mW.

关键词： GaAs vertical cavity surface emitting lasers semiconductor lasers

Fabrication of a 10 Gb/s InGaAs/InP Avalanche Photodiode with an AlGaInAs/InP Distributed Bragg Reflector

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Chinese Physics Letters 2013年第3期30卷 186-189页

作者： YUE Ai-Wen WANG Ren-Fan XIONG Bing SHI Jing Wuhan Telecommunication Devices Co.LTD Wuhan 430074 Tsinghua National Laboratory for Information Science and Technology Department of Electronic EngineeringTsinghua UniversityBeijing 100084 Key Lab of Acoustic and Photonic Material and Device of Ministry of Education Wuhan UniversityWuhan 430072

A new planar InGaAs/InP avalanche photodiode(APD)is proposed and fabricated,which incorporates a high reflective AlGaInAs/InP distributed Bragg reflector(DBR)to improve its *** fabricated APD exhibits a low dark current of less than 3 nA at M=10 and high responsivity of 0.92 A/W at M=*** gain bandwidth product of the device is above 80 *** APD receiver exhibits a sensitivity of over-26 dBm at BER=10^-(12),which is sufficient for 10 Gb/s communication systems.

关键词： InGaAs/InP Gb/s reflective

1.55μmInGaAsP/InP部份增益耦合分布反馈式激光器/电吸收调制器集成器件

维普期刊数据库评论

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Journal of Semiconductors 1998年第7期19卷 557-560页

作者：罗毅文国鹏孙长征李同宁杨新民王任凡王彩玲金锦炎集成光电子学国家重点联合实验室清华大学电子工程系武汉电信器件公司

本文首次报道一种结构简单的１．５５μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ部份增益耦合ＤＦＢ激光器与电吸收调制器的单片集成器件．该器件采用脊波导进行横模限制，阈值电流范围为３０～６０ｍＡ，典型边模抑制比大于４０ｄＢ，反向偏压３Ｖ时... 详细信息

本文首次报道一种结构简单的１．５５μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ部份增益耦合ＤＦＢ激光器与电吸收调制器的单片集成器件．该器件采用脊波导进行横模限制，阈值电流范围为３０～６０ｍＡ，典型边模抑制比大于４０ｄＢ，反向偏压３Ｖ时的消光比为１１ｄＢ．

关键词：光通信半导体激光器集成器件 EA调制器

磷酸钾镁水泥基涂料浆体抗氯化钠溶液侵蚀能力的研究

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建筑材料学报 2024年

作者：吕寅李涛唐磊任凡凡南通理工学院土木工程学院三江学院土木工程学院中通服咨询设计研究院有限公司

测试了磷酸钾镁水泥（MKPC）基涂料浆体试件经3.5%氯化钠（NaCl）溶液和水长期浸泡后，强度、吸水率、物相组成以及微结构的变化。经NaCl溶液中浸泡540d后，MKPC基涂料浆体试件的抗折和抗压强度剩余率明显高于经水浸泡的试件（其中，未... 详细信息

测试了磷酸钾镁水泥（MKPC）基涂料浆体试件经3.5%氯化钠（NaCl）溶液和水长期浸泡后，强度、吸水率、物相组成以及微结构的变化。经NaCl溶液中浸泡540d后，MKPC基涂料浆体试件的抗折和抗压强度剩余率明显高于经水浸泡的试件（其中，未改性MKPC涂料浆体试件M0为89.5%和83.7%，而经微硅灰和水玻璃改性的MKPC基涂料浆体试件M2 为115.7%和98.1%）。实验表明，排除了水腐蚀的因素后，NaCl溶液对MKPC硬化体有增强作用，且水玻璃和微硅灰的改性能够改善MKPC硬化体对于NaCl溶液的抗侵蚀性能。同时，在水和NaCl溶液中浸泡540 d后时，M2试件的吸水率分别增长51.5%和16.9%，明显低于同条件浸泡的M0试件（分别增长73.0%和30.6%）。这进一步说明了水玻璃和微硅灰对MKPC基涂料浆体的改性效果。NaCl溶液和水的长期浸泡会造成MKPC基涂料浆体孔结构劣化，但M2试件的孔结构劣化程度较M0明显减轻，且NaCl溶液浸泡后的MKPC基涂料浆体孔结构劣化程度比在水中浸泡后的劣化程度轻。

关键词：磷酸镁钾水泥(MKPC)基涂料浆体水玻璃微硅灰溶液浸泡强度吸水率