1.3μm高速直调半导体激光器

作     者：夏施君 许博蕊 徐鹏飞 包帅 王任凡 朱尧 李伟 祝宁华 Xia Shijun;Xu Borui;Xu Pengfei;Bao Shuai;Wang Renfan;Zhu Yao;Li Wei;Zhu Ninghua

作者机构：中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室北京100083 中国科学院大学材料科学与光电技术学院北京100049 中国科学院大学电子电气与通信工程学院北京100049 江苏华兴激光科技股份有限公司江苏徐州221300 武汉敏芯半导体股份有限公司湖北武汉430223 

出 版 物：《光学学报》 (Acta Optica Sinica)

年 卷 期：2022年第42卷第16期

页      面：153-159页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 07[理学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 0806[工学-冶金工程] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0702[理学-物理学] 

基　　金：国家重点研发计划(2018YFB2201101,2018YFE0201000) 国家自然科学基金(E0FY310001) 中国科学院战略性先导科技专项B类(XDB43000000) 

主　　题：激光器 1.3μm直调激光器 宽带宽 大功率 低阈值 

摘      要：设计一种基于AlGaInAs材料的1.3μm高速直调半导体激光器,该激光器采用脊波导、长度较短的腔和11个5 nm厚度的多量子阱结合30 nm厚度的缓变折射率分别限制异质结结构(GRIN-SCH),实现了低阈值、宽带宽和较大功率的光输出。采用均匀光栅和不对称腔面镀膜的方式实现了稳定的单纵模输出。最终制得的1.3μm高速直调半导体激光器,在室温下,阈值电流为7.5 mA,3 dB小信号调制带宽可达25 GHz,大信号背靠背传输速率可达40 Gb/s,斜率效率为0.35 mW/mA,最大输出功率约为39 mW,边模抑制比可达40 dB。