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1.3μm量子阱LD的工艺研究和特性分析

作     者:金锦炎 李同宁 刘涛 李云樵 王任凡 刘自力 

作者机构:武汉电信器件公司 

出 版 物:《光通信研究》 (Study on Optical Communications)

年 卷 期:1995年第2期

页      面:53-54页

学科分类:08[工学] 0803[工学-光学工程] 

主  题:量子阱LD 激光器 工艺 半导体激光器件 

摘      要:1.3μm量子阱LD的工艺研究和特性分析金锦炎,李同宁,刘涛,李云樵,王任凡,刘自力(武汉电信器件公司)1引言1.3μm波长激光器作为光通信光源,正由有致冷向无致冷转化。量子阱激光器阈值电流低、温度特性好,因此是无致冷激光器的最佳选择[1~2]。我们...

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