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共面波导型行波电光调制器的设计和数值分析

南京大学学报（自然科学版） 2000年第4期36卷 455-461页

作者：黄暘杨森祖南京大学电子科学与工程系江苏南京210093

提出一种新颖的、速度匹配的共面波导型电光调制器设计 .采用窄地电极、加盖屏蔽层的设计获得了较好效果 .针对复杂边界形状和多层介质交界面 ,在计算设计参数时作了改进 ,如引入张量计算 ,使用吸收边界条件 (ABC) ,采用动态场域分割及... 详细信息

提出一种新颖的、速度匹配的共面波导型电光调制器设计 .采用窄地电极、加盖屏蔽层的设计获得了较好效果 .针对复杂边界形状和多层介质交界面 ,在计算设计参数时作了改进 ,如引入张量计算 ,使用吸收边界条件 (ABC) ,采用动态场域分割及带状矩阵存储等 ,显著提高了有限元方法 (FEM )解准静电磁场问题的计算效率和精度 .并对前人的设计进行了计算 ,结果与之相近 ,表明数值计算的合理性 .利用此计算方法 ,对 1.55μm的波长和LiNbO3衬底进行了参数优化 ,实现了光波与微波传播速度的匹配 ,同时给出关于有效折射率和特征阻抗的详细图示 .

关键词：电光调制器共面波导型行波电极有限元方法

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一种高温超导YBaCuO薄膜图形形成方法

低温物理学报 1993年第3期15卷 234-239页

作者：戴建国李元康琳杨森祖南京大学信息物理系南京大学信息物理系南京 210008

本文提出了一种高温超导薄膜图形形成的方法。该方法融多层光刻工艺和Ar;铣技术于一体,用该方法刻蚀出的高T;YBaCuO薄膜图形的T;、J;与刻蚀前薄膜的T;、J;相比,无明显下降。实验中使用的YBaCuO薄膜是在ZrO;（100）基片上采用对靶偏轴DC... 详细信息

本文提出了一种高温超导薄膜图形形成的方法。该方法融多层光刻工艺和Ar;铣技术于一体,用该方法刻蚀出的高T;YBaCuO薄膜图形的T;、J;与刻蚀前薄膜的T;、J;相比,无明显下降。实验中使用的YBaCuO薄膜是在ZrO;（100）基片上采用对靶偏轴DC磁控溅射原位生长得到的。作为尝试,用该方法成功地制备出YBaCuO Josephson薄膜微桥结。结的T;为86K。在液氮温度下,经36.5GHz、90GHz微波辐照分别观察到清晰的多个微波感应台阶。结的临界电流和正常态电阻的乘积I;R为1.5mV左右。

关键词： YBaCuO 刻蚀蚀刻水蚀光刻胶光致抗蚀剂辅料形成方法高温超导

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SIS结准粒子参量放大器的性能分析

低温物理学报 1992年第2期14卷 136-144页

作者：周家槐吴培亨杨森祖 210008 南京大学信息物理系南京大学信息物理系南京

应用 Tucker 的量子混频理论详细分析了 SIS 结准粒子反射型双简并参量放大器的带宽及噪声性能,并用所得公式对放大器的性能进行了计算机模拟,得到了放大器有增益、低噪声的工作区域,其结果对实际参放实验工作有一定的参考价值.

关键词：参量放大器反射型线路放大器 SIS 性能分析准粒子电子能态

高Tc超导薄膜和电子器件的最新进展──第五届未来电子器件国际讨论会简讯

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物理 1989年第4期 247-249页

作者：崔广霁杨森祖北京大学物理系南京大学信息物理系

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DC与AC激励超导隧道结阵发性混沌研究

低温物理学报 1998年第4期20卷 65-71页

作者：徐慧芬王华兵杨森祖南京大学电子科学与工程系

本文利用全电流超导隧道结电子模拟器研究了ｄｃ与ａｃ电流激励下超导隧道结阵发性混沌．在固定外加ａｃ激励信号频率、幅度和滞后参数的条件下，改变ｄｃ偏置，用示波器显示了周期解，次谐波解与混沌解时的相空间轨迹（φ～ｃｏｓφ）... 详细信息

本文利用全电流超导隧道结电子模拟器研究了ｄｃ与ａｃ电流激励下超导隧道结阵发性混沌．在固定外加ａｃ激励信号频率、幅度和滞后参数的条件下，改变ｄｃ偏置，用示波器显示了周期解，次谐波解与混沌解时的相空间轨迹（φ～ｃｏｓφ）以及对应的结两端电压的瞬时波形图（φ～ｔ）．初步阐述了阵发性混沌的性质及通向这一模式的道路．

关键词：阵发性混沌次谐波混沌解相空间轨迹周期解 DC AC 超导隧道结

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超导YBCO薄膜器件的红外再流焊引线尝试

低温与超导 1995年第2期23卷 43-48页

作者：戴建国凌一鸣李元杨森祖东南大学电子工程系南京大学电子科学与工程系

高温超导器件的微组装研究是当今国际上高温超导研究的方向之一。我们在ＹＢＣＯ薄膜器件的红外再流焊引线方面作了一些尝试，该文重点介绍有关实验尝试的工艺方法和初步结果。

关键词：超导薄膜器件表面组装红外再流焊引线

硅衬底上YBa_2Cu_3O_(7-δ)超导薄膜的制备

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低温与超导 1991年第2期19卷 22-26页

作者：张若剑杨森祖张世远张鸿才南京大学信息物理系南京大学物理系

叙述了采用DC磁控溅射方法直接在Si衬底上制备YBa_2Cu_3O_(7-δ)(YBCO)超导薄膜的过程;讨论了衬底温度、薄膜厚度和后处理工艺等因素的影响;研究了Si与YBCO膜之间互相扩散的情况。溅射时衬底温度630℃,后在480～500℃进行原位等离子体氧... 详细信息

叙述了采用DC磁控溅射方法直接在Si衬底上制备YBa_2Cu_3O_(7-δ)(YBCO)超导薄膜的过程;讨论了衬底温度、薄膜厚度和后处理工艺等因素的影响;研究了Si与YBCO膜之间互相扩散的情况。溅射时衬底温度630℃,后在480～500℃进行原位等离子体氧化,再缓慢降温至200℃。在Si(100)和Si(111)上得到的YBCO膜,其零电阻温度分别为63K和64K。

关键词：超导薄膜制备硅衬底化合物

Josephson结与谐振腔耦合的数值研究

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南京大学学报（自然科学版） 1998年第1期34卷 57-63页

作者：单文磊王芄钱珉杨森祖南京大学电子科学与工程系微结构科学技术高等研究中心

根据谐振腔与Ｊｏｓｅｐｈｓｏｎ结耦合结构的等效电路模型，用数值计算方法研究了结与谐振腔互作用时的Ｊｏｓｅｐｈｓｏｎ效应，得出了腔感应电流台阶高度与谐振电路的品质因素Ｑ值之间的关系；在外加微波辐照下，发现Ｓｈａｐｉｒｏ... 详细信息

根据谐振腔与Ｊｏｓｅｐｈｓｏｎ结耦合结构的等效电路模型，用数值计算方法研究了结与谐振腔互作用时的Ｊｏｓｅｐｈｓｏｎ效应，得出了腔感应电流台阶高度与谐振电路的品质因素Ｑ值之间的关系；在外加微波辐照下，发现Ｓｈａｐｉｒｏ台阶高度随微波功率的变化规律也有变化，并计算了损耗电阻ＲＬ对耦合结构Ｓｈａｐｉｒｏ台阶高度随微波功率变化关系的影响．基于以上关系，我们提出了利用腔结耦合测量超导薄膜表面电阻的初步设想．

关键词： Josephson结谐振腔耦合 Shapiro台阶超导体

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SIS结参量放大器的模拟器研究

科学通报 1992年第9期37卷 857-859页

作者：周家槐徐慧芬杨森祖吴培亨南京大学信息物理系南京210008

在超导体-绝缘体-超导体(SIS)式的隧道结中,准粒子隧道电流的电抗部分Rej_1在能隙以下随电压的增大急剧地上升,而其电阻部分Imj_1却保持为零。这样,SIS结便表现为一个理想无耗的纯电抗器件,可以用来制作参量放大器。

关键词： SIS结参量放大器模拟器隧道结