检索结果-南通市图书馆

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

铁电材料红外热释电系数测试研究

红外与激光工程 2006年第6期35卷 771-776页

作者：普朝光向兰昆明物理研究所昆明市生产力促进中心云南昆明650021

基于动态变温方法及间接热释电电流法的原理,设计并研制了一套已获专利授权的动态热释电系数测试系统。介绍了该系统的测量原理、设计方法及组成,用已知热释电系数值的锆钛酸铅(PZT)陶瓷及钽酸锂(LT)单晶作为参考样品对系统进行了调试,... 详细信息

基于动态变温方法及间接热释电电流法的原理,设计并研制了一套已获专利授权的动态热释电系数测试系统。介绍了该系统的测量原理、设计方法及组成,用已知热释电系数值的锆钛酸铅(PZT)陶瓷及钽酸锂(LT)单晶作为参考样品对系统进行了调试,并对PZT、聚二氟乙烯(PVDF)及钛酸锶钡(BST)等几种常见的铁电薄膜材料的热释电系数进行了测试。结果表明,热释电系数测试值与参考值吻合很好,而且该系统具有控温精度高(±0.002℃)、噪声低(≤14 nV)、测试动态范围大(1×10-11～1×10-4 ***-2.K-1)等优点,它不仅能满足传统热释电模式工作的PZT系列材料热释电系数的测试需要,还可用于测量热释电-介电模式工作的BST系列材料的热释电系数。文中所开发的动态法热释电系数测试系统完全可满足未来铁电材料在红外探测应用领域的研究要求。

关键词：非制冷红外铁电材料热释电系数测试

TGFB晶体在乙二醇－水混合溶剂中溶解度和过饱和度曲线的测定

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

人工晶体学报 1994年第3期23卷 219-222页

作者：鲍慈光杨宗璐普朝光云南大学化学系

测定了氟铍酸三甘肽（ＴＧＦＢ）晶体在０～３０ｗｔ－％的乙二醇，水混合溶剂中，温度区间为２５～５０℃的溶解度和过饱和度曲线，确定了生长亚稳区范围，拟合出了溶解度随温度、乙二醇浓度变化的经验方程式为Ｓ＝（１─０．８６７ｍ... 详细信息

测定了氟铍酸三甘肽（ＴＧＦＢ）晶体在０～３０ｗｔ－％的乙二醇，水混合溶剂中，温度区间为２５～５０℃的溶解度和过饱和度曲线，确定了生长亚稳区范围，拟合出了溶解度随温度、乙二醇浓度变化的经验方程式为Ｓ＝（１─０．８６７ｍ）×３．８２×１０￣（－１３）Ｔ￣（５．７６）─４０．０ｍ，并讨论了溶液的稳定性。以混合溶剂代替纯水作溶剂，拓宽了溶液的亚稳区，有望改善晶体生长条件，缩短生长周期。

关键词：热电晶体晶体生长溶解度 TGFB

TGFB晶体在甘油－水溶液中溶解度和过饱和度曲线的测定

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

云南大学学报（自然科学版） 1994年第1期16卷 48-51页

作者：杨宗璐鲍慈光普朝光云南大学化学系

测定了氟铍酸三甘肽晶体在０％～３８．７％的甘油－水混合溶剂中，温度区间为２５～５０℃的溶解度和过饱和度曲线，绘制出生长亚稳区图，拟合了溶解度随温度变化的经验方程，并对该晶体在甘油－水体系中的稳定性进行了讨论。

关键词：氟铍酸三甘肽甘油溶解度

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

TGFB晶体生长动力学及机理研究

人工晶体学报 1995年第2期24卷 141-145页

作者：杨宗璐鲍慈光普朝光云南大学化学系昆明物理研究所

用静态体现显微镜法测定了３１６．９６Ｋ时氟铍酸甘氨酸（简称ＴＧＦＢ）晶体在不同过饱和度（σ）的水溶液中（１１０）晶面的面生长速率（Ｒ），实验数据通过微机运算，用最小二乘法得出Ｒ与σ的函数关系，并由此估算出晶体生长过程... 详细信息

用静态体现显微镜法测定了３１６．９６Ｋ时氟铍酸甘氨酸（简称ＴＧＦＢ）晶体在不同过饱和度（σ）的水溶液中（１１０）晶面的面生长速率（Ｒ），实验数据通过微机运算，用最小二乘法得出Ｒ与σ的函数关系，并由此估算出晶体生长过程中脱溶、脱附，扩散、扭折等各步骤的活化自由能分别是５９．３２ｋＪ／ｍｏｌ、６０．８９ｋＪ／ｍｏｌ、４３．４９ｋＪ／ｍｏｌ、５０．５４ｋＪ／ｍｏｌ。结果表明，在低过饱和度下，ＴＧＦＢ晶体（１１０）晶面的生长机理较好地吻合ＢＣＦ理论的面扩散模型。

关键词：氟铍酸甘氨酸晶体晶体生长动力学

辉光放电质谱仪测定超纯锗中23种痕量杂质元素

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

质谱学报 1997年第4期18卷 67-70页

作者：普朝光肖绍泽张震昆明物理研究所昆明650223

本文报导了一种用辉光放电质谱仪VG9000在无标准样品的情况下对超纯半导体材料锗中23种痕量杂质元素的直接而快速的定量测定方法。该方法具有10ppt量级的检测极限，是鉴定起统金属或半导体材料纯度（8N）的理想手段。

关键词：辉光放电质谱仪痕量杂质锗半导体纯度

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

光波光学

用于非制冷热释电红外探测器的PZT铁电薄膜研究

作者： (1967-)普朝光 (1943-)李桂春

来源：南通市图书馆图书评论

学校读者我要写书评

暂无评论

无机材料学报 2006年第5期21卷 1223-1229页

作者：王忠华李振豪普朝光杨培志林猷慎昆明物理研究所昆明650223

采用溶胶-凝胶和射频磁控溅射相结合的方法制备了PZT铁电薄膜．用溶胶-凝胶法制备一层PZT薄膜作为籽晶层,在衬底PZT(seed layer)／Pt／Ti／SiO2／Si上用射频磁控溅射过量10％Pb的Pb(ZrxTi1-x)O3(x=0．3)陶瓷靶生长厚500nm的PZT铁电薄膜... 详细信息

采用溶胶-凝胶和射频磁控溅射相结合的方法制备了PZT铁电薄膜．用溶胶-凝胶法制备一层PZT薄膜作为籽晶层,在衬底PZT(seed layer)／Pt／Ti／SiO2／Si上用射频磁控溅射过量10％Pb的Pb(ZrxTi1-x)O3(x=0．3)陶瓷靶生长厚500nm的PZT铁电薄膜．采用在450℃预退火,575℃后退火的快速分级退火方法对PZT铁电薄膜进行热处理．PZT铁电薄膜获得了较好的热释电性能,热释电系数、介电常数、介电损耗和探测度优值因子分别为P=2．3×10-8C·cm-2·K-1,ε=500,tanδ=0．02,Fd=0．94×10-5Pa-0.5．

关键词：非制冷热释电红外探测器 PZT 籽晶层快速分级退火

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

快速退火对PZT铁电薄膜结构的影响

人工晶体学报 2006年第2期35卷 415-419页

作者：李振豪王忠华李琳普朝光杨培志昆明物理研究所昆明650223

采用射频磁控溅射方法在Pt/Ti/S iO2/S i衬底上制备出(PZT)铁电薄膜,在550℃、600℃、650℃、700℃几个温度下对薄膜进行了快速退火热处理,并在退火处理后用X射线衍射、原子力显微镜和热释电系数测试系统研究了PZT铁电薄膜的薄膜结构、... 详细信息

采用射频磁控溅射方法在Pt/Ti/S iO2/S i衬底上制备出(PZT)铁电薄膜,在550℃、600℃、650℃、700℃几个温度下对薄膜进行了快速退火热处理,并在退火处理后用X射线衍射、原子力显微镜和热释电系数测试系统研究了PZT铁电薄膜的薄膜结构、表面形貌及热释电性能。在650℃快速退火后,PZT铁电薄膜已经形成较好的钙钛矿相结构,并获得了较好的热释电性能,热释电系数达到1.5×***-2.k-1。

关键词：锆钛酸铅铁电薄膜快速退火 X射线衍射原子力显微镜

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

辉光放电质谱法测定高纯锑中的痕量杂质元素

质谱学报 2004年第2期25卷 96-99页

作者：荣百炼普朝光姬荣斌鲁燕杰昆明物理研究所云南昆明650223 云南通海大方科技公司云南通海652700

采用辉光放电质谱法 ( GDMS)对高纯半导体材料锑中的 Mg、Si、S、Mn等 1 4种痕量杂质元素进行测量。对仪器工作参数进行了优化选择 ,并对杂质浓度与溅射时间的关系、质谱干扰对测量的影响及测量的准确性和重现性进行了探讨。实验表明 :... 详细信息

采用辉光放电质谱法 ( GDMS)对高纯半导体材料锑中的 Mg、Si、S、Mn等 1 4种痕量杂质元素进行测量。对仪器工作参数进行了优化选择 ,并对杂质浓度与溅射时间的关系、质谱干扰对测量的影响及测量的准确性和重现性进行了探讨。实验表明 :样品经足够长时间的溅射 ,可以消除样品制备和处理过程中的表面污染 ,可以为其它高纯材料的检测提供可靠的科学依据。

关键词：高纯锑痕量分析杂质元素辉光放电质谱法半导体材料