辉光放电质谱法测定高纯锑中的痕量杂质元素
Determination of Trace Element in High Purity Sb by Glow Discharge Mass Spectrometry作者机构：昆明物理研究所云南昆明650223 云南通海大方科技公司云南通海652700
出 版 物：《质谱学报》 (Journal of Chinese Mass Spectrometry Society)
年 卷 期：2004年第25卷第2期
页 面：96-99页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
主 题：高纯锑 痕量分析 杂质元素 辉光放电质谱法 半导体材料
摘 要：采用辉光放电质谱法 ( GDMS)对高纯半导体材料锑中的 Mg、Si、S、Mn等 1 4种痕量杂质元素进行测量。对仪器工作参数进行了优化选择 ,并对杂质浓度与溅射时间的关系、质谱干扰对测量的影响及测量的准确性和重现性进行了探讨。实验表明 :样品经足够长时间的溅射 ,可以消除样品制备和处理过程中的表面污染 ,可以为其它高纯材料的检测提供可靠的科学依据。
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