辉光放电质谱仪测定超纯锗中23种痕量杂质元素
Determination of 23 Elements in Ultra-high Purity Ge by GDMS作者机构：昆明物理研究所昆明650223
出 版 物：《质谱学报》 (Journal of Chinese Mass Spectrometry Society)
年 卷 期：1997年第18卷第4期
页 面：67-70页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
摘 要：本文报导了一种用辉光放电质谱仪VG9000在无标准样品的情况下对超纯半导体材料锗中23种痕量杂质元素的直接而快速的定量测定方法。该方法具有10ppt量级的检测极限，是鉴定起统金属或半导体材料纯度（8N）的理想手段。
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