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OLED显示残像研究进展

液晶与显示 2022年第9期37卷 1140-1150页

作者：翁乐史大为郭建喻志农北京理工大学光电学院北京市混合现实与先进显示技术工程研究中心北京100081 重庆京东方显示技术有限公司重庆400714

有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)显示技术通过有机材料的自主发光,展现出广色域、低能耗、柔性化等优点,是最具发展潜力的显示技术之一。目前OLED显示仍存在寿命短、亮度低和可靠性差等问题,这些问题最终导致残像现... 详细信息

有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)显示技术通过有机材料的自主发光,展现出广色域、低能耗、柔性化等优点,是最具发展潜力的显示技术之一。目前OLED显示仍存在寿命短、亮度低和可靠性差等问题,这些问题最终导致残像现象的发生,本文旨在分析和总结OLED显示残像问题的研究进展和相关解决方案。首先,阐释了OLED显示残像问题与OLED材料寿命和薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)稳定性的关联,关注柔性与刚性OLED器件的结构差异,进一步总结、归纳了OLED残像的产生机制。其次,针对不同的残像诱发原因,讨论了缓解和补偿OLED显示残像的方法,包括提升OLED有机材料寿命和TFT阈值电压稳定性、外部补偿电路等方案。最后,对OLED显示残像问题的进一步解决办法进行了展望。

关键词：有机发光二极管残像薄膜晶体管柔性显示

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一体化导光板中微结构的设计与仿真

光学技术 2008年第5期34卷 690-692页

作者：高雁飞喻志农北京建筑工程学院理学院信息科学系北京10044 北京理工大学信息技术学院光电工程系北京100081

通过LIGHTOOLS软件对背光源中导光板微结构的设计进行了模拟仿真,以期获得导光板微结构对背光源特性的影响,结果显示:圆形微结构高度小于0.15mm时,均匀度和亮度变差;高度为0.15mm,半径为1.8mm,锥度为0.6的圆锥型结构可以获得较好的亮度... 详细信息

通过LIGHTOOLS软件对背光源中导光板微结构的设计进行了模拟仿真,以期获得导光板微结构对背光源特性的影响,结果显示:圆形微结构高度小于0.15mm时,均匀度和亮度变差;高度为0.15mm,半径为1.8mm,锥度为0.6的圆锥型结构可以获得较好的亮度分布;微结构应该优先采用棱镜结构,采用80°—110°之间的顶角,可以获得较好的亮度和视角分布。

关键词：背光源微结构模拟

ITO表面处理对有机电致发光器件光电特性的影响

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北京理工大学学报 2005年第1期25卷 79-81,94页

作者：蒋玉蓉薛唯喻志农北京理工大学信息科学技术学院光电工程系北京100081

分别采用超声波清洗、O2Plasma、UV-ozone方法对ITO的表面进行处理,用原子力显微镜(AFM)观测了处理后ITO的表面形貌,并用经上述方法处理的ITO制作了结构为ITO/NPB/Alq3/Al的电致发光器件,比较了这些方法对器件性能的影响.结果表明,这些... 详细信息

分别采用超声波清洗、O2Plasma、UV-ozone方法对ITO的表面进行处理,用原子力显微镜(AFM)观测了处理后ITO的表面形貌,并用经上述方法处理的ITO制作了结构为ITO/NPB/Alq3/Al的电致发光器件,比较了这些方法对器件性能的影响.结果表明,这些方法可以改变ITO的表面化学成分及结构,大幅度地提高器件的亮度、寿命和稳定性,尤其是氧离子轰击最为有效.

关键词：铟锡氧化物有机电致发光器件表面处理

ITO的表面处理对有机电致发光器件性能的影响

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光学技术 2004年第6期30卷 727-731页

作者：李大勇薛唯蒋玉蓉喻志农北京理工大学信息科学技术学院光电工程系北京100081

作为有机电致发光器件(OLEDs)的一个主要部分,ITO的表面形貌以及表面性能对整个器件的性能起着决定性的作用。介绍了对ITO的各种处理方法,包括O2Plasma和UV ozone等。这些方法可以改变ITO的表面化学成分以及结构,可以大幅度地提高器件... 详细信息

作为有机电致发光器件(OLEDs)的一个主要部分,ITO的表面形貌以及表面性能对整个器件的性能起着决定性的作用。介绍了对ITO的各种处理方法,包括O2Plasma和UV ozone等。这些方法可以改变ITO的表面化学成分以及结构,可以大幅度地提高器件的亮度、寿命以及稳定性,使OLEDs的实用化成为可能。

关键词： ITO 有机电致发光器件(OLEDs) 表面处理

SiO_2缓冲层对柔性ITO薄膜特性的影响

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稀有金属材料与工程 2009年第3期38卷 443-446页

作者：喻志农相龙锋李玉琼薛唯北京理工大学北京100081

利用离子辅助蒸发技术在PET塑料衬底上制备柔性ITO薄膜,重点分析了柔性ITO薄膜在增加SiO2缓冲层前后的性能变化。采用X射线衍射、紫外-可见分光光度计、四探针电阻测量仪、NT100光学轮廓仪等测试手段对薄膜样品进行表征。实验结果表明:... 详细信息

利用离子辅助蒸发技术在PET塑料衬底上制备柔性ITO薄膜,重点分析了柔性ITO薄膜在增加SiO2缓冲层前后的性能变化。采用X射线衍射、紫外-可见分光光度计、四探针电阻测量仪、NT100光学轮廓仪等测试手段对薄膜样品进行表征。实验结果表明:增加缓冲层后,柔性ITO薄膜的X射线衍射特征峰的强度增加;薄膜电阻率减小为1.21×10-3?·cm;可见光峰值透过率为85%左右;表面相对光滑;薄膜电阻在一定的弯曲状态保持一定的稳定性。

关键词：离子辅助蒸发技术 ITO薄膜二氧化硅缓冲层

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石墨炔修饰的ZnO薄膜紫外探测器

物理化学学报 2018年第9期34卷 1088-1094页

作者：黄志娟喻志农李言王吉政北京理工大学光电学院北京市混合现实与新型显示工程技术研究中心北京100081 中国科学院化学研究所有机固体实验室北京100190

制备了石墨炔修饰的金属-半导体-金属结构的ZnO紫外探测器,研究了不同旋涂次数的石墨炔修饰对探测器性能的影响。实验结果表明,石墨炔修饰的探测器比未修饰器件的光电流提高4倍,暗电流降低2个数量级,同时探测器的响应度和探测率也明显提... 详细信息

制备了石墨炔修饰的金属-半导体-金属结构的ZnO紫外探测器,研究了不同旋涂次数的石墨炔修饰对探测器性能的影响。实验结果表明,石墨炔修饰的探测器比未修饰器件的光电流提高4倍,暗电流降低2个数量级,同时探测器的响应度和探测率也明显提高,其中旋涂2次的石墨炔修饰的器件特性为最优。在10 V偏压下,旋涂2次的石墨炔修饰的探测器响应度高达1759 A·W^(-1),探测率高达4.23×10^(15) Jones,这是迄今为止报导过的溶胶-凝胶法制备的ZnO紫外探测器的最高值。经过对探测器各项性能的测试分析可知,石墨炔修饰的ZnO探测器性能的提高归因于石墨炔良好的空穴传输特性。暗环境下ZnO与石墨炔界面处形成p-n结,使探测器的暗电流大幅降低;光照条件下光生空穴在石墨炔中聚集,减少了电子空穴对的复合,有效提高了器件的光电流。由于石墨炔修饰减少了ZnO表面的氧分子吸附和解吸附过程,器件的响应速度也明显加快。

关键词：石墨炔 ZnO 紫外探测器响应度探测率

退火温度和Ga含量对溶液法制备InGaZnO薄膜晶体管性能的影响

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物理学报 2016年第12期65卷 317-323页

作者：张世玉喻志农程锦吴德龙栗旭阳薛唯北京理工大学光电学院薄膜与显示实验室北京100081

采用溶液法在玻璃衬底上制备InGaZnO薄膜,并以InGaZnO为沟道层制备底栅顶接触型薄膜晶体管,研究了退火温度和Ga含量对InGaZnO薄膜和晶体管电学性能的影响.研究表明,退火可以明显改善溶液法制备InGaZnO薄膜晶体管的电学性能.退火温度的... 详细信息

采用溶液法在玻璃衬底上制备InGaZnO薄膜,并以InGaZnO为沟道层制备底栅顶接触型薄膜晶体管,研究了退火温度和Ga含量对InGaZnO薄膜和晶体管电学性能的影响.研究表明,退火可以明显改善溶液法制备InGaZnO薄膜晶体管的电学性能.退火温度的升高会导致薄膜晶体管阈值电压的负向漂移,并且饱和迁移率和电流开关比增大.X射线光电子能谱测量表明,随退火温度的增加,InGaZnO薄膜表面吸附氧减少,沟道层中氧空位增多导致电子浓度增大.退火温度为380?C时,晶体管获得最佳性能.饱和迁移率随Ga含量的增加而减小.In:Ga:Zn摩尔比为5:1.3:2时,晶体管达到最佳性能:饱和迁移率为0.43 cm^2/(V·s),阈值电压为1.22 V,开关电流比为4.7×10~4,亚阈值摆幅为0.78 V/decade.

关键词： InGaZnO 薄膜晶体管溶液法热退火

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计及广义储能的园区综合能源系统低碳规划

电力自动化设备 2024年第3期44卷 40-48页

作者：张晓陈胜卫志农梁泽宇河海大学能源与电气学院江苏南京211100

以综合能源系统的低碳规划为目标,建立了考虑蓄电池电储能、楼宇热储能、数据中心热储能为广义储能的通用统一模型,量化分析了广义储能运行灵活性对园区综合能源系统低碳化转型的支撑作用。计及负荷长短期增长不确定性与碳排放约束,建... 详细信息

以综合能源系统的低碳规划为目标,建立了考虑蓄电池电储能、楼宇热储能、数据中心热储能为广义储能的通用统一模型,量化分析了广义储能运行灵活性对园区综合能源系统低碳化转型的支撑作用。计及负荷长短期增长不确定性与碳排放约束,建立了以规划年扩建成本与运行成本之和为目标函数的综合能源系统低碳扩建模型;以园区各设备运行约束为基础,考虑广义储能的灵活性运行方式,建立了基于能源枢纽的园区运行模型;以江苏省某工业园区为测试算例,分析了广义储能资源的灵活性运行对园区扩建规划的影响。结果表明,广义储能资源可利用时间转移特性实现多能源跨时段高效利用,有效促进了新能源消纳,保证了综合能源系统的规划方案兼具经济性与环保性。

关键词：园区综合能源系统广义储能低碳规划能源枢纽灵活运行

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光子晶体的制备方法及其应用

光学技术 2006年第6期32卷 871-878页

作者：李夏薛唯蒋玉蓉喻志农北京理工大学信息科学技术学院光电工程系北京100081

光子晶体是一种介电常数不同的、其空间呈周期分布的新型光学材料。由于光子晶体具有光子带隙、光子局域和控制光子态密度等特性,所以它具有广阔的应用前景。简述了光子晶体的主要特征,重点介绍了其制备方法、进展以及实际的和潜在的应用。

关键词：光子晶体光子禁带可调光子晶体非线性