检索结果-南通市图书馆

半导体技术 1991年第1期7卷 31-32页

作者：陈庆贵史日华中科院上海冶金研究所

克服铝自掺杂的高温处理新工艺与背封工艺一样,能起到抑制铝自掺杂的作用。该工艺已在实践中取得应用。

关键词：铝掺杂工艺高温处理半导体器件

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氧化钇稳定的氧化锆上外延硅生长的研究

应用科学学报 1990年第3期8卷 268-270页

作者：陈庆贵史日华中国科学院上海冶金研究所

绝缘衬底上高质量亚微米厚硅单晶膜的获得对于制成高速度、高集成度、低功能和抗辐射的集成电路十分重要.蓝宝石上外延硅膜的生长和其CMOS/SOS集成电路的研究已为国内外学者所重视.然而氧化钇稳定的氧化锆(Yt-tria-Stabilized cubic Zir... 详细信息

绝缘衬底上高质量亚微米厚硅单晶膜的获得对于制成高速度、高集成度、低功能和抗辐射的集成电路十分重要.蓝宝石上外延硅膜的生长和其CMOS/SOS集成电路的研究已为国内外学者所重视.然而氧化钇稳定的氧化锆(Yt-tria-Stabilized cubic Zirconia简称 YSZ)上异质外延硅膜(Silicon on Ziroonia简称SOZ)的性能比SOS材料更好.这是因为,第一,立方结构YSZ与金钢石结构硅的晶格失配比SOS为小.第二,Zr,和Y元素不是电活性或弱电活性元素,故外延过程中的自掺杂效应比SOS为小,容易获得最佳硅单晶膜.更重要的是YSZ衬底的成本较低,为蓝宝石衬底成本的1/3到1/4.因而,SOZ材料是一个极有应用前途的新材料.

关键词：硅单晶膜氧化锆氧化钇外延生长

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高可靠SOS固态压力传感器

半导体技术 1990年第4期6卷 33-37页

作者：陈庆贵史日华滕征杰许和平中国科学院上海冶金研究所黑龙江省电子技术研究所

本文报导了高可靠SOS压力传感器研制的实验结果,特别是可靠性试验方法和应用效果。所得传感器的主要性能为:量程0～20MPa,工作温度-55°～300℃,精度0.2～0.5％,满度输出100±20mV,平均寿命(MTTF)≥1×10~6次。

关键词：压力传感器 SOS 固态硅-蓝宝石

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SOS材料中铝的自掺杂及其克服

科技通讯（上海） 1992年第2期6卷 48-51页

作者：史日华褚卫兵

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SOS材料中铝的自掺杂及其克服

上海半导体 1992年第1期 26-29页

作者：史日华褚卫兵

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SOZ膜结晶质量的研究

半导体技术 1992年第5期8卷 35-37,56页

作者：陈庆贵高培德褚卫兵史日华孙克怡董奇伟董荣康中国科学院传感技术联合开放国家实验室上海冶金研究所上海200050

研究了预处理工艺对SOZ膜结晶质量的影响。用SEM、AES,SIMS及TEM技术分析其原因。结果表明,预处理工艺以1200～1250℃、60～120分为好。

关键词： SOZ膜结晶质量

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SOS膜载流子迁移率的纵向分布

应用科学学报 1985年第4期 373-376页

作者：王缨陈庆贵史日华史常忻上海交通大学中国科学院上海冶金研究所

对于MOS器件,由于器件的跨导正比于载流子迁移率,因而迁移率(μ)是个首要的因素.SOS膜的载流子除受一般离子散射外还受异质外延所特有的散射而使其迁移率下降.已知Si-Al2O3界面或过渡区具有高密度的晶体缺陷,随着偏离此界面膜,晶体缺陷... 详细信息

对于MOS器件,由于器件的跨导正比于载流子迁移率,因而迁移率(μ)是个首要的因素.SOS膜的载流子除受一般离子散射外还受异质外延所特有的散射而使其迁移率下降.已知Si-Al2O3界面或过渡区具有高密度的晶体缺陷,随着偏离此界面膜,晶体缺陷密度下降,因此SOS膜迁移率沿薄膜深度的分布即纵向分布是不均匀的.常用的SOS膜电学特性测试方法需制备特定的试样,且测得结果是薄膜的平均电学特性.Hsu和Scott在1975年提出利用深耗尽SOS/MOSFET直接测定SOS膜的载流子浓度(N)及

关键词：载流子迁移率晶体缺陷密度外延工艺 SOS 纵向分布

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透射干涉法测量蓝宝石上薄外延硅层的厚度

应用科学学报 1984年第2期 170-174页

作者：蔡希介陈庆贵史日华王其闵中国科学院上海冶金研究所

利用光波的透射干涉原理,提出了一个测量亚微米内蓝宝石上外延硅层厚度的方法,使用不同仪器,在各种波长范围内,对该方法同反射干涉测量法、扫描电镜断面直接测量法进行了比较.结果证明,透射干涉测量薄外延硅层厚度方便易行,精度与反射... 详细信息

利用光波的透射干涉原理,提出了一个测量亚微米内蓝宝石上外延硅层厚度的方法,使用不同仪器,在各种波长范围内,对该方法同反射干涉测量法、扫描电镜断面直接测量法进行了比较.结果证明,透射干涉测量薄外延硅层厚度方便易行,精度与反射法相同.

关键词：干涉法亚微米蓝宝石刚玉干涉曲线

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硅烷掺杂的薄层外延不锈钢外延设备

仪表技术与传感器 1984年第3期 5-7页

作者：陈庆贵宋志庆史日华蔡希介中国科学院上海冶金研究所

一、前言由于集成电路和微波半导体器件的发展,要求硅外延片的外延层薄,界面杂质浓度分布陡。通常采用的四氯化硅氢还原法是不能满足这个要求的。硅烷热分解反应法却能满足,因为其反应温度较低(950～1050℃),反应是不可逆的,没有副产物... 详细信息

一、前言由于集成电路和微波半导体器件的发展,要求硅外延片的外延层薄,界面杂质浓度分布陡。通常采用的四氯化硅氢还原法是不能满足这个要求的。硅烷热分解反应法却能满足,因为其反应温度较低(950～1050℃),反应是不可逆的,没有副产物,可减轻自掺杂,能获得很陡的杂质分布,可得到电阻率均匀的1微米左右的薄外延膜。对于异质外延,在尖晶石上外延硅的实验证明:四氯化硅有腐蚀作用,只能用硅烷热分解法。在蓝宝石上硅烷热分解法生成的硅膜,其孪晶缺陷低于四氯化硅沉积生长的硅膜。生成

关键词：硅烷有机硅化合物不锈钢管路热分解法掺杂剂氢气工业气体分子筛合成泡沸石反应管四氯化硅薄层地层

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SOS膜横断面的电子显微镜研究

半导体技术 1985年第5期 48-50页

作者：陈庆贵孙克怡蔡希介史日华中国科学院上海冶金研究所

本文叙述用高温氢退火处理提高SoS膜的结晶质量的实验结.SOS膜的光吸收因子F;值在氢退火温度920～1020℃,4.5小时下可下降20～30%,达到126×10;cm;.SOS膜横断面电镜观察证明,SOS膜结晶质量的改善是与界面附近微孪晶、层错等缺陷的减少有关.

关键词： SOS 氢处理质量显微镜膜结晶实验设备氢退火