咨询与建议

看过本文的还看了

相关文献

该作者的其他文献

文献详情 >克服铝自掺杂工艺的新进展 收藏

克服铝自掺杂工艺的新进展

作     者:陈庆贵 史日华 

作者机构:中科院上海冶金研究所 

出 版 物:《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期:1991年第7卷第1期

页      面:31-32页

学科分类:080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术(可授工学、理学学位)] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 080502[工学-材料学] 

基  金:国家自然科学基金 

主  题: 掺杂工艺 高温处理 半导体器件 

摘      要:克服铝自掺杂的高温处理新工艺与背封工艺一样,能起到抑制铝自掺杂的作用。该工艺已在实践中取得应用。

读者评论 与其他读者分享你的观点

用户名:未登录
我的评分