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SOS膜横断面的电子显微镜研究

作     者：陈庆贵 孙克怡 蔡希介 史日华 

作者机构：中国科学院上海冶金研究所 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：1985年第5期

页      面：48-50页

主　　题：SOS 氢处理 质量 显微镜 膜结晶 实验设备 氢退火 

摘      要：本文叙述用高温氢退火处理提高SoS膜的结晶质量的实验结.SOS膜的光吸收因子F;值在氢退火温度920～1020℃,4.5小时下可下降20～30%,达到126×10;cm;.SOS膜横断面电镜观察证明,SOS膜结晶质量的改善是与界面附近微孪晶、层错等缺陷的减少有关.

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