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Experimental verification of the parasitic bipolar amplification effect in PMOS single event transients

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Chinese Physics B 2014年第7期23卷 775-779页

作者：何益百陈书明 College of Computer National University of Defense Technology Science and Technology on Parallel and Distributed Processing Laboratory National University of Defense Technology

The contribution of parasitic bipolar amplification to SETs is experimentally verified using two P-hit target chains in the normal layout and in the special layout. For PMOSs in the normal layout, the single-event charge collection is composed of diffusion, drift, and the parasitic bipolar effect, while for PMOSs in the special layout, the parasitic bipolar junction transistor cannot turn on. Heavy ion experimental results show that PMOSs without parasitic bipolar amplification have a 21.4% decrease in the average SET pulse width and roughly a 40.2% reduction in the SET cross-section.

关键词： single event effect single event transient parasitic bipolar amplification heavy ion experiments

阱接触面积对PMOS单粒子瞬态脉冲宽度的影响

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计算机工程与科学 2015年第6期37卷 1053-1057页

作者：刘蓉容池雅庆何益百窦强国防科学技术大学计算机学院湖南长沙410073 电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室广东广州510610

使用TCAD模拟工具分析了纳米工艺下阱接触面积对PMOS SET脉冲宽度的影响。结果表明,纳米工艺下,当存在脉冲窄化效应时,增加阱接触面积会导致SET脉冲变宽,这与传统的通过增加阱接触面积可抑制SET脉冲的观点正好相反。同时,还分析了不同... 详细信息

使用TCAD模拟工具分析了纳米工艺下阱接触面积对PMOS SET脉冲宽度的影响。结果表明,纳米工艺下,当存在脉冲窄化效应时,增加阱接触面积会导致SET脉冲变宽,这与传统的通过增加阱接触面积可抑制SET脉冲的观点正好相反。同时,还分析了不同入射粒子LET值以及晶体管间距条件对该现象的作用趋势。

关键词：阱接触面积单粒子瞬态 PMOS 脉冲宽度

The dual role of multiple-transistor charge sharing collection in single-event transients

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Chinese Physics B 2013年第4期22卷 360-364页

作者：郭阳陈建军何益百梁斌刘必慰 School of Computer Science National University of Defense Technology

As technologies scale down in size, multiple-transistors being affected by a single ion has become a universal phenomenon, and some new effects are present in single event transients （SETs） due to the charge sharing collection of the adjacent multiple-transistors. In this paper, not only the off-state p-channel metal–oxide semiconductor field-effect transistor （PMOS FET）, but also the on-state PMOS is struck by a heavy-ion in the two-transistor inverter chain, due to the charge sharing collection and the electrical interaction. The SET induced by striking the off-state PMOS is efficiently mitigated by the pulse quenching effect, but the SET induced by striking the on-state PMOS becomes dominant. It is indicated in this study that in the advanced technologies, the SET will no longer just be induced by an ion striking the off-state transistor, and the SET sensitive region will no longer just surround the off-state transistor either, as it is in the older technologies. We also discuss this issue in a three-transistor inverter in depth, and the study illustrates that the three-transistor inverter is still a better replacement for spaceborne integrated circuit design in advanced technologies.

关键词： multiple-transistor charge sharing collection single event transient (SET) pulse quenching effect radiation hardened by design (RHBD)

Suppressing the hot carrier injection degradation rate in total ionizing dose effect hardened nMOSFETs

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Chinese Physics B 2011年第11期20卷 346-352页

作者：陈建军陈书明梁斌何益百池雅庆邓科峰 School of Computer Science National University of Defense Technology

Annular gate nMOSFETs are frequently used in spaceborne integrated circuits due to their intrinsic good capability of resisting total ionizing dose （TID） effect. However, their capability of resisting the hot carrier effect （HCE） has also been proven to be very weak. In this paper, the reason why the annular gate nMOSFETs have good TID but bad HCE resistance is discussed in detail, and an improved design to locate the source contacts only along one side of the annular gate is used to weaken the HCE degradation. The good TID and HCE hardened capability of the design are verified by the experiments for I/O and core nMOSFETs in a 0.18 μm bulk CMOS technology. In addition, the shortcoming of this design is also discussed and the TID and the HCE characteristics of the replacers （the annular source nMOSFETs） are also studied to provide a possible alternative for the designers.

关键词： annular gate nMOSFETs total ionizing dose effect hot carrier effect annular sourcenMOSFETs

p型金属氧化物半导体场效应晶体管界面态的积累对单粒子电荷共享收集的影响

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物理学报 2011年第8期60卷 509-517页

作者：陈建军陈书明梁斌刘必慰池雅庆秦军瑞何益百国防科学技术大学计算机学院长沙410073

由于负偏置温度不稳定性和热载流子注入,p型金属氧化物半导体场效应晶体管(pMOSFET)将在工作中不断退化,而其SiO2/Si界面处界面态的积累是导致其退化的主要原因之一.采用三维器件数值模拟方法,基于130nm体硅工艺,研究了界面态的积累对相... 详细信息

由于负偏置温度不稳定性和热载流子注入,p型金属氧化物半导体场效应晶体管(pMOSFET)将在工作中不断退化,而其SiO2/Si界面处界面态的积累是导致其退化的主要原因之一.采用三维器件数值模拟方法,基于130nm体硅工艺,研究了界面态的积累对相邻pMOSFET之间单粒子电荷共享收集的影响.研究发现,随着pMOSFETSiO2/Si界面处界面态的积累,相邻pMOSFET漏端的单粒子电荷共享收集量均减少.还研究了界面态的积累对相邻反相器中单粒子电荷共享收集所导致的多瞬态脉冲的影响.研究发现,随着pMOSFETSiO2/Si界面处界面态的积累,pMOSFET之间电荷共享收集所导致的多瞬态脉冲压缩,而n型金属氧化物半导体场效应晶体管之间电荷共享收集所导致的多瞬态脉冲展宽.

关键词：负偏置温度不稳定性电荷共享收集双极放大效应单粒子多瞬态

Huber-AQMRD算法:应对网络拥塞的性能改进

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现代电子技术 2025年第1期48卷 65-70页

作者：晁凯康百成王双全西安工程大学电子信息学院陕西西安710600

随着信息化时代的蓬勃发展,信息传输已经渗透到了日常生活和商业活动的方方面面,成为不可或缺的一部分。然而,这种信息传输的大规模增长也带来了一系列问题,其中包括网络拥塞等现象变得愈加普遍。在应对网络拥塞问题时,主动队列管理(AQM... 详细信息

随着信息化时代的蓬勃发展,信息传输已经渗透到了日常生活和商业活动的方方面面,成为不可或缺的一部分。然而,这种信息传输的大规模增长也带来了一系列问题,其中包括网络拥塞等现象变得愈加普遍。在应对网络拥塞问题时,主动队列管理(AQM)算法显得尤为重要,其中包括随机早期检测(RED)和自适应平均队列大小及其变化率(AQMRD)算法等。尽管这些算法已经起到了一定作用,但在提升吞吐量与服务质量方面仍有进步的空间。针对已有算法的不足,文中提出一种基于AQMRD的改进算法,即Huber-AQMRD算法。该算法通过引入“Huber”损失函数,更准确地评估队列大小与期望值之间的差异,从而优化了丢包函数的设计。通过ns3仿真实验验证,Huber-AQMRD算法在降低丢包率的同时,提高了网络吞吐量和服务质量,对于解决大规模增长的信息传输下的网络拥塞问题,提升网络性能和用户体验具有重要意义。

关键词：网络拥塞主动队列管理 Huber-AQMRD ns3 丢包率吞吐量

青藏高原—黄土高原过渡带土壤抗冲性及影响因素

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水土保持研究 2025年第1期32卷 39-47页

作者：杜芳悦刘俊娥牛百成朱启明崔钦凯陕西师范大学地理科学与旅游学院青海师范大学地理科学学院青海省自然地理与环境过程重点实验室青海师范大学青藏高原地表过程与生态保育教育部重点实验室

[目的]探究青藏高原—黄土高原过渡带土壤抗冲性及其影响因素，以期为该区域水土流失防治和生态建设提供科学依据。[方法]在青海省海南藏族自治州沙沟河流域的上、中、下游（样地1,样地2,样地3）,选取典型栗钙土和风沙土为研究对象，采... 详细信息

[目的]探究青藏高原—黄土高原过渡带土壤抗冲性及其影响因素，以期为该区域水土流失防治和生态建设提供科学依据。[方法]在青海省海南藏族自治州沙沟河流域的上、中、下游（样地1,样地2,样地3）,选取典型栗钙土和风沙土为研究对象，采用原状土冲刷法（2,3,4,5,6 L/min）进行土壤抗冲性试验，测定不同土壤抗冲性变化特征，研究土壤抗冲性对土壤理化性质、水动力条件等各因子的响应特征，并据此建立土壤抗冲性方程。[结果]3个样地冲刷强度都呈初期最大、随后减少再趋于平缓的趋势，土壤抗冲指数表现为样地1>样地3>样地2,径流含沙量与冲刷时间呈幂函数关系。3个样地土壤理化性质存在显著差异，容重、WSA>0.25 mm、有机质、平均重量直径和土壤抗冲指数均显著相关；对径流剪切力和土壤抗冲指数进行拟合，可用幂函数表达，R2均在0.98以上（p<0.05）。从土壤侵蚀动力和阻力两方面综合考虑，选取径流剪切力、平均重量直径和有机质作为影响土壤抗冲性的主要因子构建土壤抗冲性方程。[结论]栗钙土比风沙土抗冲性好；基于平均重量直径和径流剪切力，有机质和径流剪切力，以及平均重量直径、有机质和径流剪切力建立的3个土壤抗冲性方程，均有较好的拟合效果。

关键词：青藏高原—黄土高原过渡带土壤抗冲性理化性质径流剪切力

曲克芦丁调控核因子κB信号通路抑制脑梗死模型大鼠脑损伤及神经元凋亡

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中国组织工程研究 2025年第6期29卷 1137-1143页

作者：刘哲哲于梅青王婷婷张敏李百艳衡水市人民医院神经内科河北省衡水市253800 河北省中医院河北省石家庄市050000

背景:目前已有研究发现曲克芦丁对脑部疾病有明显的改善作用,但是关于曲克芦丁对脑梗死治疗及神经元细胞影响的研究较少。目的:探究曲克芦丁调控核因子κB信号通路对脑梗死大鼠脑损伤及神经元凋亡的作用机制。方法:选取清洁级大鼠50只,... 详细信息

背景:目前已有研究发现曲克芦丁对脑部疾病有明显的改善作用,但是关于曲克芦丁对脑梗死治疗及神经元细胞影响的研究较少。目的:探究曲克芦丁调控核因子κB信号通路对脑梗死大鼠脑损伤及神经元凋亡的作用机制。方法:选取清洁级大鼠50只,将其随机分为健康组、模型组、曲克芦丁+核因子κB激动剂组、曲克芦丁组、核因子κB抑制剂组,后4组均采用动脉结扎法建立脑梗死大鼠模型。健康组及模型组采用等量生理盐水灌胃处理,曲克芦丁+核因子κB激动剂组采用72 mg/kg曲克芦丁灌胃+20 mg/kg RANK腹腔注射干预,曲克芦丁组采用72 mg/kg曲克芦丁灌胃处理,核因子κB抑制剂组采用120 mg/kg核因子κB抑制剂二硫代氨基甲酸吡咯烷进行腹腔注射,各组给药均1次/d,均连续干预30 d。药物干预完成后24 h,采用Zea-longa检测大鼠神经功能损伤,苏木精-伊红染色观察脑组织病理改变,TUNEL法检测神经元凋亡,采用免疫印迹法及PCR检测核因子κB p65、核因子κB p50蛋白及mRNA表达水平。结果与结论:①与健康组比较,模型组大鼠神经功能评分、神经元凋亡率、核因子κB p65、核因子κB p50 mRNA及蛋白表达水平升高(P0.05);④模型组大鼠脑组织有大量神经元细胞胞质空泡化,明显水肿和坏死现象及大量炎性细胞浸润现象;曲克芦丁+核因子κB激动剂组脑组织肿胀减轻,网状结构和固缩细胞减少,仍伴有部分水肿;曲克芦丁组及核因子κB抑制剂组脑组织肿胀和神经元水肿变性、细胞胞质空泡化及神经元细胞核固缩减少,炎症细胞浸润明显降低;⑤提示曲克芦丁能够降低脑梗死大鼠神经功能损伤表达、抑制神经元凋亡及改善其脑组织病理损伤,其作用机制可能与调控核因子κB及相关信号通路的表达相关。

关键词：脑梗死曲克芦丁核因子Kappa B 神经元凋亡脑损伤

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近62年我国极端高温事件的时空变化特征

高原气象 2025年第1期44卷 201-213页

作者：卢珊胡泽勇沈姣姣王百朋王能辉赵乾甲陕西省气象服务中心陕西西安710014 中国科学院西北生态环境资源研究院寒旱区陆面过程与气候变化重点实验室甘肃兰州730000 陕西省突发事件预警信息发布中心陕西西安710015 陕西秦盾防雷技术有限公司陕西西安710014

利用1961-2022年全国664个地面观测站的逐日最高气温资料,系统分析了全国和各分区极端高温事件及其起讫日期的时空分布及演变特征。结果表明,我国有近9成极端高温事件集中在夏季,其中出现在7月的极端高温事件占全年总数的39.3%。全国极... 详细信息

利用1961-2022年全国664个地面观测站的逐日最高气温资料,系统分析了全国和各分区极端高温事件及其起讫日期的时空分布及演变特征。结果表明,我国有近9成极端高温事件集中在夏季,其中出现在7月的极端高温事件占全年总数的39.3%。全国极端高温事件在近62年迅速增加,极端高温日数和高温极值在9成以上的站点监测到增加趋势。极端高温事件在高海拔地区的增加更为明显,青藏地区的极端高温日数每10年增加2.9天,高温极值增幅为0.34℃·(10a)^(-1)。极端高温事件开始日期和结束日期在全国大部分站点分别呈现出明显的提前和推迟趋势,受起讫日期的反向变化影响,极端高温事件持续期的增加趋势更为突出。西南地区是各分区中极端高温事件持续期增加最快的地区,其增加速度达10.8 d·(10a)^(-1)。长时间维持的连续性极端高温过程对人民生产生活造成严重威胁,进入21世纪以来,连续性极端高温过程在我国呈现出高发态势。华南和西南地区的连续性极端高温过程的增加较为明显,其中华南地区的连续性极端高温过程频次和累积日数每10年分别增加0.5次和2.5天,均为各分区中最高。

关键词：极端高温事件连续性极端高温过程起讫日期时空演变

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