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CdSe/HgSe/CdSe量子点量子阱(QDQW)晶粒的光学性质和电子结构

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物理学报 2002年第4期51卷 877-881页

作者：徐岭马懿李明海黄信凡陈坤基南京大学物理系

以CdSe纳米晶体为核 ,用胶体化学的方法 ,通过化学替代反应 ,获得了不同阱层或不同垒层的CdSe HgSe CdSe量子点量子阱 (QDQW)晶体 .紫外可见光吸收谱研究表明 ,通过调节QDQW中间HgSe阱层的厚度从 0 .9nm至 0 ,可以调节QDQW颗粒的带隙从... 详细信息

以CdSe纳米晶体为核 ,用胶体化学的方法 ,通过化学替代反应 ,获得了不同阱层或不同垒层的CdSe HgSe CdSe量子点量子阱 (QDQW)晶体 .紫外可见光吸收谱研究表明 ,通过调节QDQW中间HgSe阱层的厚度从 0 .9nm至 0 ,可以调节QDQW颗粒的带隙从 1.8变化至 2 .1eV ,实现QDQW纳米晶体的剪裁 .光致荧光 (PL)谱研究显示 ,QDQW形成后 ,CdSe HgSe纳米颗粒表面态得到钝化 ,显现出发光强度加强的带边荧光峰 .利用有效质量近似模型 ,对QDQW晶粒内部电子的 1s— 1s态进行了估算。

关键词：量子点量子阱晶体能带剪裁带边荧光峰光学性质电子结构 CdSe/HgSe/CdSe 晶粒半导体硒化镉硒化汞

原位等离子体逐层氧化a-Si:H/SiO_2多层膜的光致发光研究

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物理学报 2004年第8期53卷 2746-2750页

作者：马忠元黄信凡朱达李伟陈坤基冯端南京大学固体微结构物理国家重点实验室南京210093

采用在等离子体增强化学汽相沉积系统中沉积a Si:H和原位等离子体逐层氧化的方法制备a Si:H SiO2 多层膜 .改变a Si:H层的厚度 ,首次在室温下观察到来自a Si:H SiO2 多层膜较强的蓝色光致发光和从 4 6 5到 4 35nm的蓝移 .x射线能谱证明 ... 详细信息

采用在等离子体增强化学汽相沉积系统中沉积a Si:H和原位等离子体逐层氧化的方法制备a Si:H SiO2 多层膜 .改变a Si:H层的厚度 ,首次在室温下观察到来自a Si:H SiO2 多层膜较强的蓝色光致发光和从 4 6 5到 4 35nm的蓝移 .x射线能谱证明 ,SiO2 层是化学配比的SiO2 ;C V特性表明 ,a Si:H SiO2 界面得到了很好的钝化 ;透射电子显微镜表明 ,样品形成了界面陡峭的多层结构 .结合光吸收谱和光致发光谱的研究 ,对其发光机理进行了讨论 .用一维量子限制模型对光致发光峰随着a Si:H层厚度的减小而蓝移作出了解释 ,认为蓝光发射可能来自a

关键词： a-Si:H/SiO2多层膜光致发光等离子体增强化学汽相沉积法薄膜结构分析光谱蓝移

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前言

南京大学学报（自然科学版） 2005年第1期41卷 1-3页

作者：陈坤基南京大学物理系南京210093

微电子和光电子器件是现代信息技术的硬件基础．半导体硅(Si)是当前制备微电子器件最重要的材料，但由于其间接带隙的能带结构和弱的电光效应，限制了在光电子器件方面的应用．几十年来，人们一直在探索能在单块Si片上集成微电子器件和... 详细信息

微电子和光电子器件是现代信息技术的硬件基础．半导体硅(Si)是当前制备微电子器件最重要的材料，但由于其间接带隙的能带结构和弱的电光效应，限制了在光电子器件方面的应用．几十年来，人们一直在探索能在单块Si片上集成微电子器件和光电子器件的途径，如果这一技术被突破，无疑将对未来的通讯、显示、计算机等信息技术产生深远的影响．

关键词：光电子集成光发射院士纳米结构纳米硅多孔硅

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非晶态半导体物理引论第1版

1987年

作者：陈坤基

来源：汇雅图书（南通市图书馆... 评论

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汇雅图书（南通市图书馆）

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晶化硅多层膜光致发光的量子尺寸效应

物理学进展 1993年第1期13卷 291-298页

作者：陈坤基黄信凡南京大学物理系

在晶化的α-Si:H/α-SiN_x:H多层膜结构中,当α-Si:H子层厚度L_s≤40A时,我们首次观察到室温下可见光致发光现象。72层多层异质结构是采用计算机控制等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)技术制备的,利用Ar^+激光辐照技术使α-Si:H层获得晶... 详细信息

在晶化的α-Si:H/α-SiN_x:H多层膜结构中,当α-Si:H子层厚度L_s≤40A时,我们首次观察到室温下可见光致发光现象。72层多层异质结构是采用计算机控制等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)技术制备的,利用Ar^+激光辐照技术使α-Si:H层获得晶化。由X光衍射谱,喇曼散射谱及剖面透射电子显微技术揭示了晶化硅多层膜样品的结构和结晶特性。我们用量子尺寸效应解释了光致发光峰的光子能量与α-Si:H子层的厚度及结晶完整性之间的关系。

关键词：硅薄膜光致发光晶化量子效率

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作者：陈坤基

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SnO2纳米晶体的制备、结构与发光性质

物理学报 2009年第8期58卷 5821-5825页

作者：林涛万能韩敏徐骏陈坤基南京大学物理系固体微结构国家重点实验室南京210093 南京大学化学系南京210093 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家实验室上海200083

使用软化学方法在碱性溶液中制备出了颗粒尺寸分布均匀的SnO2纳米颗粒,使用透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射(XRD)、光致发光谱(PL)和光吸收谱等方法分析与表征了SnO2纳米颗粒的结构和光学性能.实验中通过表面活性剂的加入来控制纳米颗... 详细信息

使用软化学方法在碱性溶液中制备出了颗粒尺寸分布均匀的SnO2纳米颗粒,使用透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射(XRD)、光致发光谱(PL)和光吸收谱等方法分析与表征了SnO2纳米颗粒的结构和光学性能.实验中通过表面活性剂的加入来控制纳米颗粒的结晶与凝聚.XRD,TEM的结果表明,原始制备出的SnO2纳米颗粒的平均粒径小于4nm,为完好的晶体状态.纳米颗粒经过400—1000℃退火后晶粒尺寸进一步增大.光吸收谱表明,相对于体材料,纳米颗粒的禁带宽度展宽并随颗粒尺寸增大而红移.光致发光谱测试表明,不同温度下退火的SnO2纳米颗粒在350—750nm有较强的发光,研究表明这是来源于颗粒表面的氧空位缺陷发光.

关键词：氧化锡表面活性剂纳米颗粒光致发光

闪锌矿结构CdS量子点的电子结构:紧束缚近似下一种新的计算方法(英文)

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南京大学学报（自然科学版） 2002年第1期38卷 42-47页

作者：黄宏彬蒋杰陈坤基冯端南京大学物理系南京210093

在紧束缚近似下发展了一种新的计算方法 ,计算了闪锌矿结构CdS量子点的电子结构 ,并与有效质量近似作了比较 .这种计算方法比较简洁 ,在K 空间进行计算 ,结果却与实空间复杂计算的结果一致 .紧束缚近似的理论结果在很大范围内可与实验... 详细信息

在紧束缚近似下发展了一种新的计算方法 ,计算了闪锌矿结构CdS量子点的电子结构 ,并与有效质量近似作了比较 .这种计算方法比较简洁 ,在K 空间进行计算 ,结果却与实空间复杂计算的结果一致 .紧束缚近似的理论结果在很大范围内可与实验结果相符合 .结果表明 ,紧束缚近似下K空间的计算方法是一种简单有效的方式。

关键词：量子点紧束缚近似 K-空间计算电子结构闪锌矿结构 CdS 硫化镉半导体

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无机纳米粒子的二阶光学非线性研究进展

无机化学学报 2002年第12期18卷 1177-1184页

作者：张宇汪昕马明付德刚刘举正顾宁陆祖宏徐岭陈坤基南京大学物理系东南大学分子与生物分子电子学教育部重点实验室南京210096

非相干的超瑞利散射(HRS)技术是20世纪90年代发展起来的用于测定分子发色团一阶超极化率β的有效工具。由于它与惯用的相干二次谐波发生(SHG)和电场诱导二次谐波发生(EFISHG)技术相比较,不受样品的尺寸、取向和/或电荷的限制,因此近四... 详细信息

非相干的超瑞利散射(HRS)技术是20世纪90年代发展起来的用于测定分子发色团一阶超极化率β的有效工具。由于它与惯用的相干二次谐波发生(SHG)和电场诱导二次谐波发生(EFISHG)技术相比较,不受样品的尺寸、取向和/或电荷的限制,因此近四五年来被使用来测定无机纳米粒子的一阶超极化率,并取得了一些重要的结果。文章介绍了HRS技术的一般原理、实验装置及数据处理方法。根据目前报导的实验结果,并结合我们的工作,探讨了纳米粒子超瑞利散射的几种可能机制:表面贡献、类体相贡献、聚集体贡献、共振增强的贡献以及粒子表面静电场和溶剂场的贡献,其中特别强调了表面贡献。指出用HRS技术研究纳米粒子二阶光学非线性这一新的领域正逐步吸引越来越多的科学家的兴趣,将成为非线性光学和纳米科学交叉领域的一个热点。

关键词：无机纳米粒子研究进展超瑞利散射二阶光学非线性非体性光学