原位等离子体逐层氧化a-Si:H/SiO_2多层膜的光致发光研究

作     者：马忠元 黄信凡 朱达 李伟 陈坤基 冯端 

作者机构：南京大学固体微结构物理国家重点实验室南京210093 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：2004年第53卷第8期

页      面：2746-2750页

核心收录：

学科分类：08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0704[理学-天文学] 

基　　金：国家自然科学基金 (批准号 :10 1740 3 5 90 10 10 2 0 10 0 2 3 0 0 1) 江苏省自然科学基金 (批准号 :BK2 0 0 10 2 8 BG2 0 0 10 0 2 )资助的课题~~ 

主　　题：a-Si:H/SiO2多层膜 光致发光 等离子体增强化学汽相沉积法 薄膜结构分析 光谱蓝移 

摘      要：采用在等离子体增强化学汽相沉积系统中沉积a Si:H和原位等离子体逐层氧化的方法制备a Si:H SiO2 多层膜 .改变a Si:H层的厚度 ,首次在室温下观察到来自a Si:H SiO2 多层膜较强的蓝色光致发光和从 4 6 5到 4 35nm的蓝移 .x射线能谱证明 ,SiO2 层是化学配比的SiO2 ;C V特性表明 ,a Si:H SiO2 界面得到了很好的钝化 ;透射电子显微镜表明 ,样品形成了界面陡峭的多层结构 .结合光吸收谱和光致发光谱的研究 ,对其发光机理进行了讨论 .用一维量子限制模型对光致发光峰随着a Si:H层厚度的减小而蓝移作出了解释 ,认为蓝光发射可能来自a