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核技术 2004年第6期27卷 409-412页

作者：何庆贾全杰姜晓明中国科学院高能物理研究所北京100039

利用掠入射X射线反常散射/衍射实验技术对Si(001)上生长的单层和双层Ge量子点的组分分布进行了直接测量;;结果显示;;在Si间隔层厚度为90nm时得到的双层Ge量子点与单层Ge量子点的组分及其分布特征是几乎相同的。

关键词：组分量子点掠入射X射线反常衍射

Ge薄层异质结构的同步辐射X射线反射法研究

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高能物理与核物理 2001年第12期25卷 1231-1237页

作者：郑文莉贾全杰姜晓明蒋最敏中国科学院高能物理研究所北京100039 复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

用X射线反射方法研究了分子束外延技术生长的Si中Ge薄层异质结构的Ge原子分布特性 .根据X射线反射理论及Parratt数值计算方法对实验反射曲线的模拟 ,得到不同厚度的Ge薄层异质结构样品中Ge原子的深度分布为非对称指数形式 :在靠近样品... 详细信息

用X射线反射方法研究了分子束外延技术生长的Si中Ge薄层异质结构的Ge原子分布特性 .根据X射线反射理论及Parratt数值计算方法对实验反射曲线的模拟 ,得到不同厚度的Ge薄层异质结构样品中Ge原子的深度分布为非对称指数形式 :在靠近样品表面一侧的衰减长度为 8埃 ,而在靠近样品衬底一侧的衰减长度为 3埃 ,且分布形式与Ge原子层的厚度无关。讨论了不同结构参数(Ge原子薄层的深度、Ge原子分布范围、样品表面粗糙度、样品表面氧化层厚度等 )

关键词：异质结构同步辐射 X射线反射表面偏析分子束外延 Ge薄膜生长 St 硅晶体锗原子半导体材料

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横向外延GaN结晶质量的同步辐射研究

核技术 2002年第10期25卷 770-774页

作者：冯淦郑新和王玉田杨辉梁骏吾郑文莉贾全杰中国科学院半导体研究所集成光电子学国家联合重点实验室北京100083 中国科学院高能物理研究所同步辐射室北京100039

采用同步辐射X光衍射技术研究了α -Al2 O3(0 0 0 1)衬底上横向外延GaN的结构特征。发现横向生长区的GaN(0 0 0 1)晶面与窗口区的GaN(0 0 0 1)晶面在垂直掩模方向上存在取向差。ω/2θ联动扫描发现横向生长区的GaN的衍射峰半高宽约为窗... 详细信息

采用同步辐射X光衍射技术研究了α -Al2 O3(0 0 0 1)衬底上横向外延GaN的结构特征。发现横向生长区的GaN(0 0 0 1)晶面与窗口区的GaN(0 0 0 1)晶面在垂直掩模方向上存在取向差。ω/2θ联动扫描发现横向生长区的GaN的衍射峰半高宽约为窗口区GaN的一半 ,这表明横向外延生长技术在降低GaN穿透位错密度的同时。

关键词：结晶质量 GaN 横向外延生长晶面倾斜晶粒度同步辐射 X光衍射结构特征半导体材料

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内源全息术的原理和数学描述

物理学报 2004年第8期53卷 2526-2533页

作者：朱佩平王寯越吴自玉田玉莲贾全杰胡天斗巫翔储旺盛黎刚冼鼎昌中国科学院高能物理研究所北京100039

以往的全息术在对原子成像时 ,在相干光源、探测器空间分辨和信号强度三个方面遇到了难以克服的困难 .阐述了内源全息术克服这些困难的原理 ,研究了内源全息术的记录和再现全过程 ,推导出内源球面全息图的再现公式 ,并在散射因子球对称... 详细信息

以往的全息术在对原子成像时 ,在相干光源、探测器空间分辨和信号强度三个方面遇到了难以克服的困难 .阐述了内源全息术克服这些困难的原理 ,研究了内源全息术的记录和再现全过程 ,推导出内源球面全息图的再现公式 ,并在散射因子球对称近似和能量无关近似下。

关键词：内源全息术同步辐射晶体结构傅里叶变换 δ函数原子全息信号强度干涉条纹间隔

La_(0.8)Ca_(0.2)MnO_3/SrTiO_3薄膜厚度对其结构及磁学性能的影响

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物理学报 2007年第9期56卷 5347-5352页

作者：张红娣安玉凯麦振洪高炬胡凤霞王勇贾全杰中国科学院物理研究所国家凝聚态物理实验室北京100080 香港大学物理系中国科学院高能物理研究所北京100049

采用多种X射线衍射技术和磁电阻测量技术研究了不同厚度的La0.8Ca0.2MnO3/SrTiO3(LCMO/STO)薄膜的应变状态及其对磁电阻性能的影响.结果表明,在STO(001)单晶衬底上生长的LCMO薄膜沿[00l]取向生长·LCMO薄膜具有伪立方钙钛矿结构,随着薄... 详细信息

采用多种X射线衍射技术和磁电阻测量技术研究了不同厚度的La0.8Ca0.2MnO3/SrTiO3(LCMO/STO)薄膜的应变状态及其对磁电阻性能的影响.结果表明,在STO(001)单晶衬底上生长的LCMO薄膜沿[00l]取向生长·LCMO薄膜具有伪立方钙钛矿结构,随着薄膜厚度的增加,面内晶格参数增加,垂直于面内的晶格参数减小,晶格参数a和b相近,略小于c·LCMO薄膜内处于应变状态,由于薄膜与衬底的晶格失配,LCMO面内受到拉应力,垂直于面内受到了压应力·LCMO薄膜在qz方向存在轻微的镶嵌结构,并且在qz方向LCMO薄膜与STO衬底存在约0.1°的取向差.薄膜的磁电阻与薄膜的应变状态密切相关,随着薄膜厚度的增加,磁电阻减小.

关键词： X射线衍射微结构应变物理性能

La_(0.7)Ca_(0.3)MnO_3簿膜的掠入射X射线衍射研究

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核技术 2004年第12期27卷 914-918页

作者：谭伟石蔡宏灵吴小山蒋树声贾全杰郭立平何庆高矩南京理工大学理学院应用物理系南京210094 南京大学固体微结构物理国家重点实验室南京大学物理系南京210093 中国科学院高能物理研究所北京100049 香港大学物理系

利用90°离轴射频磁控溅射方法将La_(0.7)Ca_(0.3)MnO_3(LCMO)沉积于(001)取向的SrTiO_3(STO)、MgO和α-Al_2O_3(ALO)单晶基片上,薄膜厚度均为500A。通过掠入射X射线衍射技术测量了LCMO薄膜的横向晶格常数(即面内晶格常数),结合常规X射... 详细信息

利用90°离轴射频磁控溅射方法将La_(0.7)Ca_(0.3)MnO_3(LCMO)沉积于(001)取向的SrTiO_3(STO)、MgO和α-Al_2O_3(ALO)单晶基片上,薄膜厚度均为500A。通过掠入射X射线衍射技术测量了LCMO薄膜的横向晶格常数(即面内晶格常数),结合常规X射线衍射研究了LCMO薄膜的晶格应变及其弛豫情况。结果表明,LCMO薄膜在MgO和ALO基片上的应变弛豫临界厚度很小,这可能与薄膜—基片之间高的晶格失配率有关。LCMO薄膜的应变弛豫与四方畸变的弛豫可能具有不同的机制。利用掠入射X射线衍射对LCMO薄膜面内生长取向的研究给出了与利用电子显微技术研究相同的结果。

关键词： La07Ca0.3MnO3薄膜掠入射X射线衍射应变弛豫面内晶格常数

周期性多层膜合金化制取的TiNi形状记忆薄膜的室温微结构特征

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物理学报 2006年第3期55卷 1508-1511页

作者：魏向军徐清王天民贾全杰王焕华冯松林兰州大学物理科学与技术学院兰州730000 中国科学院高能物理研究所北京100049

用掠入射X射线衍射及X射线反射对磁控溅射制取的等原子比Ni/Ti周期性多层膜晶化热处理后的TiNi形状记忆薄膜室温微结构进行了研究.TiNi形状记忆薄膜在深度方向的相分布和元素分布是不均匀的,都是一种多层结构.室温下其微结构特征为最外... 详细信息

用掠入射X射线衍射及X射线反射对磁控溅射制取的等原子比Ni/Ti周期性多层膜晶化热处理后的TiNi形状记忆薄膜室温微结构进行了研究.TiNi形状记忆薄膜在深度方向的相分布和元素分布是不均匀的,都是一种多层结构.室温下其微结构特征为最外层是Ti氧化膜,再下层是Ti3Ni4,B19’马氏体相和少量的B2奥氏体相的三相混合物,靠近基体为主要相成分马氏体,最后是Ni和Si界面反应层.X射线反射率的拟和结果显示薄膜微结构的分析是合理的.薄膜中相深度分布的不均匀性主要是动力学因素决定的.

关键词：相深度分布形状记忆 TiNi 多层膜

调制掺杂Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构的微应变

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核技术 2002年第10期25卷 799-804页

作者：谭伟石沙昊沈波蔡宏灵吴小山蒋树声郑文莉贾全杰姜晓明南京大学固体微结构物理国家重点实验室南京大学物理系南京210093 中国科学院高能物理研究所北京100039

用MOCVD方法在 (0 0 0 1)取向的蓝宝石 (α -Al2 O3)衬底上生长了不同势垒层厚度的Al0 .2 2Ga0 .78N/GaN异质结构 ,利用高分辨X射线衍射 (HRXRD)测量了其对称反射 (0 0 0 2 )和非对称反射 (10 14 )的倒易空间图 (RSM )。分析结果表明 ,... 详细信息

用MOCVD方法在 (0 0 0 1)取向的蓝宝石 (α -Al2 O3)衬底上生长了不同势垒层厚度的Al0 .2 2Ga0 .78N/GaN异质结构 ,利用高分辨X射线衍射 (HRXRD)测量了其对称反射 (0 0 0 2 )和非对称反射 (10 14 )的倒易空间图 (RSM )。分析结果表明 ,势垒层内部微结构与应变状态和下层i -GaN的微结构与应变状态互相关联 ,当厚度大于 75 0 时 ,势垒层开始发生应变弛豫 ,临界厚度大于5 0 0 。势垒层具有一种“非常规”应变弛豫状态 ,这种状态的来源可能与n -AlGaN的内部缺陷以及i-GaN/α -Al2

关键词：调制掺杂微应变 AlxGa1-x/GaN 异质结构高分辨X射线衍射微结构驰豫线模型半导体材料氮化镓铝

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高对称度光源的同步辐射X射线同轴相衬成像

科学通报 2017年第22期62卷 2544-2552页

作者：黎刚张杰易栖如王艳萍陈雨贾全杰姜晓明中国科学院高能物理研究所北京100049 中国科学院北京综合研究中心北京101407

全球现有的同步辐射光源中,电子束团在垂直于运动方向的截面上其水平尺寸和垂直尺寸的差异都较大,即同步辐射X射线(SRX)源的尺寸在水平和垂直两方向上有较大差异(二者的比值为光源的对称度,与1的差别越大,则对称度越差).这使得利用同步... 详细信息

全球现有的同步辐射光源中,电子束团在垂直于运动方向的截面上其水平尺寸和垂直尺寸的差异都较大,即同步辐射X射线(SRX)源的尺寸在水平和垂直两方向上有较大差异(二者的比值为光源的对称度,与1的差别越大,则对称度越差).这使得利用同步辐射X射线开展同轴相衬成像实验时,水平和垂直两个方向上入射X射线的点扩展函数相差较大,造成两个方向上空间分辨率有很大差别,这种差异还会造成两个方向上相位衬度水平的明显差别,从而严重影响同轴相位衬度成像的质量.本文通过在北京同步辐射装置(BSRF)成像线站(4W1A)束线上加入白光光阑直接限制光源对样品的点扩展函数的方法,获得了一个对称度大大提高的同步辐射X射线源(光源对称度从2.7提高到接近1),并开展了模型样品(聚酰胺细丝)的同轴相位衬度成像实验.使4W1A的光源对称度从2.7提高到1,虽然会使总通量约减小为原来的0.0005,但通量密度只减小到原来的0.22.总通量的减小由光斑尺寸的减小和通量密度的减小共同决定,由于高分辨率同轴成像需要的光斑尺寸很小,因此本方法对高分辨率同轴成像的不利影响仅限于通量密度的减小.同时,研究结果表明,通过关小水平光阑尺寸,把对成像有贡献的水平方向光源尺寸从1.23 mm减小到约0.35 mm,使模型样品成像的最大相位衬度从0.057提高到了0.35,即通过关小光阑提高光源的对称度,使同轴相衬成像的密度灵敏度提高了5倍.光源对称度的提高,使空间分辨率和相位衬度这两方面在水平方向和垂直方向达到相同的水平,从而极大改善了BSRF 4W1A线站SRX同轴相位衬度成像的质量.我们分析了成像质量提升的原因,并讨论了未来进一步改进的方向.

关键词： X射线同轴相位衬度成像光源对称度衬度空间分辨率同步辐射点扩展函数

GaAs/AlAs/GaAs氧化前后的微结构表征

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核技术 2002年第10期25卷 775-778页

作者：王勇贾海强王文充刘翠秀陈向明麦振洪郑文莉贾全杰姜晓明中国科学院物理研究所凝聚态物理中心北京100080 中国科学院高能物理研究所北京100039

研究了GaAs/AlAs/GaAs三层膜氧化前后成分和微结构的变化。对GaAs/AlAs/GaAs利用横向氧化的方式得到了GaAs/Al2 O3/GaAs薄膜 ,利用X射线小角反射和高角衍射技术进行了微结构表征。结果表明 ,氧化前GaAs/AlAs/GaAs结构中 ,AlAs层与表面G... 详细信息

研究了GaAs/AlAs/GaAs三层膜氧化前后成分和微结构的变化。对GaAs/AlAs/GaAs利用横向氧化的方式得到了GaAs/Al2 O3/GaAs薄膜 ,利用X射线小角反射和高角衍射技术进行了微结构表征。结果表明 ,氧化前GaAs/AlAs/GaAs结构中 ,AlAs层与表面GaAs之间存在着一层110 的均匀过渡层。AlAs层分成厚度为 4 0 和 10 5 0 的两层 ,而 4 0 厚的AlAs层的平均原子密度比 10 5 0 厚的减小。利用横向氧化的方式使得AlAs完全氧化为Al2 O3,而且与氧化前相比 ,其过渡层的厚度与粗糙度均减小。

关键词：微结构表征 GaAs/AlAs/GaAs 氧化三层膜砷化镓 X射线高角衍射 X射线小角反射砷化铝绝缘层薄膜