横向外延GaN结晶质量的同步辐射研究
Synchrotron X-ray diffraction analysis of epitaxial GaN layer laterally overgrown作者机构：中国科学院半导体研究所集成光电子学国家联合重点实验室北京100083 中国科学院高能物理研究所同步辐射室北京100039
出 版 物：《核技术》 (Nuclear Techniques)
年 卷 期：2002年第25卷第10期
页 面：770-774页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 082703[工学-核技术及应用] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 0807[工学-动力工程及工程热物理] 080501[工学-材料物理与化学] 0827[工学-核科学与技术] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0703[理学-化学] 0702[理学-物理学] 1009[医学-特种医学] 0801[工学-力学（可授工学、理学学位）]
主 题：结晶质量 GaN 横向外延生长 晶面倾斜 晶粒度 同步辐射 X光衍射 结构特征 半导体材料
摘 要：采用同步辐射X光衍射技术研究了α -Al2 O3(0 0 0 1)衬底上横向外延GaN的结构特征。发现横向生长区的GaN(0 0 0 1)晶面与窗口区的GaN(0 0 0 1)晶面在垂直掩模方向上存在取向差。ω/2θ联动扫描发现横向生长区的GaN的衍射峰半高宽约为窗口区GaN的一半 ,这表明横向外延生长技术在降低GaN穿透位错密度的同时 。
维普期刊数据库
同方期刊数据库