调制掺杂Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构的微应变

作     者：谭伟石 沙昊 沈波 蔡宏灵 吴小山 蒋树声 郑文莉 贾全杰 姜晓明 

作者机构：南京大学固体微结构物理国家重点实验室南京大学物理系南京210093 中国科学院高能物理研究所北京100039 

出 版 物：《核技术》 (Nuclear Techniques)

年 卷 期：2002年第25卷第10期

页      面：799-804页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 07[理学] 08[工学] 070205[理学-凝聚态物理] 0807[工学-动力工程及工程热物理] 080501[工学-材料物理与化学] 0827[工学-核科学与技术] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0703[理学-化学] 1009[医学-特种医学] 0702[理学-物理学] 0801[工学-力学（可授工学、理学学位）] 

基　　金：国家重点基础研究专项 (G2 0 0 0 0 6 83) 国家自然科学基金 (6 0 136 0 2 0 6 9976 0 14等 ) 国家高科技 (86 3)发展计划资助 

主　　题：调制掺杂 微应变 AlxGa1-x/GaN 异质结构 高分辨X射线衍射 微结构 驰豫线模型 半导体材料 氮化镓 铝 

摘      要：用MOCVD方法在 (0 0 0 1)取向的蓝宝石 (α -Al2 O3)衬底上生长了不同势垒层厚度的Al0 .2 2Ga0 .78N/GaN异质结构 ,利用高分辨X射线衍射 (HRXRD)测量了其对称反射 (0 0 0 2 )和非对称反射 (10 14 )的倒易空间图 (RSM )。分析结果表明 ,势垒层内部微结构与应变状态和下层i -GaN的微结构与应变状态互相关联 ,当厚度大于 75 0 时 ,势垒层开始发生应变弛豫 ,临界厚度大于5 0 0 。势垒层具有一种“非常规应变弛豫状态 ,这种状态的来源可能与n -AlGaN的内部缺陷以及i-GaN/α -Al2