检索结果-南通市图书馆

固体电子学研究与进展 2012年第1期32卷 54-57页

作者：丁晓明王佃利李相光蒋幼泉王因生黄静南京电子器件研究所南京210016

介绍了功率器件装配过程中控制芯片烧结工艺参数的重要性,用显微红外热像仪测试了器件烧结工艺参数优化前后的微波瞬态热像,由热像测试数据计算出器件的热阻,并对器件的热阻值进行了比较,结果表明,通过烧结工艺参数优化,可以将器件热阻... 详细信息

介绍了功率器件装配过程中控制芯片烧结工艺参数的重要性,用显微红外热像仪测试了器件烧结工艺参数优化前后的微波瞬态热像,由热像测试数据计算出器件的热阻,并对器件的热阻值进行了比较,结果表明,通过烧结工艺参数优化,可以将器件热阻降低约20%。

关键词：瞬态红外热像脉冲结温热阻

1．2～1．4GHz370W硅双极型晶体管研制

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固体电子学研究与进展 2014年第2期34卷 124-128页

作者：刘洪军王建浩丁晓明高群冯忠庸安明严德圣蒋幼泉南京电子器件研究所南京210016

通过进一步优化芯片设计与工艺设计，研制出L波段370W硅双极型功率晶体管。该器件在42V工作电压下，脉宽150μs，占空比10％，频率1．2～1．4GHz全带内，输出功率可达370W以上，增益达8．7dB，效率大于55％，具有良好的抗失配性能。

关键词：硅双极型晶体管 L波段脉冲功率管

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4H-SiC MESFET器件工艺

Journal of Semiconductors 2007年第Z1期28卷 565-567页

作者：陈刚柏松张涛汪浩李哲洋蒋幼泉南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室南京210016 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室南京210016 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室南京210016 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室南京210016 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室南京210016 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室南京210016

介绍了制作4H-SiC MESFET器件的关键工艺.通过改进工艺,采用半绝缘衬底的国产SiC三层外延片,制造出总栅宽为1mm,2GHz连续波下输出功率大于4W,小信号增益大于10dB的SiC MESFET.

关键词： 4H-SiC 金属半导体场效应管微波宽禁带半导体

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GaAs MMIC通孔破裂的应力分析

微纳电子技术 2004年第4期41卷 42-45页

作者：陈传荣赵霞蒋幼泉南京电子器件研究所GaAs工程中心江苏南京210016

就GaAsMMIC中器件通孔的应力分布、受力结构和应力来源展开讨论,得出了应力聚集于通孔边缘和圆形通孔具有最强受力能力的结论,并提出了降低应力的解决方案。

关键词： GaAs MMIC 通孔破裂应力砷化镓微波单片集成电路热膨胀匹配受力结构

1.2～1.4GHz 300W宽带硅微波脉冲大功率管

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固体电子学研究与进展 2012年第4期32卷 356-360,397页

作者：王因生丁晓明蒋幼泉傅义珠王佃利王志楠盛国兴严德圣南京电子器件研究所南京210016

介绍了L波段宽带硅微波脉冲300W大功率晶体管研制结果。该器件采用微波功率管环台面集电极结终端结构、非线性镇流电阻和热稳定等新工艺技术,在1.2～1.4GHz频带内,脉宽150μs,占空比10%和40V工作电压下,全带内脉冲输出功率大于300W,功... 详细信息

介绍了L波段宽带硅微波脉冲300W大功率晶体管研制结果。该器件采用微波功率管环台面集电极结终端结构、非线性镇流电阻和热稳定等新工艺技术,在1.2～1.4GHz频带内,脉宽150μs,占空比10%和40V工作电压下,全带内脉冲输出功率大于300W,功率增益大于8.75dB,效率大于55%。

关键词：硅微波功率管镇流电阻

10Gb/s GaAs PHEMT Current Mode Transimpedance Preamplifier for Optical Receiver

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Journal of Semiconductors 2007年第1期28卷 24-30页

作者：焦世龙叶玉堂陈堂胜冯欧蒋幼泉范超李拂晓电子科技大学光电信息学院成都610054 单片集成电路与模块国家级重点实验室南京210016 南京电子器件研究所南京210016

A single power supply common-gate （CG） current mode transimpedance preamplifier （TIA） is developed with a 0.5μm GaAs PHEMT process. The amplifier has a measured - 3dB bandwidth of 7. 5GHz and a transimpedance gain of 45dBΩ. Both the input and output voltage standing wave ratios （VSWR） are less than 2 within the bandwidth. The equivalent input noise current spectral density varies from 14.3 to 22pA/√Hz, with an average value of 17. 2pA/√Hz. Having a timing jitter of 14ps and eye amplitude of about 138mV,the measured output eye diagram for 10Gb/s NRZ pseudorandom binary sequence （PRBS） is clear and satisfactory.

关键词： GaAs PHEMT current mode preamplifier noise figure eye diagram

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一种超低插损砷化镓射频开关

固体电子学研究与进展 2003年第2期23卷 199-201页

作者：蒋幼泉李拂晓黄念宁钮利荣陈新宇邵凯杨乃彬南京电子器件研究所南京210016

报道了利用离子注入技术研制出一种用于手机的超低插损砷化镓单片射频单刀双掷开关。该产品在82 0～ 95 0 MHz下 ,插入损耗≤ 0 .4 d B,回波损耗≥ 1 9.5 d B,反向三阶交调截距点≥ 67d Bm,隔离度≥ 1 5 .5 d B,控制电压为 (0 ,+4 .75 V)

关键词：砷化镓射频开关手机超低插损单刀双掷 SPDT设计

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宽带GaAs三栅MESFET开关模型

Journal of Semiconductors 2002年第8期23卷 852-854页

作者：陈新宇陈继义郝西萍洪倩蒋幼泉李拂晓陈效建南京电子器件研究所南京210016

提出一种三栅 MESFET开关的模型——附加栅控开关模型 ,模型是根据三栅 MESFET开关器件的结构 ,考虑了栅极对微波信号的影响 ,适用于 MMIC开关电路的设计 ,具有很好的宽带微波特性 .器件测试值与模型模拟值吻合较好 .

关键词：开关模型宽带三栅MESFET 砷化镓单片电路

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宽带GaAs MESFET开关模型

固体电子学研究与进展 2003年第2期23卷 189-192页

作者：陈新宇徐全胜陈继义陈效建郝西萍李拂晓蒋幼泉南京电子器件研究所南京210016 总装备部情报研究所北京100036

提出了一种 MESFET开关的模型——附加栅控开关模型 ,适用于 MMIC电路的设计 ,具有很好的宽带微波特性。在 0 .1～ 2 0 GHz频率范围内。

关键词：开关模型 MESFET MMIC电路金属半导体场效应晶体管 GaAs 砷化镓等效电路

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高成品率砷化镓DPDT单片射频开关

固体电子学研究与进展 2003年第2期23卷 202-204,245页

作者：李拂晓蒋幼泉陈继义钮利荣高建峰邵凯杨乃彬南京电子器件研究所南京210016

采用砷化镓 76mm 0 .7μm离子注入 MESFET工艺技术研制出手机用砷化镓 DPDT单片射频开关(以下简称单片开关 )。该单片开关面积 1 3 1 0 μm× 1 2 5 0 μm,总栅宽 3 6mm,工作频率 DC～ 2 GHz,1 GHz下插入损耗 IL小于 0 .5 2 d B,隔离度... 详细信息

采用砷化镓 76mm 0 .7μm离子注入 MESFET工艺技术研制出手机用砷化镓 DPDT单片射频开关(以下简称单片开关 )。该单片开关面积 1 3 1 0 μm× 1 2 5 0 μm,总栅宽 3 6mm,工作频率 DC～ 2 GHz,1 GHz下插入损耗 IL小于 0 .5 2 d B,隔离度 ISO大于 1 7d B,驻波 VSWR≤ 1 .3 ,2 GHz下 IL小于 0 .7d B,ISO大于 1 1 d B,驻波≤ 1 .3 ,反向三阶交调 PTOI优于 64 d Bm,1 W射频信号下的栅漏电小于 2 0 μA。连续五批共 60片的统计结果表明 ,该单片开关圆片上芯片的直流成品率最低 84 % ,最高 96% ;微波参数成品率在 75 %～ 86%之间 ,代表着国内 Ga

关键词：砷化镓 DPDT 射频开关单片开关 GaAs 手机