GaAs MMIC通孔破裂的应力分析
Stress solution to via hole cracks in GaAs MMIC作者机构：南京电子器件研究所GaAs工程中心江苏南京210016
出 版 物：《微纳电子技术》 (Micronanoelectronic Technology)
年 卷 期：2004年第41卷第4期
页 面：42-45页
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
主 题：GaAs MMIC 通孔破裂 应力 砷化镓 微波单片集成电路 热膨胀匹配 受力结构
摘 要：就GaAsMMIC中器件通孔的应力分布、受力结构和应力来源展开讨论,得出了应力聚集于通孔边缘和圆形通孔具有最强受力能力的结论,并提出了降低应力的解决方案。
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