1.2～1.4GHz 300W宽带硅微波脉冲大功率管

作     者：王因生 丁晓明 蒋幼泉 傅义珠 王佃利 王志楠 盛国兴 严德圣 WANG Yinsheng;DING Xiaoming;JIANG Youquan;FU Yizhu;WANG Dianli;WANG Zhinan;SHENG Guoxing;YANG Desheng

作者机构：南京电子器件研究所南京210016 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：2012年第32卷第4期

页      面：356-360,397页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

主　　题：硅 微波 功率管 镇流电阻 

摘      要：介绍了L波段宽带硅微波脉冲300W大功率晶体管研制结果。该器件采用微波功率管环台面集电极结终端结构、非线性镇流电阻和热稳定等新工艺技术,在1.2～1.4GHz频带内,脉宽150μs,占空比10%和40V工作电压下,全带内脉冲输出功率大于300W,功率增益大于8.75dB,效率大于55%。