检索结果-南通市图书馆

碲溶剂法生长的Zn_(1-x)Cr_xTe稀磁半导体晶锭中富碲相的研究

维普期刊数据库评论

在线全文

维普期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

人工晶体学报 2011年第5期40卷 1102-1106页

作者：杨睿孙晓燕刘长友徐亚东查钢强王涛介万奇西北工业大学凝固技术国家重点实验室西安710072

利用碲溶剂法生长Zn1-xCrxTe晶体晶锭,用红外透过显微镜及扫描电子显微镜观察了晶锭不同位置富碲相的分布与形态。结果表明:晶锭的外围存在一层富碲相,Zn1-xCrxTe晶体的中部碲夹杂相较少,碲在晶界处易富集;红外透过显微成像所显示的晶... 详细信息

利用碲溶剂法生长Zn1-xCrxTe晶体晶锭,用红外透过显微镜及扫描电子显微镜观察了晶锭不同位置富碲相的分布与形态。结果表明:晶锭的外围存在一层富碲相,Zn1-xCrxTe晶体的中部碲夹杂相较少,碲在晶界处易富集;红外透过显微成像所显示的晶粒内部的较大碲夹杂相呈六边形,而晶界处的碲夹杂相形状不规则。

关键词： Zn1-xCrxTe 碲溶剂法富碲相

表面损伤层对Hg_(1-x)Mn_xTe晶片电学参数的影响

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

稀有金属材料与工程 2007年第3期36卷 390-393页

作者：王泽温介万奇李培森谷智刘长友李强查钢强汪晓芹西北工业大学材料学院陕西西安710016

采用范德堡法在77K下对多个Hg1-xMnxTe晶片化学抛光前后的电学性能进行了Hall测量。结果发现:与化学抛光后所测值相比,抛光前所测得的电阻率和霍尔系数值相对较小,而霍尔迁移率和载流子浓度相对较大,其中电阻率和霍尔迁移率在化学抛光... 详细信息

采用范德堡法在77K下对多个Hg1-xMnxTe晶片化学抛光前后的电学性能进行了Hall测量。结果发现:与化学抛光后所测值相比,抛光前所测得的电阻率和霍尔系数值相对较小,而霍尔迁移率和载流子浓度相对较大,其中电阻率和霍尔迁移率在化学抛光前后变化幅度分别高达25%和31%,而霍尔系数和载流子浓度的变化幅度只有2%左右。化学抛光前,晶片表面损伤层内存在大量位错,对载流子的迁移造成散射,使得损伤层中的霍尔迁移率降低,但化学抛光前所测得的霍尔迁移率反而比抛光后的大,增幅最小的也达到了21%。本研究在3层模型的基础上,通过理论分析和计算,对这一反常现象以及化学抛光前后其它电学参数的变化进行了解释。

关键词： Hg1-xMnxTe 表面损伤层电学参数霍尔迁移率

Electrical properties and electrical field in depletion layer for CZT crystals

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

中国有色金属学会会刊：英文版 2006年第B01期16卷 75-78页

作者：李强介万奇傅莉杨戈查钢强王涛白旭旭 College of Materials Science and Engineering Northwestern Polytechnical UniversityXi’an 710072China College of Materials Science and Engineering Northw estern Polytechnical UniversityXi’an 710072China

Current—voltage (I—V) and capacitance—voltage (C—V) characteristics of Au/p-CZT contacts with different surface treatments on cadmium zinc telluride (CZT) wafer’s surface were measured with Agilent 4339B high resistance meter and Agilent 4294A precision impedance analyzer, respectively. The Schottky barrier height was 0.85±0.05, 0.96±0.05 eV for non-passivated and passivated CZT crystals by I—V measurement. By C—V measurement, the Schottky barrier height was 1.39±0.05, 1.51±0.05 eV for non-passivated and passivated CZT crystals. The results show that the passivation treatment can increase the barrier height of the Au/p-CZT contact and decrease the leakage current. The main reason is that the higher barrier height of Au/p-CZT contacts can decrease the possibility for electrons to pass through the native TeO2 film. Most of the applied voltage appears on the depleted layer and there is only a negligible voltage drops across the nearly undepleted region. Furthermore, the electric field in the depleted layer is not uniform and can be calculated by the depletion approximation. The maximum electric field of CZT crystals is Em1=133 V/cm at x=0 for non-passivated CZT crystal and Em2=55 V/cm for passivated CZT crystal, respectively.

关键词： CZT晶体耗尽层电学性质电子场

新型CZT半导体X射线和g射线探测器研制与应用展望

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

物理 2013年第12期42卷 862-869页

作者：查钢强王涛徐亚东介万奇西北工业大学材料学院西安710072

CdZnTe(CZT)半导体是一种性能优异的室温X射线和γ射线探测材料,在环境监测、医学诊断、工业无损检测、安全检查、空间科学等众多领域有广泛的应用前景。文章简要介绍了CZT探测器的基本工作原理和性能评价指标,阐述了CZT晶体物理性能对... 详细信息

CdZnTe(CZT)半导体是一种性能优异的室温X射线和γ射线探测材料,在环境监测、医学诊断、工业无损检测、安全检查、空间科学等众多领域有广泛的应用前景。文章简要介绍了CZT探测器的基本工作原理和性能评价指标,阐述了CZT晶体物理性能对CZT探测器性能的影响规律和CZT探测器的模拟与设计方法。CZT半导体探测器的应用与发展前景广阔,为此需要重点开展高质量、低成本的CZT晶体生长研究,CZT探测器的设计与制备以及辐射探测整机系统的设计与开发。

关键词： CdZnTe半导体高能射线探测器

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

室温核辐射探测器用碲锌镉晶体生长研究进展

人工晶体学报 2020年第4期49卷 561-569页

作者：杨帆王涛周伯儒席守智查钢强介万奇西北工业大学凝固技术国家重点实验室陕西迪泰克新材料有限公司

碲锌镉(CdZnTe,CZT)晶体被认为是目前最有前途的室温半导体探测器材料之一,基于该晶体的探测器件具有能量分辨率高、体积小、便携等优点。而大面积CZT像素探测器的快速发展以及对高能、大剂量X射线探测的需求,对CZT材料的质量和尺寸提... 详细信息

碲锌镉(CdZnTe,CZT)晶体被认为是目前最有前途的室温半导体探测器材料之一,基于该晶体的探测器件具有能量分辨率高、体积小、便携等优点。而大面积CZT像素探测器的快速发展以及对高能、大剂量X射线探测的需求,对CZT材料的质量和尺寸提出了更高的要求。本文从CZT晶体的基本物性参数入手,探讨了大尺寸CZT晶体生长的影响因素,对两种主要的CZT生长方法——布里奇曼法和移动加热器法的研究进展进行了综述。

关键词：核辐射探测碲锌镉晶体布里奇曼法移动加热器法

在线全文

同方期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

CdZnTe伽马射线探测器的能谱特性分析

人工晶体学报 2021年第10期50卷 1883-1891页

作者：于晖张蒙蒙杜园园席守智查钢强介万奇陕西迪泰克新材料有限公司西北工业大学材料学院凝固技术国家重点实验室辐射探测材料与器件工信部重点实验室中国科学院高能物理研究所粒子天体物理重点实验室

CdZnTe（CZT）探测器目前在国内外天体物理研究中占有重要的地位。本文采用蒙特卡洛软件GEANT4模拟了CZT伽马射线探测器对伽马射线的能谱响应,研究了电子和空穴的输运特性、外加偏压、探测器厚度等因素对平面型探测器的能谱特性的影响... 详细信息

CdZnTe（CZT）探测器目前在国内外天体物理研究中占有重要的地位。本文采用蒙特卡洛软件GEANT4模拟了CZT伽马射线探测器对伽马射线的能谱响应,研究了电子和空穴的输运特性、外加偏压、探测器厚度等因素对平面型探测器的能谱特性的影响规律。结果表明,在电子收集效率较高时,能量分辨率明显受迁移率寿命积比值(（μτ）;/（μτ）;)的影响,比值越小,能量分辨率越好。增加工作电压可以提高载流子的收集效率和探测器的能量分辨率。在电子收集效率较高时,增大厚度可以弱化空穴信号贡献,提高能量分辨率。漂移程与晶体厚度之比（μτ）;E/d可以用来估算平面型CZT探测器对低能射线的收集效率,并计算出其对应关系。

关键词：辐射探测晶体伽马射线探测器 CdZnTe探测器 GEANT4 CdZnTe晶体能量分辨率能谱

Cd/Zn气氛退火过程中CdZnTe晶体内Te夹杂的迁移研究

在线全文

同方期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

功能材料 2014年第7期45卷 7135-7138页

作者：周岩介万奇何亦辉蔺云郭欣刘惠敏王涛徐亚东查钢强西北工业大学凝固技术国家重点实验室西安710072

通过红外透过成像研究了 Cd/Zn 气氛退火过程中 Cd0．9 Zn0．1 Te∶In 晶体内 Te 夹杂的密度及尺寸分布的演变.结果发现,Cd/Zn 气氛退火前,晶体中的 Te 夹杂密度分布比较均匀；退火后,晶体高温端近表面区域的 Te 夹杂密度较退火前提高了... 详细信息

通过红外透过成像研究了 Cd/Zn 气氛退火过程中 Cd0．9 Zn0．1 Te∶In 晶体内 Te 夹杂的密度及尺寸分布的演变.结果发现,Cd/Zn 气氛退火前,晶体中的 Te 夹杂密度分布比较均匀；退火后,晶体高温端近表面区域的 Te 夹杂密度较退火前提高了1个数量级,而晶体内部的 Te 夹杂密度则较退火前降低了1个数量级,且其密度沿温度梯度方向逐渐增加.退火前,晶体表面和内部的 Te 夹杂的直径主要分布在1~25μm；退火后,在晶体表面,直径＜45μm 的 Te 夹杂密度显著增大；而在晶体内部,直径＜5μm 和＞25μm的 Te 夹杂密度显著增大.导致这些现象的原因是退火过程中,Te 夹杂沿着温度梯度方向不断向晶体表面迁移,在迁移过程中尺寸相近的 Te 夹杂通过合并长大,尺寸相差较大的 Te 夹杂则以 Ostwald 熟化方式长大,并使小尺寸的 Te 夹杂更小.但由于熟化不充分,在 Ostwald 熟化长大过程中留下了很多尺寸＜5μm 的 Te 夹杂颗粒.

关键词： CdZnTe Cd Zn合金退火 Te夹杂迁移机制

热激电流谱确定CZT:In中的陷阱能级(英文)

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

中国有色金属学会会刊：英文版 2012年第S1期22卷 148-152页

作者：南瑞华介万奇查钢强白旭旭王蓓于晖西北工业大学材料科学与工程学院学院凝固技术国家重点实验室西安710072 上海交通大学物理系人工结构及量子调控教育部重点实验室上海200240 空军工程大学理学院西安710051

熔体法生长的半绝缘碲锌镉(Cd1-xZnxTe 或者CZT)晶体中存在着很多缺陷,这些缺陷作为陷获中心在带隙中引入了深能级,从而严重影响 CZT 的探测性能。分别采用初始上升法和同步多峰分析法(SIMPA)分析热激电流谱(TSC),从而获得了半绝缘的铟... 详细信息

熔体法生长的半绝缘碲锌镉(Cd1-xZnxTe 或者CZT)晶体中存在着很多缺陷,这些缺陷作为陷获中心在带隙中引入了深能级,从而严重影响 CZT 的探测性能。分别采用初始上升法和同步多峰分析法(SIMPA)分析热激电流谱(TSC),从而获得了半绝缘的铟掺杂的Cd0.9Zn0.1Te晶体中的陷阱能级分布。结果表明:由于重叠峰的干扰,初始上升法在确定陷阱峰的最大值时会产生较大的误差;而 SIMPA法被证实适用于分离重叠峰,可同步获得较全面的陷阱能级分布。基于此,获得了半绝缘 CZT:In晶体的缺陷能级分布结果,即包含十个陷阱能级和一个影响暗电流分布的深施主能级 EDD。此外,通过EDD能级与费米能级的关系,解释了CZT:In晶体获得高阻特性的原因。

关键词： Cd1-xZnxTe 陷获深能级热激电流谱

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

室温反应合成ZnSe粉体工艺研究

材料导报 2012年第2期26卷 10-13页

作者：刘长友孙晓燕王涛查钢强介万奇西北工业大学材料学院凝固技术国家重点实验室西安710072

室内自然环境下在三乙醇胺(Triethanolamine,TEA)中利用硼氢化钾(KBH4)固相还原单质硒(Se),获得了稳定的硒氢酸根离子(HSe-)。在TEA中通过HSe-与ZnSO4.7H2O反应制备了橙黄色中间体。有机元素分析、全谱直读等离子体发射光谱(ICP)分析、... 详细信息

室内自然环境下在三乙醇胺(Triethanolamine,TEA)中利用硼氢化钾(KBH4)固相还原单质硒(Se),获得了稳定的硒氢酸根离子(HSe-)。在TEA中通过HSe-与ZnSO4.7H2O反应制备了橙黄色中间体。有机元素分析、全谱直读等离子体发射光谱(ICP)分析、红外光谱和紫外-可见光谱等测试结果表明,中间体由无机化合物组成。采用中间体分解、碱中和和二次还原工艺分别获得了初级、纯化和单相的ZnSe粉体。XRD和HRTEM测试结果表明,所制ZnSe粉体具有闪锌矿结构。室温荧光光谱测试结果显示样品在470nm和500nm具有强的荧光发射。

关键词：硒化锌室温反应固相还原