碲溶剂法生长的Zn_(1-x)Cr_xTe稀磁半导体晶锭中富碲相的研究

作     者：杨睿 孙晓燕 刘长友 徐亚东 查钢强 王涛 介万奇 YANG Rui;SUN Xiao-yan;LIU Chang-you;XU Ya-dong;ZHA Gang-qiang;WANG Tao;JIE Wan-qi

作者机构：西北工业大学凝固技术国家重点实验室西安710072 

出 版 物：《人工晶体学报》 (Journal of Synthetic Crystals)

年 卷 期：2011年第40卷第5期

页      面：1102-1106页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 0817[工学-化学工程与技术] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0703[理学-化学] 0702[理学-物理学] 

基　　金：国家重点基础研究发展计划(973)项目(2011CB610406) 国家自然科学基金资助项目 

主　　题：Zn1-xCrxTe 碲溶剂法 富碲相 

摘      要：利用碲溶剂法生长Zn1-xCrxTe晶体晶锭,用红外透过显微镜及扫描电子显微镜观察了晶锭不同位置富碲相的分布与形态。结果表明:晶锭的外围存在一层富碲相,Zn1-xCrxTe晶体的中部碲夹杂相较少,碲在晶界处易富集;红外透过显微成像所显示的晶粒内部的较大碲夹杂相呈六边形,而晶界处的碲夹杂相形状不规则。