检索结果-南通市图书馆

温度对CdZnTe载流子输运特性和能谱特性的影响

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光电子．激光 2012年第3期23卷 506-511页

作者：刘婷介万奇查钢强徐亚东王涛西北工业大学凝固技术国家重点实验室陕西西安710072

采用垂直布里奇曼法生长的CdZnTe(CZT)单晶,制备出单平面探测器。在210～300K温度范围内,测试了不同外加偏压作用下探测器的漏电流,并计算了低压下CZT的体电阻率。同时,在不同电场作用下,测试了CZT探测器对未经准直的241 Am@5.48 MeVα... 详细信息

采用垂直布里奇曼法生长的CdZnTe(CZT)单晶,制备出单平面探测器。在210～300K温度范围内,测试了不同外加偏压作用下探测器的漏电流,并计算了低压下CZT的体电阻率。同时,在不同电场作用下,测试了CZT探测器对未经准直的241 Am@5.48 MeVα粒子脉冲响应信号的上升时间,计算出电子迁移率为1 360cm2/V-1s-1,并进一步推算出电子寿命随温度的变化规律。在220～300K温度范围内,对比了CZT探测器对241 Am@59.5keVγ射线的能谱响应结果,分析了载流子传输特性及器件性能随温度的变化规律。结果表明,在298～253K温度范围内,降低温度可以提高晶体的体电阻率,减少探测器工作时的漏电流,进而提高探测器的能量分辨率;但当温度低于253K时,电子寿命τe加剧减小,此时由上升时间起伏而引起的全能峰的展宽不能被忽略,导致探测器性能恶化。

关键词： CdZnTe(CZT) 能谱响应漏电流电阻率载流子传输

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CdZnTe探测器γ射线响应及稳定性研究

光电子．激光 2010年第3期21卷 331-334页

作者：徐亚东介万奇何亦辉查钢强王涛王军西北工业大学材料学院陕西西安710072 中核北京核仪器厂北京100176

基于自制的CdZnTe(CZT)平面探测器(10 mm×10 mm×2.5 mm),研究其对未经准直241Am(59.5 keV)γ射线连续10 h的光谱响应变化规律,未发现极化现象,并验证了其具有较好的长期稳定性。制备CZT弗里希电容栅格探测器(10 mm×5 mm×10 mm),测... 详细信息

基于自制的CdZnTe(CZT)平面探测器(10 mm×10 mm×2.5 mm),研究其对未经准直241Am(59.5 keV)γ射线连续10 h的光谱响应变化规律,未发现极化现象,并验证了其具有较好的长期稳定性。制备CZT弗里希电容栅格探测器(10 mm×5 mm×10 mm),测试发现,其对未经准直能量为662 keV137Csγ射线的能量分辨率约为3.65%。

关键词： CdZnTe(CZT)探测器极化电子迁移率寿命积(μτ)e γ射线

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CdZnTe晶体的加工与表面质量控制

CdZnTe晶体的加工与表面质量控制

作者：查钢强西北工业大学

学位级别：硕士

CdZnTe（CZT）晶体材料由于其优异的光电性能，得到了人们的广泛注意。它不仅是生长红外探测器材料HgCdTe最理想的外延衬底，而且还被广泛用于制备高性能x射线或γ射线探测器、光电调制器、太阳能电池和激光窗口等。获... 详细信息

CdZnTe（CZT）晶体材料由于其优异的光电性能，得到了人们的广泛注意。它不仅是生长红外探测器材料HgCdTe最理想的外延衬底，而且还被广泛用于制备高性能x射线或γ射线探测器、光电调制器、太阳能电池和激光窗口等。获得高性能、高质量的CZT晶体是至关重要的。无论是作探测器还是作外延衬底等都要求它的表面质量要非常高，因为表面质量会直接影响到器件的性能。目前CZT晶片的表面质量的标准，我国正在制定中。本文提出了从三个方面来表征晶片的表面质量，即表面粗糙度，表面应力以及表面化学成分。 CZT晶片软且脆，表面加工难度很大，很容易破碎。本文的主要目的是获得高精度、无损伤且洁净的晶体表面。采用了机械抛光代替了手工抛光，解决了手工抛光造成的表面不均匀以及表面损伤层过厚的问题，并比较了机械抛光与化学机械抛光，初步摸索了合适的化学机械抛光工艺。

关键词： CdZnTe 表面粗糙度表面损伤层研磨化学机械抛光

N2H4·H2O水热体系ZnO微晶的结晶特性

同方学位论文库评论

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功能材料 2011年第11期42卷 2092-2095页

作者：刘长友谷智王涛查钢强介万奇西北工业大学材料学院凝固技术国家重点实验室陕西西安710072

研究了低浓度(0.01～0.20mol/L)N2H4.H2O条件下ZnO微晶的低温水热结晶特性。N2H4.H2O弱碱性和N2H5+吸附配位性影响ZnO微晶的形核和各晶面的生长速率。随着N2H4.H2O浓度的提高,ZnO微晶分别呈板条状、六角片状和六角棒束状。碱性分散剂和... 详细信息

研究了低浓度(0.01～0.20mol/L)N2H4.H2O条件下ZnO微晶的低温水热结晶特性。N2H4.H2O弱碱性和N2H5+吸附配位性影响ZnO微晶的形核和各晶面的生长速率。随着N2H4.H2O浓度的提高,ZnO微晶分别呈板条状、六角片状和六角棒束状。碱性分散剂和超声的分散作用影响主要在成核阶段;受分散剂弱碱性的影响,0.20mol/L N2H4.H2O显现出强的还原性,N2气泡模板生长机制使所制ZnO微晶呈六角管状晶须束。

关键词：氧化锌水热合成结晶习性水合肼

CsPbBr3单晶薄膜制备及其X射线探测性能研究

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人工晶体学报 2021年第10期50卷 1900-1906页

作者：张欣雷王涛查钢强西北工业大学辐射探测材料与器件工信部重点实验室西北工业大学深圳研究院

X射线探测在医疗、工业无损检测、国土安全等领域具有重要意义。制备高灵敏度的X射线探测器可以降低X射线剂量,在医疗和安检中至关重要。本文系统研究了采用空间限域法制备的高质量CsPbBr3单晶薄膜,并用该薄膜制备出了性能良好的X射线... 详细信息

X射线探测在医疗、工业无损检测、国土安全等领域具有重要意义。制备高灵敏度的X射线探测器可以降低X射线剂量,在医疗和安检中至关重要。本文系统研究了采用空间限域法制备的高质量CsPbBr3单晶薄膜,并用该薄膜制备出了性能良好的X射线探测器。借助偏光显微镜、扫描电子显微镜及其配备的能谱系统和背散射电子衍射系统对薄膜的形貌、厚度、成分和取向进行了分析。研究发现所制备的单晶薄膜表面平整、光滑,元素分布均匀,晶体取向均一。利用该薄膜制备的探测器具有较高电阻率(约7.23×10~8 W·cm)和极高的灵敏度(约2 610μC·Gy-1·cm-2)。

关键词： CsPbBr3 钙钛矿单晶薄膜 X射线探测高灵敏度空间限域法

Au与p-CZT接触的界面势垒研究(英文)

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功能材料 2006年第7期37卷 1146-1148页

作者：李强介万奇傅莉查钢强西北工业大学材料科学与工程学院陕西西安710072

用同步光电子能谱研究了NH4F/H2O2钝化p-CZT表面效应,钝化处理晶体表面后,表面态能峰消失。用未钝化和钝化两种工艺方法来对比p-CZT晶体表面的钝化效果。同时用同步光电子能谱研究了Au与p-CZT接触的界面势垒。其中界面势垒可以由价带区... 详细信息

用同步光电子能谱研究了NH4F/H2O2钝化p-CZT表面效应,钝化处理晶体表面后,表面态能峰消失。用未钝化和钝化两种工艺方法来对比p-CZT晶体表面的钝化效果。同时用同步光电子能谱研究了Au与p-CZT接触的界面势垒。其中界面势垒可以由价带区域的新能级EV-C和新能级与Fermi能级的差决定。未钝化和钝化的Au/p-CZT的界面势垒分别为(0.88±0.1)eV和(1.17±0.1)eV。

关键词：同步光电子能谱界面势垒钝化

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室温固相反应合成碱式碳酸锌

功能材料 2012年第4期43卷 537-540页

作者：刘长友介万奇王涛查钢强谷智孙晓燕西北工业大学材料学院凝固技术国家重点实验室陕西西安710072

以七水硫酸锌(ZnSO4.7H2O)和碳酸氢铵(NH4HCO3)为原料,以聚乙二醇-400(PEG-400)为模板,通过室温固相反应制备了碳酸锌(ZnCO3)和碱式碳酸锌(ZnCO3.3Zn(OH)2.H2O,basic zinc carbon-ate,BZC)。通过XRD测试及其半定量成分分析,研究了PEG-400剂量和NH4HCO3与ZnSO4.7H2O摩尔比x值对合成产物物相的影响。总结了PEG-400模板辅助合成ZnCO3和BZC的反应机制。结果表明,PEG-400包覆ZnSO4.7H2O颗粒形成模板,模板层的厚度影响固相反应的微观机制———薄层单向扩散与厚层互扩散,局部微环境的酸碱性决定着产物物相,酸性抑制ZnCO3水解,碱性促进ZnCO3水解生成BZC。由据此设计的较高x值(x=3.0)、较低PEG-400剂量(70μL)的合成工艺,制备了单相BZC粉体。

关键词：碳酸锌碱式碳酸锌固相反应合成

II-VI族化合物半导体量子结构材料和器件的研究与发展

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材料工程 2011年第6期39卷 87-91页

作者：郝建伟查钢强介万奇北京航空航天大学北京100191 西北工业大学材料学院西安710072

简要介绍了量子结构材料与器件中的基本概念,重点介绍了量子结构的定义和量子尺寸效应的能带裁剪工程。以II-VI族化合物半导体为例,介绍了量子尺寸效应对于激子束缚能的影响。以此为基础,综述了II-VI族化合物半导体量子阱、量子点等量... 详细信息

简要介绍了量子结构材料与器件中的基本概念,重点介绍了量子结构的定义和量子尺寸效应的能带裁剪工程。以II-VI族化合物半导体为例,介绍了量子尺寸效应对于激子束缚能的影响。以此为基础,综述了II-VI族化合物半导体量子阱、量子点等量子结构材料以及量子结构器件在光电探测、发光器件与太阳能电池领域的研究现状,并总结了II-VI族化合物半导体量子结构材料与器件的发展趋势。

关键词： Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体量子结构激子效应量子尺寸效应

真空蒸发沉积CdZnTe纳米薄膜的结构与形貌

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功能材料 2010年第2期41卷 282-284页

作者：周昊介万奇查钢强高俊宁西北工业大学凝固技术国家重点实验室陕西西安710072

采用真空蒸发沉积技术在ITO玻璃上制备得到CdZnTe纳米晶薄膜,并利用台阶仪、X射线能谱仪(EDS)、X射线衍射仪(XRD)和原子力显微镜(AFM)研究了CdZnTe薄膜厚度、成分、结构和形貌特征。实验结果表明,薄膜在(111)面表现出明显的择优生长特... 详细信息

采用真空蒸发沉积技术在ITO玻璃上制备得到CdZnTe纳米晶薄膜,并利用台阶仪、X射线能谱仪(EDS)、X射线衍射仪(XRD)和原子力显微镜(AFM)研究了CdZnTe薄膜厚度、成分、结构和形貌特征。实验结果表明,薄膜在(111)面表现出明显的择优生长特性。在薄膜生长初期,纳米薄膜中存在一定程度的非晶态富集Te,但随着沉积时间延长,薄膜成分向化学计量比逼近,结构也向闪锌矿CdZnTe转变。薄膜表面形貌平整,粗糙度Ra约为2～5nm。随着沉积时间的延长,薄膜形貌由晶粒堆砌状向多晶层片连接状转变。在沉积时间分别为15、30和45min时,薄膜的厚度依次分别约为100、300和500nm,而薄膜的晶粒平均尺寸依次分别为43.15、30.81和71.94nm。

关键词： CdZnTe薄膜纳米结构形貌