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一个基于BSIM3的LDMOS大信号模型

微电子学 2013年第1期43卷 130-133页

作者：龚鸿雁卜建辉姜一波王帅杜寰韩郑生中国科学院微电子研究所北京100029

提出了一个基于BSIM3的LDMOS大信号模型。LDMOS晶体管分为本征MOS晶体管和漂移区电阻两部分,本征MOS晶体管采用BSIM3模型,漂移区电阻采用一个随栅漏电压变化的电阻模型。根据ISE仿真结果,可以得到漂移区电阻模型。模型考虑自加热效应后... 详细信息

提出了一个基于BSIM3的LDMOS大信号模型。LDMOS晶体管分为本征MOS晶体管和漂移区电阻两部分,本征MOS晶体管采用BSIM3模型,漂移区电阻采用一个随栅漏电压变化的电阻模型。根据ISE仿真结果,可以得到漂移区电阻模型。模型考虑自加热效应后,经过参数提取,模拟数据可以很好地与实际器件的测试数据相吻合,说明模型可用于LDMOS功率器件的电路仿真。

关键词： LDMOS 漂移区电阻大信号模型自加热效应

The realization of an SVGA OLED-on-silicon microdisplay driving circuit

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Journal of Semiconductors 2012年第3期33卷 81-86页

作者：赵博华黄苒马飞谢国华张振松杜寰罗家俊赵毅 Institute of Microelectronics Chinese Academy of Sciences National Laboratory of Integrated Optoelectronics Jilin University

An 800×600 pixel organic light-emitting diode-on-silicon（OLEDoS） driving circuit is *** pixel cell circuit utilizes a subthreshold-voltage-scaling structure which can modulate the pixel current between 170 pA and 11.4 *** order to keep the voltage of the column bus at a relatively high level,the sample-and-hold circuits adopt a ping-pong *** driving circuit is fabricated in a commercially available 0.35μm two-poly four-metal 3.3 V mixed-signal CMOS *** pixel cell area is 15×15μm^2 and the total chip occupies 15.5×12.3 mm^*** results show that the chip can work properly at a frame frequency of 60 Hz and has a 64 grayscale（monochrome） *** total power consumption of the chip is about 85 mW with a 3.3 V supply voltage.

关键词： microdisplav OLED-on-silicon pixel SVGA 64 grayscale buffer

A thru-reflect-line calibration for measuring the characteristics of high power LDMOS transistors

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Journal of Semiconductors 2013年第3期34卷 43-47页

作者：王帅李科姜一波丛密芳杜寰韩郑生 Institute of Microelectronics Chinese Academy of Sciences

The impedance and output power measurements of LDMOS transistors are always a problem due to their low impedance and lead *** improved thru-reflect-line(TRL) calibration algorithm for measuring the characteristics of L-band high power LDMOS transistors is *** to the TRL algorithm,the individual two-port S parameters of each fixture half can be *** de-embedding these S parameters of the test fixture,an accurate calibration can be *** improved TRL calibration algorithm is successfully utilized to measure the characteristics of an L-band LDMOS transistor with a 90 mm gate *** impedance of the transistor is obtained,and output power at 1 dB compression point can reach as much as 109.4 W at 1.2 GHz, achieving 1.2 W/mm power *** the results,it is seen that the presented TRL calibration algorithm works well.

关键词： thru-reflect-line lateral double-diffused MOSFET low impedance test fixture impedance output power

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双栅氧LDMOS器件工艺技术的研究与改进

半导体技术 2008年第9期33卷 784-786页

作者：王文博宋李梅王晓慧杜寰韩郑生中国科学院微电子研究所北京100029

双栅氧LDMOS器件刻蚀过程中极易造成多晶硅残留现象,降低了栅极和源区之间的击穿电压。改进了制备双栅氧LDMOS器件的方法,对于70 nm以下的栅氧厚度,采用保留整个厚栅氧器件区域栅氧的刻蚀方法,同时用一次多晶工艺代替二次多晶工艺,消除... 详细信息

双栅氧LDMOS器件刻蚀过程中极易造成多晶硅残留现象,降低了栅极和源区之间的击穿电压。改进了制备双栅氧LDMOS器件的方法,对于70 nm以下的栅氧厚度,采用保留整个厚栅氧器件区域栅氧的刻蚀方法,同时用一次多晶工艺代替二次多晶工艺,消除了多晶硅残留现象,减少了工艺步骤,提高了成品率;对于厚度大于70 nm或者100 nm的厚栅氧器件,除了以上的改进措施,还增加了一步光刻工艺,分别单独形成高压和低压器件的源漏区域。通过这些方法,解决了多晶残留问题,得到了性能更好的LDMOS器件,大大提高了成品率。

关键词：双栅氧刻蚀 LDMOS 栅源台阶高度多晶残留

改进的RF-LDMOS小信号模型参数提取方法

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半导体技术 2012年第2期37卷 159-163页

作者：王帅李科陈蕾姜一波龚鸿雁杜寰韩郑生中国科学院微电子研究所北京100029

准确地提取RF-LDMOS小信号模型参数对LDMOS大信号模型建模十分重要,而且好的小信号模型能很好地反映微波器件的性能。针对LDMOS提出了一种改进的小信号模型参数提取方法,此方法增加了测试结构的建模和参数提取,极大地方便了S参数曲线的... 详细信息

准确地提取RF-LDMOS小信号模型参数对LDMOS大信号模型建模十分重要,而且好的小信号模型能很好地反映微波器件的性能。针对LDMOS提出了一种改进的小信号模型参数提取方法,此方法增加了测试结构的建模和参数提取,极大地方便了S参数曲线的拟合,而且对于测试版图的研究有一定的指导意义。由此方法提取的小信号模型与实验测试数据在0.1～8 GHz拟合的很好,并且准确地预测了器件的特征频率。该模型和方法能够很好的适用于LDMOS的L,S波段小信号建模和参数提取。

关键词： LDMOS 小信号模型去嵌入参数提取曲线拟合

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LDMOS热阻的电学法测试与分析

微电子学 2015年第6期45卷 825-828页

作者：王魁松万宁丛密芳李永强李科杜寰中国科学院微电子研究所北京100029

基于结构函数理论,运用电学测试法,提取封装LDMOS导热路径上各层材料的热阻值,以及管壳与恒温平台之间的接触热阻值。对各层热阻进行分析,发现焊料层的热阻远大于理论值,提出了一种减小焊料层热阻的方法。改变管壳与恒温平台的接触情况... 详细信息

基于结构函数理论,运用电学测试法,提取封装LDMOS导热路径上各层材料的热阻值,以及管壳与恒温平台之间的接触热阻值。对各层热阻进行分析,发现焊料层的热阻远大于理论值,提出了一种减小焊料层热阻的方法。改变管壳与恒温平台的接触情况,分别测出不同接触情况下的热阻值,对比发现接触情况会影响结到壳热阻的大小,提出了减小接触热阻的方法。

关键词： LDMOS 电学法热阻结构函数接触热阻

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QVGA硅基液晶微显示

光电工程 2009年第1期36卷 131-134页

作者：黄苒王文博王晓慧杜寰欧毅韩郑生冯亚云凌志华中国科学院微电子研究所北京100029 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所长春130033

设计了QVGA分辨力硅基液晶(Liquid Crystal on Silicon)微显示芯片,采用比较器与计数器相结合的D/A转换方式,降低了芯片的功耗和电路的设计难度;设计了QVGA微显示芯片视频驱动系统,以CPLD为核心控制单元搭建了视频显示驱动板,接收计算... 详细信息

设计了QVGA分辨力硅基液晶(Liquid Crystal on Silicon)微显示芯片,采用比较器与计数器相结合的D/A转换方式,降低了芯片的功耗和电路的设计难度;设计了QVGA微显示芯片视频驱动系统,以CPLD为核心控制单元搭建了视频显示驱动板,接收计算机输出的VGA显示信号,经过控制单元进行行列变换与时序处理,驱动LCoS微显示芯片显示视频图像,测试结果表明显示芯片像素点灰度响应正确,符合液晶材料要求,能够显示分辨力320×240、帧频60Hz的动态视频,视频显示响应速度快,显示功能符合设计要求。

关键词： LCoS 微显示 QVGA 视频系统

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一种RF-LDMOS内匹配电路设计方法

现代电子技术 2014年第9期37卷 134-137页

作者：李赛从密芳李科杜寰上海联星电子有限公司上海200000 中国科学院微电子研究所北京100029

介绍了通过测试及ADS软件去嵌入得到RF-LDMOS管芯阻抗的方法,并通过测试结果验证其准确性。介绍了两种常用的内匹配电路形式及其特点,并采用其中一种通过ADS和HFSS两款仿真软件实现一款自主研发的45 mm栅宽RF-LDMOS内匹配电路,说明了内... 详细信息

介绍了通过测试及ADS软件去嵌入得到RF-LDMOS管芯阻抗的方法,并通过测试结果验证其准确性。介绍了两种常用的内匹配电路形式及其特点,并采用其中一种通过ADS和HFSS两款仿真软件实现一款自主研发的45 mm栅宽RF-LDMOS内匹配电路,说明了内匹配电路设计的一般步骤以及MOS电容和键合线HFSS仿真实现。测试结果表明,该匹配电路实现了预期功能,在工作频带内得到了较为稳定的输入/输出阻抗,同时1 dB压缩点增益达到16.5 dB,功率达到48.9 dBm,器件每毫米栅宽功率密度达到1.7 W/mm。

关键词：内匹配电路 MOS电容键合线

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全铌隧道结的工艺以及dc SQUID研究

全铌隧道结的工艺以及dc SQUID研究