一种RF-LDMOS内匹配电路设计方法

作     者：李赛 从密芳 李科 杜寰 LI Sai;CONG Mifang;LI Ke;DU Huan

作者机构：上海联星电子有限公司上海200000 中国科学院微电子研究所北京100029 

出 版 物：《现代电子技术》 (Modern Electronics Technique)

年 卷 期：2014年第37卷第9期

页      面：134-137页

学科分类：080902[工学-电路与系统] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 

基　　金：科技重大专项(2012ZX02502002) 

主　　题：内匹配电路 MOS电容 键合线 

摘      要：介绍了通过测试及ADS软件去嵌入得到RF-LDMOS管芯阻抗的方法,并通过测试结果验证其准确性。介绍了两种常用的内匹配电路形式及其特点,并采用其中一种通过ADS和HFSS两款仿真软件实现一款自主研发的45 mm栅宽RF-LDMOS内匹配电路,说明了内匹配电路设计的一般步骤以及MOS电容和键合线HFSS仿真实现。测试结果表明,该匹配电路实现了预期功能,在工作频带内得到了较为稳定的输入/输出阻抗,同时1 dB压缩点增益达到16.5 dB,功率达到48.9 dBm,器件每毫米栅宽功率密度达到1.7 W/mm。