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In离子在掺杂LiNbO_3晶体中的占位研究

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硅酸盐学报 2004年第5期32卷 603-607页

作者：徐悟生许士文李宣东王岩徐玉恒哈尔滨工业大学电子科学与技术系哈尔滨150001 哈尔滨工业大学应用化学系哈尔滨150001

测量了掺In系列LiNbO3晶体的吸收光谱和红外透射光谱,研究了In离子在掺In系列的固液同成分配比LiNbO3晶体中的占位情况。在In3+的掺入量低于阈值3%(摩尔分数)时,In离子占据NbLi4+位;在掺入量高于阈值3%时,In3+占据NbNb位和LiLi位。利用... 详细信息

测量了掺In系列LiNbO3晶体的吸收光谱和红外透射光谱,研究了In离子在掺In系列的固液同成分配比LiNbO3晶体中的占位情况。在In3+的掺入量低于阈值3%(摩尔分数)时,In离子占据NbLi4+位;在掺入量高于阈值3%时,In3+占据NbNb位和LiLi位。利用光斑畸变法得到掺In系列LiNbO3晶体的抗光损伤能力,发现在In3+掺入量高于阈值3%时的抗光损伤能力增强,比掺入量低于阈值的晶体高1～3个数量级。通过In3+的占位情况讨论了In系列掺杂LiNbO3晶体抗光损伤能力增强的机理。

关键词：掺杂铌酸锂晶体吸收光谱红外透射光谱光损伤

In:Fe:LiNbO_3晶体波导基片光折变性能的研究

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硅酸盐学报 2004年第4期32卷 476-480页

作者：郭亚军徐悟生张建徐玉恒哈尔滨工程大学化工学院哈尔滨150001 哈尔滨工业大学电子科学与技术系哈尔滨工业大学应用化学系哈尔滨150001

采用Czochralski技术生长了掺In摩尔分数分别为1%,2%和3%的In∶Fe∶LiNbO3晶体。测试In∶Fe∶LiNbO3晶体的红外光谱发现:3%In∶Fe∶LiNbO3晶体的OH-吸收峰由Fe∶LiNbO3晶体的3484cm-1位移到3507cm-1。首次以全息法研究了In∶Fe∶LiNbO3晶体波导基片光折变灵敏度。研究表明:晶体波导基片的光折变灵敏度大小顺序为Fe∶LiNbO3>1%In∶Fe∶LiNbO3>2%In∶Fe∶LiNbO3>3%In∶Fe∶LiNbO3。采用锂空位模型讨论了3%In∶Fe∶LiNbO3晶体OH-吸收峰位移的机理。讨论了In∶Fe∶LiNbO3晶体波导基片光折变灵敏度减弱和抗光折变能力增强的机理。

关键词：双掺铟和铁铌酸锂光折变波导基片引上法晶体生长

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掺锌LiNbO_3晶体的生长及其光学性能

光子学报 2002年第2期31卷 165-168页

作者：王锐徐悟生徐衍岭韦永德赵朝中哈尔滨工业大学应用化学系光电信息中心哈尔滨150001；山东大学晶体材料国家重点实验室济南250100 哈尔滨师范大学物理系哈尔滨150080

在 Li Nb O3 中掺进 3 mol%、5mol%、7mol% Zn O生长 Zn∶ L i Nb O3 晶体 .测试Zn∶ L i Nb O3 晶体的吸收光谱 ,研究 Zn∶ Li Nb O3 晶体吸收边紫移的机制 .测试 Zn∶ Li Nb O3晶体的红外光谱 ,研究 Zn( 7mol% )∶L i Nb O3 晶体 OH-... 详细信息

在 Li Nb O3 中掺进 3 mol%、5mol%、7mol% Zn O生长 Zn∶ L i Nb O3 晶体 .测试Zn∶ L i Nb O3 晶体的吸收光谱 ,研究 Zn∶ Li Nb O3 晶体吸收边紫移的机制 .测试 Zn∶ Li Nb O3晶体的红外光谱 ,研究 Zn( 7mol% )∶L i Nb O3 晶体 OH-吸收峰由 3 484cm- 1移到 3 53 0 cm- 1的机制 .测试 Zn∶ L i Nb O3 晶体倍频转换效率和相位匹配温度 ,研究 Zn∶ Li Nb O3

关键词： Zn:LiNbO3晶体光谱性能倍频性能掺锌铌酸锂晶体光学性能晶体生长

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掺杂LN晶体光折变效应及图象光存储特性

人工晶体学报 2003年第5期32卷 427-432页

作者：许心光许贵宝王正平胡大伟邵宗书徐悟生徐玉恒山东大学晶体材料国家重点实验室济南250100 哈尔滨工业大学应用化学系哈尔滨150001

利用514.5nm和632.8nm波长的激光,研究了单掺杂Fe和双掺杂Ce:Fe离子铌酸锂晶体的光折变二波耦合及光折变全息存储特性。实验结果表明生长态双掺杂Ce:Fe与单掺杂Fe的LiNbO_3晶体的光折变波耦合增益差异不明显,但双掺杂Ce:Fe的LiNbO_3晶... 详细信息

利用514.5nm和632.8nm波长的激光,研究了单掺杂Fe和双掺杂Ce:Fe离子铌酸锂晶体的光折变二波耦合及光折变全息存储特性。实验结果表明生长态双掺杂Ce:Fe与单掺杂Fe的LiNbO_3晶体的光折变波耦合增益差异不明显,但双掺杂Ce:Fe的LiNbO_3晶体的图象存储和擦除特性明显得到改善。氧化态样品具有较大的透过率光谱范围和较好的图象存储质量;还原态样品具有较大的光折变二波耦合增益特性。

关键词：铌酸锂晶体光折变效应图象存储透过率光谱掺杂 Fe LiNbO3晶体铁

Mg∶In∶LiNbO_3晶体波导基片光损伤性能研究

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硅酸盐学报 2003年第1期31卷 5-8页

作者：徐悟生许士文王锐徐玉恒哈尔滨工业大学电子科学与技术系

在LiNbO3中掺入 3%MgO和 1%In2 O3(摩尔分数 ,下同 ) ,采用Czochralski法生长了 3%Mg∶2 %In∶LiNbO3晶体。极化后 ,对晶体进行氧化和还原处理。利用光斑畸变法 ,测试了晶体在 488.0nm波长下的抗光损伤能力 ,结果表明 :Mg∶In∶LiNbO3... 详细信息

在LiNbO3中掺入 3%MgO和 1%In2 O3(摩尔分数 ,下同 ) ,采用Czochralski法生长了 3%Mg∶2 %In∶LiNbO3晶体。极化后 ,对晶体进行氧化和还原处理。利用光斑畸变法 ,测试了晶体在 488.0nm波长下的抗光损伤能力 ,结果表明 :Mg∶In∶LiNbO3晶体抗光损伤能力比LiNbO3晶体提高 2个数量级以上。通过Li空位模型 ,研究了Mg∶In∶LiNbO3晶体抗光损伤能力增强的机理。利用苯甲酸质子交换法制备了几种晶体的光波导基片 ,并采用m -线法测试了 y切型波导基片在 632 .8nm波长下的光损伤阈值 ,Mg∶In∶LiNbO3光波导基片的抗光损伤能力也相应提高了

关键词： Mg:In:LiNb03晶体波导基片光损伤性能研究掺杂铝酸锂晶体引上法晶体生长

In∶Nd∶LiNbO_3晶体倍频性能的研究

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光子学报 2005年第5期34卷 778-780页

作者：徐朝鹏许士文徐悟生徐玉恒哈尔滨工业大学电子科学与技术系哈尔滨150001 哈尔滨工业大学应用化学系哈尔滨150001

在LiNbO3 中掺进In2O3 和Nd2O3,以Czochralski技术生长了In∶Nd∶LiNO3 晶体通过光斑畸变法测得In∶Nd∶LiNbO3晶体的光损伤阈值为1. 98×104W /cm2,比Nd∶LiNbO3晶体的1. 6×102W /cm2高两个数量级以上;晶体吸收光谱的测试表明,In∶Nd... 详细信息

在LiNbO3 中掺进In2O3 和Nd2O3,以Czochralski技术生长了In∶Nd∶LiNO3 晶体通过光斑畸变法测得In∶Nd∶LiNbO3晶体的光损伤阈值为1. 98×104W /cm2,比Nd∶LiNbO3晶体的1. 6×102W /cm2高两个数量级以上;晶体吸收光谱的测试表明,In∶Nd∶LiNbO3 晶体的吸收边相对Nd∶LiNbO3 晶体发生紫移研究了In∶Nd∶LiNbO3 晶体的倍频性能,结果表明,In∶Nd∶LiNbO3 晶体的相位匹配温度在室温附近,倍频转换效率比Nd∶LiNbO晶体提高二倍.

关键词： In:Nd:LiNbO3晶体 Czochralski技术光损伤阈值倍频性能

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8英寸氟化钙单晶生长

人工晶体学报 2021年第3期50卷 407-409页

作者：徐悟生彭明林杨春晖秦皇岛本征晶体科技有限公司秦皇岛066000 哈尔滨工业大学化工与化学学院哈尔滨150006

氟化钙(CaF_(2))晶体是一种性能优良的光学晶体材料。本研究用坩埚下降法生长了8英寸(20.32 cm)氟化钙单晶,晶体外观完整,无开裂及散射等宏观缺陷。定向切割后得到∅40 mm×6 mm的透明圆柱形晶体毛坯,对毛坯样品进行二次退火处理后进行... 详细信息

氟化钙(CaF_(2))晶体是一种性能优良的光学晶体材料。本研究用坩埚下降法生长了8英寸(20.32 cm)氟化钙单晶,晶体外观完整,无开裂及散射等宏观缺陷。定向切割后得到∅40 mm×6 mm的透明圆柱形晶体毛坯,对毛坯样品进行二次退火处理后进行研磨抛光得到最终样品。对该系列样品进行紫外可见透过率、光学均匀性、应力双折射等测试。结果显示在200 nm波长处晶体透过率达到90%,平均应力双折射小于0.5 nm/cm,光学均匀性达到2.63×10^(-6)。

关键词：氟化钙晶体坩埚下降法晶体退火透过率光学均匀性应力双折射

In:Er:LiNbO_3晶体生长及光损伤性能研究

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人工晶体学报 2004年第3期33卷 301-304页

作者：许士文徐悟生李宣东徐玉恒哈尔滨工业大学电子科学与技术系哈尔滨150001 哈尔滨工业大学应用化学系哈尔滨150001

在LiNbO3 晶体中掺入In2 O3 和Er2 O3 ,利用提拉法生长了In :Er:LiNbO3 晶体 ,获得了In和Er在晶体中的分凝系数。通过测试晶体的吸收光谱和抗光损伤能力 ,确定In :Er :LiNbO3 晶体中In的掺杂阈值浓度为～ 3mol% ,In(3mol% ) :Er:LiNbO3... 详细信息

在LiNbO3 晶体中掺入In2 O3 和Er2 O3 ,利用提拉法生长了In :Er:LiNbO3 晶体 ,获得了In和Er在晶体中的分凝系数。通过测试晶体的吸收光谱和抗光损伤能力 ,确定In :Er :LiNbO3 晶体中In的掺杂阈值浓度为～ 3mol% ,In(3mol% ) :Er:LiNbO3 晶体的抗光损伤能力比Er:LiNbO3 提高 3个数量级以上。研究了In的掺入使Er:LiNbO3

关键词：晶体材料 In2O3 Er2O3 提拉法分凝系数铌酸锂生长工艺滤波器延迟线

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双掺杂LiNbO_3晶体光折变效应研究

压电与声光 2004年第5期26卷 386-389页

作者：许心光许贵宝王正平杨旭东邵宗书徐悟生徐玉恒山东大学晶体材料国家重点实验室济南250100 哈尔滨工业大学应用化学系哈尔滨150001

研究了系列不同掺杂、不同掺杂浓度、单掺杂和双掺杂以及不同后处理态 (生长态、还原态和氧化态 )铌酸锂晶体的透过率光谱和光折变二波耦合效应。实验结果表明 ,高掺杂铌酸锂样品的透过率光谱范围较窄 ;双掺杂样品比单掺铁样品的抗光折... 详细信息

研究了系列不同掺杂、不同掺杂浓度、单掺杂和双掺杂以及不同后处理态 (生长态、还原态和氧化态 )铌酸锂晶体的透过率光谱和光折变二波耦合效应。实验结果表明 ,高掺杂铌酸锂样品的透过率光谱范围较窄 ;双掺杂样品比单掺铁样品的抗光折变效应增强 ,光折变效应降低。氧化态样品具有较大的透过率光谱范围 ;

关键词：铌酸锂晶体双掺杂光折变效应透过率光谱