Mg∶In∶LiNbO_3晶体波导基片光损伤性能研究

作     者：徐悟生 许士文 王锐 徐玉恒 

作者机构：哈尔滨工业大学电子科学与技术系 

出 版 物：《硅酸盐学报》 (Journal of The Chinese Ceramic Society)

年 卷 期：2003年第31卷第1期

页      面：5-8页

核心收录：

学科分类：08[工学] 0803[工学-光学工程] 

基　　金：国家重大基础研究项目 973资助 (G19990 330 ) 国家"863"高技术计划项目资助 ( 2 0 0 1AA3130 40 ) 黑龙江省自然科学基金 (A0 1-0 3)资助项目 

主　　题：Mg:In:LiNb03晶体 波导基片 光损伤性能 研究 掺杂铝酸锂晶体 引上法晶体生长 

摘      要：在LiNbO3中掺入 3%MgO和 1%In2 O3(摩尔分数 ,下同 ) ,采用Czochralski法生长了 3%Mg∶2 %In∶LiNbO3晶体。极化后 ,对晶体进行氧化和还原处理。利用光斑畸变法 ,测试了晶体在 488.0nm波长下的抗光损伤能力 ,结果表明 :Mg∶In∶LiNbO3晶体抗光损伤能力比LiNbO3晶体提高 2个数量级以上。通过Li空位模型 ,研究了Mg∶In∶LiNbO3晶体抗光损伤能力增强的机理。利用苯甲酸质子交换法制备了几种晶体的光波导基片 ,并采用m -线法测试了 y切型波导基片在 632 .8nm波长下的光损伤阈值 ,Mg∶In∶LiNbO3光波导基片的抗光损伤能力也相应提高了