In∶Ce∶Cu∶LiNbO_3晶体的生长及存储性能研究

作     者：王军 徐悟生 王锐 

作者机构：哈尔滨工业大学光电子技术研究所哈尔滨150001 

出 版 物：《人工晶体学报》 (Journal of Synthetic Crystals)

年 卷 期：2003年第32卷第1期

页      面：16-19页

核心收录：

学科分类：07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0703[理学-化学] 0702[理学-物理学] 

基　　金：973国家重大基础研究项目 (No.G19990 3 3 0 ) 国家 863高技术计划 (No.2 0 0 1AA3 13 0 40 ) 黑龙江省自然科学基金 (A0 1 0 3 )资助项目 

主　　题：In:Ce:Cu:LiNbO3晶体 晶体生长 存储性能 响应时间 

摘      要：在Ce∶Cu∶LiNbO3 晶体中掺进In2 O3 ,用CZ法首次生长In∶Ce∶Cu∶LiNbO3 晶体。对晶体的抗光折变能力、红外光谱、指数增益系数、衍射效率和响应时间进行了测试 ,结果表明 :In(3mol% )∶Ce∶Cu∶LiNbO3 晶体的抗光折变能力比Ce∶Cu∶LiNbO3 提高两个数量级 ,其OH-吸收峰由LiNbO3 的 3484cm-1移到 35 0 8cm-1,响应速度比Ce∶Cu∶LiNbO3 晶体快三倍。对In∶Ce∶Cu∶LiNbO3 晶体抗光折变能力提高的机理。