检索结果-南通市图书馆

工作状态对MIS/IL太阳电池反型层电荷的影响

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太阳能学报 2007年第1期28卷 28-31页

作者：丁扣宝浙江大学信息与电子工程学系杭州310027

在一定输出电流及光照条件下,数值求解半导体器件基本方程,获得输出电压和反型层电荷面密度等参数。结果表明,反型层电荷与工作状态有关,即:当输出电压为某一最佳值时,反型层电荷面密度达到最大,相应的薄层电阻最小,因而合理设定太阳电... 详细信息

在一定输出电流及光照条件下,数值求解半导体器件基本方程,获得输出电压和反型层电荷面密度等参数。结果表明,反型层电荷与工作状态有关,即:当输出电压为某一最佳值时,反型层电荷面密度达到最大,相应的薄层电阻最小,因而合理设定太阳电池的输出电压,可改善与薄层电阻相关的电池性能。

关键词：硅太阳电池输出电压反型层电荷

注入水平对测试少子扩散长度影响的计算机模拟

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固体电子学研究与进展 1996年第3期16卷 221-224页

作者：丁扣宝张秀淼杭州大学电子工程系

通过计算机数值求解半导体的基本方程，模拟了表面光伏（ＳＰＶ）法测量Ｎ型硅少子扩散长度时注入水平对测量值的影响。结果表明，当注入水平较高时，少子扩散长度的测量值变长。模拟结果与已公开发表的实验结果一致。

关键词：注入水平少子扩散长度计算机模拟

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基于电流型边界条件的硅光电池模拟的新方法

传感技术学报 2004年第3期17卷 505-507页

作者：丁扣宝霍明旭浙江大学信息与电子工程学系

提出了一种模拟硅pn结光电池的新方法。基于电流型边界条件编程求解器件基本方程 ,获得符合实测条件的光电池短路电流。在此基础上 ,研究了衬底掺杂浓度对短路电流的影响。这一方法可用于作为探测器件的光电池的优化设计.

关键词：硅光电池模拟方法短路电流

利用I-V正向特性提取PN二极管主要参数的研究

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电子器件 2002年第1期25卷 27-28页

作者：丁扣宝潘骏浙江大学西溪校区信息与电子工程学系杭州310028 浙江大学硅材料国家重点实验室杭州310027

研究了利用电流 -电压 (I- V)正向特性提取 PN结二极管参数的方法。与通常使用的 PN结二极管模型不同 ,本文模型考虑了并联电导对电流的影响。在 I- V特性曲线上读取四级 (V,I)值 ,用牛顿法对模型方程组进行数值求解 ,可提取出 PN结二... 详细信息

研究了利用电流 -电压 (I- V)正向特性提取 PN结二极管参数的方法。与通常使用的 PN结二极管模型不同 ,本文模型考虑了并联电导对电流的影响。在 I- V特性曲线上读取四级 (V,I)值 ,用牛顿法对模型方程组进行数值求解 ,可提取出 PN结二极管的主要参数 :反向饱和电流 ,串联电阻 ,发射系数以及并联电导。结果表明 ,该方法简便。

关键词： PN结二极管 I-V正向特性参数提取

一种新的ESD防护器件的多脉冲TLP仿真方法

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电子学报 2013年第5期41卷 1016-1018页

作者：丁扣宝黄大海浙江大学微电子与光电子研究所浙江杭州310027

提出了一种新的集成电路ESD防护器件的TLP仿真方法,该方法类似于实际的TLP测量过程,在器件结构上施加一系列电流脉冲,获得相应的电压-时间曲线。分别截取每个电流脉冲及其电压响应70%～90%部分的平均值,取得的每一对电压和电流平均值作... 详细信息

提出了一种新的集成电路ESD防护器件的TLP仿真方法,该方法类似于实际的TLP测量过程,在器件结构上施加一系列电流脉冲,获得相应的电压-时间曲线。分别截取每个电流脉冲及其电压响应70%～90%部分的平均值,取得的每一对电压和电流平均值作为I-V曲线上的一点,从而得到电流-电压特性曲线。在此基础上,不仅可得到触发电压Vt1和维持电压Vh,而且可以获取二次击穿电流It2。对LSCR的仿真结果表明仿真结果与测试结果符合的很好。

关键词：静电放电仿真多脉冲

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适用于少子产生寿命CAM的线性电压扫描法

固体电子学研究与进展 2004年第3期24卷 407-409页

作者：丁扣宝潘骏浙江大学信息与电子工程学系杭州310027

提出了 MOS电容线性电压扫描法测量半导体少子产生寿命的新方法。通过在 MOS C-t瞬态曲线上读取 n个不同时刻的电容值 ,确定出相应的少子产生寿命值。该方法基于最小二乘法原理 ,可有效地消除测量误差的影响 ,其精度随读取点的增加而提... 详细信息

提出了 MOS电容线性电压扫描法测量半导体少子产生寿命的新方法。通过在 MOS C-t瞬态曲线上读取 n个不同时刻的电容值 ,确定出相应的少子产生寿命值。该方法基于最小二乘法原理 ,可有效地消除测量误差的影响 ,其精度随读取点的增加而提高 ,特别适合于少子产生寿命的计算机辅助测量。

关键词：半导体少子产生寿命线性电压扫描法

N型LDMOS器件在关态雪崩击穿条件下的退化

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浙江大学学报（工学版） 2011年第6期45卷 1038-1042页

作者：郭维丁扣宝韩成功朱大中韩雁浙江大学信息与电子工程学系浙江杭州310027

针对功率开关管在未箝位电感性开关转换时会反复发生雪崩击穿,引起器件参数退化的问题,对一种20V N型横向双扩散MOS器件(NLDMOS)在关态雪崩击穿条件下导通电阻的退化进行研究.通过恒定电流脉冲应力测试、TCAD(technology computer-aided... 详细信息

针对功率开关管在未箝位电感性开关转换时会反复发生雪崩击穿,引起器件参数退化的问题,对一种20V N型横向双扩散MOS器件(NLDMOS)在关态雪崩击穿条件下导通电阻的退化进行研究.通过恒定电流脉冲应力测试、TCAD(technology computer-aided design)仿真和电荷泵测试,分析研究导通电阻退化发生的区域及退化的微观机理,并针对实验结果提出2种退化机制:(1)NLDMOS漂移区中的空穴注入效应,这种机制会在器件表面产生镜像负电荷,造成开态导通电阻Ron的减少;(2)漂移区中的表面态增加效应,这种机制会造成载流子迁移率的下降,引起Ron的增加.这2种机制都随着雪崩击穿电流的增加而增强.

关键词：横向双扩散N型MOS器件雪崩击穿导通电阻退化电荷泵