两次线性电压扫描法测量半导体的产生参数
Twice Linear-voltage Sweep Method for Determining Generation Parameter of Semiconductor作者机构：杭州大学电子工程系
出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)
年 卷 期：1994年第14卷第4期
页 面：363-367页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
基 金：国家自然科学基金
摘 要：采用形式简单但较为精确的Ｐｉｅｒｒｅｔ的产生区宽度模型，分析了线性扫描电压作用下ＭＯＳ电容器的电容一时间（Ｃ—ｔ）瞬态特性。在此基础上，建议了一种通过两次不同电压扫描率的线性电压扫描来测定半导体的体产生寿命和表面产生速度的方法。
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