基于电流型边界条件的硅光电池模拟的新方法
New Method for Simulating Silicon Light Cell With Current-Type Boundary Condition作者机构：浙江大学信息与电子工程学系
出 版 物：《传感技术学报》 (Chinese Journal of Sensors and Actuators)
年 卷 期：2004年第17卷第3期
页 面：505-507页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0808[工学-电气工程] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0802[工学-机械工程] 0811[工学-控制科学与工程]
摘 要：提出了一种模拟硅pn结光电池的新方法。基于电流型边界条件编程求解器件基本方程 ,获得符合实测条件的光电池短路电流。在此基础上 ,研究了衬底掺杂浓度对短路电流的影响。这一方法可用于作为探测器件的光电池的优化设计.
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