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作者

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CFBR-Ⅱ快中子脉冲堆
CFBR-Ⅱ快中子脉冲堆
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第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会
快中子脉冲堆是一种能在很短时间内(零点几秒到几微秒)产生强中子和γ核辐射脉冲的大型核设施。CFBR-Ⅱ快中子脉冲堆(China Fast Burst Reactor-Ⅱ)由中国工程物理研究院核物理与化学研究所营运,自1989年建成后,在该堆上开展了多项研究...
来源： cnki会议 评论
基于DSP的计算机中子辐照效应研究
基于DSP的计算机中子辐照效应研究
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第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会
作者： 牛振红 王永海 刘洪艳 崔帅 李志峰 张力 试验物理与计算数学实验室
本文以目前基于DSP的典型计算机系统为研究对象,进行了高n/γ和低n/γ中子辐照效应试验,对中子辐照损伤效应及中子、γ综合辐照损伤效应进行了初步研究,对系统辐照损伤薄弱环节进行了分析和讨论,为系统进行抗辐射加固奠定了基础。
来源： cnki会议 评论
模数转换器(ADC)抗辐射性能试验测试技术研究
模数转换器(ADC)抗辐射性能试验测试技术研究
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第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会
作者： 王旭利 许献国 詹峻岭 周启明 中国工程物理研究院电子工程研究所
本文介绍了模数转换器(ADC)抗辐射性能试验测试技术的国内外研究现状,以及获得的相关结论。在此基础上提出实时测量模数转换器在辐射环境下工作的动态性能参数来表征器件抗辐射性能的研究思路,同时也提出了对现有模数转换器辐射性能测... 详细信息
来源： cnki会议 评论
典型电缆中滤波器应用技术研究
典型电缆中滤波器应用技术研究
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第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会
作者： 余彦胤 李小伟 中国工程物理研究院电子工程研究所
本文在对大量电源滤波器和信号滤波器研究的基础上,选择了几种典型滤波器进行了试验研究,研究表明,两种电源射频干扰滤波器都能够满足使用需求,中国电子科技集团第九研究所专门研制了1MHz低通滤波器样品的指标基本满足要求,但是尺寸仍... 详细信息
来源： cnki会议 评论
超深亚微米SRAM和Flash存储器的辐射效应
超深亚微米SRAM和Flash存储器的辐射效应
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第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会
作者： 唐民 中国空间技术研究院电子元器件可靠性中心
针对超深亚微米器件航天应用日益增多的情况,以超深亚微米SRAM和Flash存储器为对象,分析了超深亚微米器件的辐射效应规律特点。超深亚微米器件一般具有天然抗总剂量辐射能力,但若接口电路工作电压或编程电压高,则辐射敏感;超深亚微米器... 详细信息
来源： cnki会议 评论
宽频带、小型化模拟量光纤电场测量系统研制
宽频带、小型化模拟量光纤电场测量系统研制
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第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会
作者： 周开明 王艳 谢泽元 中国工程物理研究院电子工程研究所
为了对核爆、雷电和模拟器等辐射源产生的瞬态电场进行测量,研制了低噪声、超宽带模拟量光纤电场测量系统。该系统采用单极子天线,将空间瞬态电场变换为瞬态电压,由置于探头内部的微型光发射机通过光纤把瞬态信号传输到远端的光接收机,... 详细信息
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光电耦合器辐射效应研究
光电耦合器辐射效应研究
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第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会
作者： 冯展祖 杨生胜 王云飞 高欣 王健 兰州物理研究所真空低温技术与物理国家级重点实验室
选取了一种典型的光电耦合器4n25进行了1MeV高能电子及Co60γ辐照试验,获得了1MeV电子及Co60γ辐照后光电耦合器4n25 CTR参数的退化与粒子的通量的关系,通过辐射对器件及材料作用过程的分析,探讨了光电耦合器位移损伤效应及电离辐射效应。
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荧光法测量复合屏蔽材料X射线透过率
荧光法测量复合屏蔽材料X射线透过率
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第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会
作者： 詹峻岭 徐曦 黑东炜 罗剑辉 中国工程物理研究院电子工程研究所 西北核技术研究所
用7种纯材料做荧光靶,在荧光X射线装置上对复合屏蔽材料平板样品进行了X射线透过率实验测量,获得了100keV以下16个单能点的X射线透过率测量数据。根据材料对X射线的吸收规律,理论外推了100keV～200keV的X射线透过率。
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ONO反熔丝FPGA抗电离辐照性能研究
ONO反熔丝FPGA抗电离辐照性能研究
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第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会
作者： 杜川华 詹峻岭 中国工程物理研究院电子工程研究所
描述了在受到电离辐照时,ONO薄膜内部电子—空穴的运动规律。采用蒙特卡罗方法,计算了不同能量光子辐照下,ONO反熔丝介质内部的能量沉积和电荷累积,并推算了由此产生的界面电场强度以及阈值电压的漂移。采用反熔丝FPGA芯片A1460A设计延... 详细信息
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三端稳压器中子辐射特性实验研究
三端稳压器中子辐射特性实验研究
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第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会
作者： 朱小锋 赵洪超 叶灿 中国工程物理研究院电子工程研究所
本文简要介绍了三端稳压器的中子辐射损伤的机理和辐照试验方法。重点研究了三端稳压器在不同输入电压和不同输出负载测试条件下,输出电压的中子辐照失效阈值范围。试验结果表明:不同生产厂家的同类型器件抗中子辐照能力有较大的差异,... 详细信息
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