超深亚微米SRAM和Flash存储器的辐射效应
作者单位：中国空间技术研究院电子元器件可靠性中心
会议名称：《第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》
会议日期：2009年
学科分类：08[工学] 081201[工学-计算机系统结构] 0812[工学-计算机科学与技术（可授工学、理学学位）]
摘 要：针对超深亚微米器件航天应用日益增多的情况,以超深亚微米SRAM和Flash存储器为对象,分析了超深亚微米器件的辐射效应规律特点。超深亚微米器件一般具有天然抗总剂量辐射能力,但若接口电路工作电压或编程电压高,则辐射敏感;超深亚微米器件由于特征尺寸减少,单粒子效应敏感,核反应可导致单粒子事件,另外,已有的单粒子预计模型已不完全适用。