ONO反熔丝FPGA抗电离辐照性能研究
作者单位：中国工程物理研究院电子工程研究所
会议名称：《第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》
会议日期：2009年
学科分类：0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 080902[工学-电路与系统] 08[工学]
关 键 词：ONO反熔丝 FPGA 电离辐照 蒙特卡罗 电子—空穴对
摘 要：描述了在受到电离辐照时,ONO薄膜内部电子—空穴的运动规律。采用蒙特卡罗方法,计算了不同能量光子辐照下,ONO反熔丝介质内部的能量沉积和电荷累积,并推算了由此产生的界面电场强度以及阈值电压的漂移。采用反熔丝FPGA芯片A1460A设计延时电路,进行了钴源电离辐照试验。模拟计算和辐照试验的结果都说明了ONO反熔丝结构的FPGA具有较好的抗电离总剂量辐照的性能。