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宇航用电子元器件单粒子辐照技术
宇航用电子元器件单粒子辐照技术
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第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会
作者： 刘刚 赵发展 韩郑生 中国科学院微电子研究所
抗单粒子辐照指标是宇航电子元器件重要考核项目之一,本文结合中科院微电子所多年工程经验论述了宇航飞行器广泛使用的电子元器件的各种单粒子效应。对SRAM、FPGA、MCU、VDMOS等典型元器件做了针对性分析。
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硅微电子工业的发展状态、限制、对策及辐射加固的考虑
硅微电子工业的发展状态、限制、对策及辐射加固的考虑
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第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会
作者： 刘忠立 中国科学院半导体研究所
本文首先简要介绍硅微电子工业的发展状态、限制及对策。为了保持硅微电子工业的继续发展,主要的对策是利用新的结构材料以及新的器件结构和器件原理。在此基础上,介绍新形势下硅微电子器件及电路辐射加固的考虑。
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复杂系统电磁脉冲耦合效应的数值模拟
复杂系统电磁脉冲耦合效应的数值模拟
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第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会
作者： 孙东阳 刘顺坤 林东生 西北核技术研究所
本文将多腔电子系统进行简化,构造简单的阶联结构模型,采用FDTD法模拟IEC61000-2-9标准电磁脉冲入射时多种阶联结构的耦合效应。模拟结果表明,较密集分布的多个腔体彼此间有一定的屏蔽作用,峰值较低、高频成份较高的耦合电流对腔内有较... 详细信息
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256K PROM电路技术研究
256K PROM电路技术研究
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第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会
作者： 周霁 孙武山 中国电子科技集团公司第四十七研究所
本文介绍了一种以非晶硅反熔丝为介质的PROM电路,包括存储单元和外围主要电路(译码电路,读写电路等)。它是一种大容量,高密度的存储器件。反熔丝存储单元及读写电路结构是该电路最基础,最重要的部分。
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基于SRAM的XILINX FPGA单粒子翻转的测试和试验方法研究
基于SRAM的XILINX FPGA单粒子翻转的测试和试验方法研究
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第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会
作者： 田文波 章斌 上海航天电子技术研究所
基于SRAM的XILINX FPGA的资源丰富、结构复杂,在对其进行的单粒子试验中,只有针对其特点,设计相应的单粒子试验的测试程序才能系统、准确地获取该类芯片的单粒子特性,为抗辐加固设计提供依据,为该类芯片在航天领域的使用打下基础。
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用Bootstrap方法求取电磁脉冲损伤函数
用Bootstrap方法求取电磁脉冲损伤函数
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第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会
作者： 孙蓓云 周辉 陈向跃 毛从光 西北核技术研究所
在采用故障树方法进行系统级电磁脉冲易损性分析时,底事件的损伤函数是故障树的输入参量。本文介绍了Bootstrap方法的基本原理及实现过程,并给出如何由实验数据求取电磁脉冲损伤函数的实例。
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固态继电器输入端电磁脉冲效应研究
固态继电器输入端电磁脉冲效应研究
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第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会
作者： 陈向跃 孙蓓云 付继伟 于海涛 西北核技术研究所 北京宇航系统工程研究所
本文通过方波电流注入方法对某型号固态继电器的输入端电磁脉冲效应进行了实验研究,给出输入端方波注入对固态继电器输出端性能影响的实验结果,为固态继电器的产品设计及实际应用提供参考。
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UWB-EMP对圆形孔的耦合计算和实验测量
UWB-EMP对圆形孔的耦合计算和实验测量
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第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会
作者： 谢泽元 杜川华 许献国 杨有莉 中国工程物理研究院电子工程研究所
利用CST微波工作室软件计算了不同上升时间的超宽带电场脉冲场通过圆形孔洞耦合到屏蔽腔体内的情况,给出了计算结果,并与实验测量结果进行了比较,二者符合较好。
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动态信号分析方法研究
动态信号分析方法研究
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第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会
作者： 周擎 邓宏见 杨侠 中国工程物理研究院总体工程研究所
本文论述了小波分析的基本原理,分解比较了小波方法和小波包方法的优缺点,研究了按任意频率要求进行逐级分解与重构的小波计算方法,克服了单纯使用小波只对信号进行指数等间隔划分和小波包计算量大的不足,结合典型结构的瞬态响应信号,... 详细信息
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VDMOS器件单粒子加固技术研究
VDMOS器件单粒子加固技术研究
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第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会
作者： 王小荷 黄玉文 耿增建 西安微电子技术研究所
本文主要结合功率VDMOS器件单粒子效应的损伤机理,进行了VDMOS器件结构和工艺技术的加固研究,研制出了加固样品,并通过地面模拟试验源的辐照试验,对样品进行了单粒子效应敏感度测试评估。试验结果表明,经加固的器件样品其抗单粒子效应... 详细信息
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