VDMOS器件单粒子加固技术研究
作者单位：西安微电子技术研究所
会议名称：《第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》
会议日期：2009年
学科分类：08[工学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）]
关 键 词：单粒子烧毁（SEB） 单粒子栅穿（SEGR） 复合栅工艺 辐照模拟试验
摘 要：本文主要结合功率VDMOS器件单粒子效应的损伤机理,进行了VDMOS器件结构和工艺技术的加固研究,研制出了加固样品,并通过地面模拟试验源的辐照试验,对样品进行了单粒子效应敏感度测试评估。试验结果表明,经加固的器件样品其抗单粒子效应能力有了明显提高。