宽禁带半导体的深紫外拉曼光谱学研究
作者单位：广西大学物理科学与工程技术学院 中国科学院大连化学物理研究所催化基础国家重点实验室 Southern Polytechnic College of Engineering and Engineering TechnologyKennesaw State University 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所发光学及应用国家重点实验室
会议名称：《第二十届全国光散射学术会议（CNCLS20）》
会议日期：2019年
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 081704[工学-应用化学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 07[理学] 08[工学] 0817[工学-化学工程与技术] 080501[工学-材料物理与化学] 070302[理学-分析化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0703[理学-化学]
摘 要：我们对一系列宽禁带半导体(GaN/Si,GaN/ZnO,AlGaN/Sap,6H-SiC,同质外延4H-SiC和立方3C-SiC/Si)的进行了深紫外拉曼散射光谱的深入研究.我们使用了两套266nm激发系统:三级联复合光谱仪(系统A,大连化物所)和微区单通道光谱仪(系统B,广西大学),均由卓立汉光公司制造.我们已采用系统A对4H810及相似的一组同质外延4H-SiC半导体进行了266,325,360,514nm多光谱激射拉曼的研究[1].图1报道了对同样8片宽禁带半导体的266nm激发的拉曼光谱.可知三级联光谱仪可从200cm-1开始并且线宽更窄,微区单通道光谱仪需从300cm开始,线宽相较于系统A更宽,并且300-500cm之间存在鼓包(如右图).系统B相较于系统A,操作便捷,成本低,同时可以较快得到样品测试信息.目前该系统极适合于Si C,AlN,AlGaN等材料的研究.细致的深紫外拉曼光谱和谱形分析及与可见光谱之比较亦给出.