S波段SiC MESFET微波功率MMIC
作者单位：南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室
会议名称：《第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议》
会议日期：2008年
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
关 键 词：碳化硅 金属半导体场效应晶体管 微波功率 单片微波集成电路
摘 要：利用本实验室生长的半绝缘衬底上的4H-SiC外延材料开展了SiC MESFE和MMIC的工艺技术研究。在实现SiC衬底减薄和通孔技术的基础上,采用微带技术以及全套的无源器件,设计并研制了国内第一片SiC微波功率MMIC。研制的SiC MMIC工作频段为S波段,在1.8～3.4 GHz的频带内小信号增益大于12 dB,漏电压为32 V时带内脉冲输出功率超过5 W。SiCMMIC小信号特性达到了设计预期,但输出功率低于设计值。这是由于受到MIM电容耐压能力的限制,SiC MMIC的工作电压比较低。