检索结果-南通市图书馆

船舶标准化与质量 2024年第3期 18-22页

作者：任春江张建杰大连中远海运重工有限公司大连船舶重工集团有限公司

“旭日东升”船是一艘由单壳超大型油船(VLCC)改装成的浮式生产储油装置(FPSO)。本文以该船为例,对该船直升机甲板的舾装部分内容进行阐述,包括脱险通道、栓系点、标志、安全网、着陆网以及消防设备等。

关键词：直升机甲板脱险通道标志舾装件 FPSO

基于101.6 mm晶圆35 nm InP HEMT工艺的340 GHz低噪声放大器芯片研制

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固体电子学研究与进展 2024年第5期44卷 379-383页

作者：孙远陈忠飞陆海燕吴少兵任春江王维波章军云南京电子器件研究所南京210016

实现了在101.6 mm InP晶圆上制备35 nm的增强型InP高电子迁移率晶体管。通过InAs复合沟道外延结构设计,使得室温二维电子气迁移率面密度乘积达到4.2×10^(16)/(V·s)。采用了铂钛铂金埋栅工艺技术,典型器件最大跨导达到2900 mS/mm,电流... 详细信息

实现了在101.6 mm InP晶圆上制备35 nm的增强型InP高电子迁移率晶体管。通过InAs复合沟道外延结构设计,使得室温二维电子气迁移率面密度乘积达到4.2×10^(16)/(V·s)。采用了铂钛铂金埋栅工艺技术,典型器件最大跨导达到2900 mS/mm,电流增益截止频率达到460 GHz,最高振荡频率为720 GHz。同时研制出340 GHz低噪声放大器芯片,在310~350 GHz内小信号增益22~27 dB,噪声系数在8 dB以下。建立了340 GHz InP低噪声放大器芯片技术平台,为太赫兹低噪声单片微波集成电路的发展奠定基础。

关键词：磷化铟(InP) 高电子迁移率晶体管(HEMT) 电子束直写太赫兹低噪声放大器

温度对AlGaN/GaN HEMT电学性能的影响

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固体电子学研究与进展 2007年第3期27卷 329-334页

作者：任春江陈堂胜焦刚李肖南京电子器件研究所南京210016

研究了蓝宝石衬底AlGaN/GaN HEMT器件直流和微波性能随温度的变化。研究结果表明,器件直流性能随着温度升高逐渐下降,350°C时直流性能依然良好,从350°C冷却到室温后,器件直流特性除欧姆接触电阻改善外,其他都得到了恢复;微波测试表明... 详细信息

研究了蓝宝石衬底AlGaN/GaN HEMT器件直流和微波性能随温度的变化。研究结果表明,器件直流性能随着温度升高逐渐下降,350°C时直流性能依然良好,从350°C冷却到室温后,器件直流特性除欧姆接触电阻改善外,其他都得到了恢复;微波测试表明,器件fT,fmax都随温度升高而下降,180°C时,fT从室温的11.6GHz下降为7.5GHz、fmax从24.6GHz下降为19GHz,通过外推得到350°C时的fT为3.5GHz,fmax为12GHz。证明了AlGaN/GaN HEMT具有良好的热稳定性,适合在高温下进行高频工作。

关键词：氮化镓宽禁带高电子迁移率晶体管温度特性

单向三车道高速公路车载自组织网络路由协议研究

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单向三车道高速公路车载自组织网络路由协议研究

作者：任春江太原理工大学

学位级别：硕士

车载自组织网络(Vehicular Ad hoc Networks,VANET)将成为未来交通系统必不可少的支撑。它能够增强车辆间的沟通,加强车路间的联系,这使得分布式地协调控制车辆行为、合理地平衡分配道路资源、提供高效便捷的信息服务成为可能,从而增强... 详细信息

车载自组织网络(Vehicular Ad hoc Networks,VANET)将成为未来交通系统必不可少的支撑。它能够增强车辆间的沟通,加强车路间的联系,这使得分布式地协调控制车辆行为、合理地平衡分配道路资源、提供高效便捷的信息服务成为可能,从而增强了车辆驾驶安全性,提升了交通运输效率,改善了乘车环境。总之,VANET可为城市交通拥堵与安全提供统一的解决方案。然而,车辆节点高速行驶使得网络拓扑快速变化,造成链路频繁失效,通信路由不断断裂。车辆间以及车路间如何快速可靠的传输数据是亟待解决的问题,设计高效稳定的路由对VANET起到至关重要的作用。本文研究了单向三车道高速公路场景下基于拓扑的VANET路由协议。此场景中同车道车辆构成的网络拓扑结构相对稳定。车载自组织网络AODV路由协议的相关改进算法受限于按需路由机制,网络延迟比较大。为了综合满足VANET分组投递率与网络延迟的要求,本文依据场景特点提出目的序列速度向量DSVV(Destination-Sequenced Velocity Vector)路由协议,该协议基于车辆位置、速度及方向等移动信息对限定跳数内拓扑相对稳定节点采用先应式路由机制建立路由,其他节点路由则通过按需路由机制建立。仿真表明本文提出的DSVV网络延迟比带Hello机制的AODV显著减小,但分组投递率也有所降低。为了进一步提升DSVV的综合性能,提出带跨层捎带机制的目的序列速度向量DSVVL(Destination-Sequenced Velocity Vector with Cross-layer Piggyback)路由协议,该协议利用跨层捎带技术将Hello报文的有用信息通过数据分组捎带给邻居节点,以减少路由开销。仿真表明DSVVL整体路由性能比DSVV大幅提升;与带Hello机制的AODV相比,网络延迟大幅减小,分组投递率基本接近。综上所述,本文将先应式路由机制有机融合于AODV大幅降低了网络延迟,利用跨层捎带机制提升了路由总体性能,为进一步研究VANET路由算法提供了新的思路和方法。

关键词：车载自组织网络移动模型网络仿真工具 AODV路由协议 DSVVCL路由协议跨层捎带技术

SiC衬底AlGaN/GaN HEMT的热分析与测试

同方学位论文库评论

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固体电子学研究与进展 2007年第4期27卷 476-480,502页

作者：任春江陈堂胜焦刚李肖薛舫时李拂晓单片集成电路与模块国家级重点实验室南京电子器件研究所南京210016

对SiC衬底AlGaN/GaN HEMT的结温进行了理论计算与实测。计算中考虑了衬底材料热导率随温度的变化以及器件源、漏电阻上的热损耗,不同耗散功率下的理论计算与红外显微镜实测结果比较表明,两者相差最大不超过10℃。由于理论计算结果是在... 详细信息

对SiC衬底AlGaN/GaN HEMT的结温进行了理论计算与实测。计算中考虑了衬底材料热导率随温度的变化以及器件源、漏电阻上的热损耗,不同耗散功率下的理论计算与红外显微镜实测结果比较表明,两者相差最大不超过10℃。由于理论计算结果是在解析解的基础上运用计算机迭代计算获得,所耗时间较短,故这一结果对于改善器件结构以提高AlGaN/GaN HEMT及其MMIC电路的性能将有较大帮助。

关键词：氮化镓宽禁带热分析红外显微镜

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GaN HEMT的温度特性及其应用

固体电子学研究与进展 2011年第3期31卷 226-232页

作者：任春江陈堂胜余旭明张斌南京电子器件研究所微波毫米波单片集成模块和电路国家重点实验室南京210016

对0.25μm双场板结构GaN HEMT器件的温度特性进行了研究。负载牵引测试结果显示,GaN HEMT增益的温度系数为-0.02 dB/℃、饱和输出功率系数为-0.004 dB/℃。大的增益温度系数结合GaN HEMT自热效应引起的高温升对实际应用特别是功率MMIC... 详细信息

对0.25μm双场板结构GaN HEMT器件的温度特性进行了研究。负载牵引测试结果显示,GaN HEMT增益的温度系数为-0.02 dB/℃、饱和输出功率系数为-0.004 dB/℃。大的增益温度系数结合GaN HEMT自热效应引起的高温升对实际应用特别是功率MMIC的设计带来了挑战。按常温设计的GaN功率MMIC在高温下输出功率出现了较大幅度的下降,并且连续波与脉冲下工作输出功率存在较大差异。针对GaN HEMT应用中的这些问题提出了解决措施,包括降低2DEG浓度来减小增益的温度系数,通过选择SiC衬底和衬底减薄以及版图设计改善器件散热,降低器件工作时的温升。

关键词：铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管场板栅挖槽难熔栅

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基于移动状态的车载自组织网络路由算法

计算机工程与科学 2018年第3期40卷 464-471页

作者：任春江降爱莲太原理工大学计算机科学与技术学院山西晋中030600

传统的AODV协议应用于车载自组织网络,尽管分组投递率比较高,但在数据分组需要发送时才建立路由,网络延迟较大。而DSDV中通过周期性的路由更新机制,网络延迟小,但需维护大量不必要的路由,并且拓扑结构变化使许多路由无效,导致分组投递... 详细信息

传统的AODV协议应用于车载自组织网络,尽管分组投递率比较高,但在数据分组需要发送时才建立路由,网络延迟较大。而DSDV中通过周期性的路由更新机制,网络延迟小,但需维护大量不必要的路由,并且拓扑结构变化使许多路由无效,导致分组投递率非常低。为了综合满足VANET分组投递率和网络延迟的要求,将AODV和DSDV两种路由建立机制相互融合,形成混合式路由协议。首先,根据车辆节点的位置、速度和方向等移动状态周期性地选择稳定且距离适中的链路,形成网络主干并更新路由;其次,当数据分组目的节点路由不存在时,发起路由发现过程建立路由,在路由请求报文前进和路由应答报文回溯过程中求出路由过期时间。仿真实验表明,尽管路由开销有所增大,分组投递率略低于AODV,但是网络延迟显著降低。

关键词：车载自组织网络路由算法速度向量混合路由

基于76.2mm圆片工艺的GaN HEMT可靠性评估

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固体电子学研究与进展 2011年第2期31卷 115-119,140页

作者：蒋浩任春江陈堂胜焦刚肖德坚南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室南京210016

报道了利用76.2 mm圆片工艺实现了SiC衬底GaN HEMT微波功率管的研制,并对其进行了多项试验以评估其可靠性。器件工艺中通过引入难熔金属作器件肖特基势垒,有效提高了GaN HEMT器件肖特基势垒的热稳定性,经过500°C高温处理30 s后器件肖... 详细信息

报道了利用76.2 mm圆片工艺实现了SiC衬底GaN HEMT微波功率管的研制,并对其进行了多项试验以评估其可靠性。器件工艺中通过引入难熔金属作器件肖特基势垒,有效提高了GaN HEMT器件肖特基势垒的热稳定性,经过500°C高温处理30 s后器件肖特基特性依然保持稳定。随后的高温工作寿命试验表明,该GaN HEMT能够经受225°C结温500 h的工作而未发生失效,但器件的饱和电流出现了退化,进一步的分析表明引起器件饱和电流下降的主要原因是电迁徙引起的欧姆退化。针对电迁徙现象进行了相关工艺的改进,对改进后器件的三温加速寿命试验表明,器件在150°C结温下平均失效时间(MTTF)达4×105h,激活能为1.0 eV。将研制的GaN HEMT管芯用于了两级级联结构的C波段功率模块,对研制的功率模块在28 V工作电压125°C结温下进行了射频工作寿命试验,增益压缩5 dB下连续波工作1 000 h后输出功率变化量小于0.1 dB。

关键词：铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管场板栅挖槽难熔栅平均失效时间

6～18 GHz宽带GaN功率放大器MMIC

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固体电子学研究与进展 2011年第2期31卷 111-114页

作者：余旭明张斌陈堂胜任春江南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室南京210016

报道了一款采用三级拓扑结构的6～18 GHz宽带单片微波功率放大器芯片。放大器采用了微带结构,并使用电抗匹配进行设计,减小输出匹配电路的损耗和提高效率。经匹配优化后放大器在6～18 GHz整个频带内脉冲输出功率大于6 W,小信号增益达到2... 详细信息

报道了一款采用三级拓扑结构的6～18 GHz宽带单片微波功率放大器芯片。放大器采用了微带结构,并使用电抗匹配进行设计,减小输出匹配电路的损耗和提高效率。经匹配优化后放大器在6～18 GHz整个频带内脉冲输出功率大于6 W,小信号增益达到25 dB,在14 GHz频点处峰值输出功率达到10 W,对应的功率附加效率为21%。放大器芯片采用南京电子器件研究所的0.25μm GaN HEMT 76.2 mm圆片工艺制造,尺寸为2.3 mm×1.1mm。

关键词：铝镓氮/氮化镓氮化镓功率放大器宽带 6~18 GHz 微波单片集成电路

S波段280W GaN内匹配功率管的设计与实现

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固体电子学研究与进展 2015年第4期35卷 321-324,391页

作者：姚实唐世军任春江钱峰南京电子器件研究所南京210016

本文实现了一种基于自主50V工作GaN HEMT工艺的S波段内匹配功率管。以S参数和负载牵引结果进行内匹配电路设计,采取两管芯并联的方式实现大功率输出。应用微波仿真软件ADS对其进行优化,得到良好仿真结果并给出最终测试数据。在48V漏电压... 详细信息

本文实现了一种基于自主50V工作GaN HEMT工艺的S波段内匹配功率管。以S参数和负载牵引结果进行内匹配电路设计,采取两管芯并联的方式实现大功率输出。应用微波仿真软件ADS对其进行优化,得到良好仿真结果并给出最终测试数据。在48V漏电压、1 ms周期、10%占空比测试条件下,3.1~3.4GHz频率范围内,输出功率超过54.5dBm,功率增益大于13.5dB,功率附加效率超过50%。

关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管内匹配功率放大器 S波段