SiC衬底AlGaN/GaN HEMT的热分析与测试

作     者：任春江 陈堂胜 焦刚 李肖 薛舫时 李拂晓 REN Chunjiang;CHEN Tangsheng;JIAO Gang;IA Xiao;XUE Fangshi;LI Fuxiao

作者机构：单片集成电路与模块国家级重点实验室南京电子器件研究所南京210016 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：2007年第27卷第4期

页      面：476-480,502页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

主　　题：氮化镓 宽禁带 热分析 红外显微镜 

摘      要：对SiC衬底AlGaN/GaN HEMT的结温进行了理论计算与实测。计算中考虑了衬底材料热导率随温度的变化以及器件源、漏电阻上的热损耗,不同耗散功率下的理论计算与红外显微镜实测结果比较表明,两者相差最大不超过10℃。由于理论计算结果是在解析解的基础上运用计算机迭代计算获得,所耗时间较短,故这一结果对于改善器件结构以提高AlGaN/GaN HEMT及其MMIC电路的性能将有较大帮助。