Au与p-CZT晶体的接触特性及其CZT表面处理状态的影响

作     者：李强 介万奇 傅莉 汪晓芹 查钢强 杨戈 LI Qiang;JIE Wan-qi;FU Li;WANG Xiao-qin;ZHA Gang-qiang;YANG Ge

作者机构：西北工业大学材料科学与工程学院陕西西安710072 

出 版 物：《功能材料》 (Journal of Functional Materials)

年 卷 期：2006年第37卷第4期

页      面：630-631,634页

核心收录：

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0808[工学-电气工程] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 0703[理学-化学] 0702[理学-物理学] 

基　　金：国家自然科学基金重点资助项目(50336040) 

主　　题：Schottky接触 钝化 I-N特性 

摘      要：对不同腐蚀、钝化表面处理的CZT晶片与Au接触的I-V特性进行了研究。用XPS分析了钝化前后CZT晶体表面成分,发现钝化后CZT晶片表面形成厚度为3.1nm的TeO2氧化层。用Agilent4339B高阻仪进行未腐蚀、腐蚀与腐蚀钝化的CZT晶片I-V特性测试,结果表明腐蚀和腐蚀钝化均能不同程度提高Au/p-CZT接触的势垒高度,相应地减小了漏电流。