离子轰击控制准直碳纳米管生长的研究

作     者：王必本 张兵 郑坤 郝伟 王万录 廖克俊 Wang Bi_Ben\ Zhang Bing\ Zheng Kun\ Hao Wei (College of Applied Mathematics and Physics, Beijing Polytechnic Unive rsity, Beijing\ 100022, China) Wang Wan_Lu\ Liao Ke_Jun (College of Mathematics and Physics, Chongqing University, Chongqing\ 40 0044,China)

作者机构：北京工业大学应用数理学院北京100022 重庆大学数理学院重庆400044 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：2004年第53卷第4期

页      面：1255-1259页

核心收录：

学科分类：07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0704[理学-天文学] 0702[理学-物理学] 

主　　题：离子轰击 准直碳纳米管 负偏压 等离子体增强热丝化学汽相沉积法 生长速率 

摘      要：用CH4 ,H2 和NH3 作为反应气体 ,利用等离子体增强热丝化学汽相沉积制备出准直碳纳米管 ,并用扫描电子显微镜研究了不同负偏压对准直碳纳米管生长的影响 .结果表明 ,随着负偏压的增大 ,准直碳纳米管的平均直径减小、平均长度增大 .由于辉光放电的产生 ,在衬底表面附近形成阴极鞘层 ,并在阴极鞘层内形成大量的离子和在衬底表面附近形成很强的电场 .离子在电场的作用下对衬底表面的强烈轰击将对准直碳纳米管的生长产生影响 .结合有关理论 。